企业商机

中山油墨光刻胶供应商

定义与特性正性光刻胶是一种在曝光后，曝光区域会溶解于显影液的光敏材料，形成与掩膜版（Mask）...

光刻胶基本参数

品牌
吉田半导体
型号
型号齐全

光刻胶企业商机

定义与特性

正性光刻胶是一种在曝光后，曝光区域会溶解于显影液的光敏材料，形成与掩膜版（Mask）图案一致的图形。与负性光刻胶（未曝光区域溶解）相比，其优势是分辨率高、图案边缘清晰，是半导体制造（尤其是制程）的主流选择。

化学组成与工作原理

主要成分

• 树脂（成膜剂）：

◦ 传统正性胶：采用**酚醛树脂（Novolak）与重氮萘醌（DNQ，光敏剂）**的复合体系（PAC体系），占比约80%-90%。

◦ 化学增幅型（用于DUV/EUV）：含环化烯烃树脂或含氟聚合物，搭配光酸发生器（PAG），通过酸催化反应提高感光度和分辨率。

• 溶剂：溶解树脂和感光剂，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。

• 添加剂：表面活性剂（改善涂布均匀性）、稳定剂（防止暗反应）、碱溶解度调节剂等。

工作原理

• 曝光前：光敏剂（如DNQ）与树脂结合，形成不溶于碱性显影液的复合物。

• 曝光时：

◦ 传统PAC体系：DNQ在紫外光（G线436nm、I线365nm）照射下发生光分解，生成羧酸，使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。

◦ 化学增幅型：PAG在DUV/EUV光下产生活性酸，催化树脂发生脱保护反应，大幅提高显影速率（灵敏度提升10倍以上）。

• 显影后：曝光区域溶解去除，未曝光区域保留，形成正性图案。

半导体光刻胶：技术领域取得里程碑。中山油墨光刻胶供应商

技术趋势与挑战

半导体先进制程：

◦ EUV光刻胶需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷数＜10个），开发低粗糙度（≤5nm）材料；

◦ 极紫外吸收问题：胶膜对13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑战化学增幅体系的灵敏度。

环保与低成本：

◦ 水性负性胶替代溶剂型胶（如PCB阻焊胶），减少VOC排放；

◦ 单层胶工艺替代多层胶，简化流程（如MEMS厚胶的一次性涂布）。

新兴领域拓展：

◦ 柔性电子：开发耐弯曲（曲率半径＜5mm）、低模量感光胶，用于可穿戴设备电路；

◦ 光子芯片：高折射率胶（n＞1.8）制作光波导，需低传输损耗（＜0.1dB/cm）。

典型产品与厂商

• 半导体正性胶：

◦ 日本信越（Shin-Etsu）的ArF胶（分辨率22nm，用于12nm制程）；

◦ 美国陶氏（Dow）的EUV胶（灵敏度10mJ/cm²，缺陷密度＜5个/cm²）。

• PCB负性胶：

◦ 中国容大感光（LP系列）：耐碱性蚀刻，厚度20-50μm，国产化率超60%；

◦ 日本东京应化（TOK）的THMR-V：全球PCB胶市占率30%，适用于高可靠性汽车板。

• MEMS厚胶：

◦ 美国陶氏的SU-8：实验室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需优化交联均匀性）；

◦ 德国Microresist的MR胶：耐深硅蚀刻，线宽精度±2%，用于工业级MEMS制造。

重庆水油光刻胶吉田半导体光刻胶，45nm 制程验证，国产替代方案!

吉田半导体厚板光刻胶 JT-3001：国产技术助力 PCB 行业升级

JT-3001 厚板光刻胶支持 500nm/min 深蚀刻，成为国产 PCB 电路板制造推荐材料。
吉田半导体自主研发的 JT-3001 厚板光刻胶，分辨率 1.5μm，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，适用于高密度 PCB 制造。其无卤无铅配方通过欧盟 RoHS 认证，已应用于华为 5G 基站主板量产。产品采用国产原材料与全自动化工艺，批次稳定性达 99.5%，帮助客户提升生产效率 20%，加速国产 PCB 行业技术升级，推动 PCB 行业国产化进程。

纳米制造与表面工程

• 纳米结构模板：作为纳米压印光刻（NIL）的母版制备材料，通过电子束光刻胶写出高精度纳米图案（如50nm以下的柱阵列、孔阵列），用于批量复制微流控芯片或柔性显示基板。

• 表面功能化：在基底表面构建纳米级粗糙度（如仿生荷叶超疏水表面）或化学图案（引导细胞定向生长的纳米沟槽），用于生物医学或能源材料（如电池电极的纳米阵列结构）。

量子技术与精密测量

• 超导量子比特：在铌酸锂或硅基底上，通过光刻胶定义纳米级约瑟夫森结阵列，构建量子电路。

• 纳米传感器：制备纳米级悬臂梁（表面镀光刻胶图案化的金属电极），用于探测单个分子的质量或电荷变化（分辨率达亚纳米级）。

负性光刻胶生产厂家。

吉田半导体的光刻胶产品覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等领域，通过差异化技术（如纳米压印、厚膜工艺）和环保特性（水性配方），满足从传统电子到新兴领域（如第三代半导体、Mini LED）的多样化需求。其产品不仅支持高精度、高可靠性的制造工艺，还通过材料创新推动行业向绿色化、低成本化方向发展。吉田半导体光刻胶的优势在于技术全面性、环保创新、质量稳定性及本土化服务，尤其在纳米压印、厚膜工艺及水性胶领域形成差异化竞争力。

发展战略与行业地位。山东网版光刻胶工厂

纳米级图案化的主要工具。中山油墨光刻胶供应商

原料准备

◦ 主要成分：树脂（成膜剂，如酚醛树脂、聚酰亚胺等）、感光剂（光引发剂或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻胶单体）、溶剂（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加剂（调节粘度、感光度、稳定性等，如表面活性剂、稳定剂）。

◦ 原料提纯：对树脂、感光剂等进行高纯度精制（纯度通常要求99.9%以上），避免杂质影响光刻精度。

配料与混合

◦ 按配方比例精确称量各组分，在洁净环境，如万中通过搅拌机均匀混合，形成胶状溶液。

◦ 控制温度（通常20-30℃）和搅拌速度，避免气泡产生或成分分解。

过滤与纯化

◦ 使用纳米级滤膜（孔径0.05-0.2μm）过滤，去除颗粒杂质（如金属离子、灰尘），确保胶液洁净度，避免光刻时产生缺陷。

性能检测

◦ 物理指标：粘度、固含量、表面张力、分子量分布等，影响涂布均匀性。

◦ 化学指标：感光度、分辨率、对比度、耐蚀刻性，通过曝光实验和显影测试验证。

◦ 可靠性：存储稳定性（常温/低温保存下的性能变化）、耐温性（烘烤过程中的抗降解能力）。

包装与储存

◦ 在惰性气体（如氮气）环境下分装至避光容器（如棕色玻璃瓶或铝罐），防止感光剂氧化或光分解。

◦ 储存条件：低温（5-10℃）、避光、干燥，部分产品需零下环境（如EUV光刻胶）。

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