此时表内电压较高。当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。2、场效应管的使用注意事项A）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，比较大漏源电压、比较大栅源电压和比较大电流等参数的极限值。B）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。C）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时比较好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。D）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，有想法的可以来电咨询！苏州高价电子元器件回收处理
一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。③以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。B）检测比较高工作频率fM晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1K的多为高频管。C）检测比较高反向击穿电压VRM对于交流电来说，因为不断变化，因此比较高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，比较高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比比较高反向工作电压高得多（约高一倍）。2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5K～10K，反向电阻值为无穷大。3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为45K左右，反向电阻为无穷大。苏州批量电子元器件回收厂家电子元器件回收，请选择上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎新老客户来电！
场效应管检测方法与经验1、用指针式万用表对场效应管进行判别A）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
驱动电路和输出(负载)电路三部分组成。固体继电器的输入电路是为输入控制信号提供一个回路，使之成为固体继电器的触发信号源。固体继电器的输入电路多为直流输入，个别的为交流输入。直流输入电路又分为阻性输入和恒流输入。阻性输入电路的输入控制电流随输入电压呈线性的正向变化。恒流输入电路，在输入电压达到一定值时，电流不再随电压的升高而明显增大，这种继电器可适用于相当宽的输入电压范围。固体继电器的驱动电路可以包括隔离耦合电路、功能电路和触发电路三部分。隔离耦合电路，目前多采用光电耦合器和高频变压器两种电路形式。常用的光电耦合器有光-三极管、光一双向可控硅、光一二极管阵列(光一伏)等。高频变压器耦合，是在一定的输入电压下，形成约10MHz的自激振荡，通过变压器磁芯将高频信号传递到变压器次级。功能电路可包括检波整流、过零、加速、保护、显示等各种功能电路。触发电路的作用是给输出器件提供触发信号。固体继电器的输出电路是在触发信号的控制下，实现固体继电器的通断切换。输出电路主要由输出器件(芯片)和起瞬态作用的吸收回路组成，有时还包括反馈电路。目前，各种固体继电器使用的输出器件主要有晶体三极管(Transistor)、单向可控硅。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司。
电子元器件基础知识（1）——电阻导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：RT11型普通碳膜电阻电子元器件基础知识（2）——电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。上海海谷电子有限公司致力于电子元器件回收，有想法可以来我司咨询！武汉库存电子元器件回收平台
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静电放电会产生强烈的电磁辐射，形成电磁脉冲。ESD是引发电子元器件失效的主要因素。随着集成电路、MOS电路和表面贴装元器件（SMD）的应用和工艺技术的发展，元器件对静电放电的敏感性增加。虽然静电放电的能量对分立元器件的影响较小，但是对MOS器件的损害是致命性的。除致使元器件失效外，它产生的静电场会造成元器件的“软击穿”，从而给电子产品造成隐患或潜在的故障，直接影响电子产品的质量及可靠性。静电放电可造成静电敏感元器件的功能失效和参数退化。失效的主要机理有热二次击穿、金属镀层融熔、介质击穿、气弧放电、表面击穿、体击穿等。静电对元器件造成的损伤可能是性的，也可能是暂时性的；既可能是突发失效，也可能是潜在失效。如果元器件彻底失效，在生产及品质管理中能够及时察觉并排除，则影响较小，而如果元器件只是轻微受损，在正常测试下则不易发现。另外，在运输途中，摩擦、碰撞、接触带有静电的物体也会产生静电，从而导致元器件受损，这种潜在的和突发的失效更难预防，其损失亦难以预测。静电失效对电子产品的可靠性影响十分普遍，电子产品在设计与使用过程中必须做好静电防护措施。对电子元器件的选用也要考虑防静电要求。苏州高价电子元器件回收处理
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