4)耐压:推荐25V、50V、100V;106(含)以上容值的耐压不大于25V。5)容量:推荐10、22、33、47、68系列。6)材料:推荐NPO、X7R、X5R,其它禁选。7)品牌:推荐YAGEO,其他可选TAIYO(太阳诱电)、MURATA(村田)、KEMET、TEMEX(高Q陶瓷电容)电感选型电感选型时考虑的因素如下:1)体积大小;2)电感值所在工作频率;3)开关频率下的电感值为实际需要的电感值;4)线圈的直流阻抗(DCR)越小越好;5)工作电流应降额至额定饱和电流的,额定rms电流;6)交流阻抗(ESR)越小越好;7)Q因子越大越好;8)屏蔽类型:屏蔽式或非屏蔽式,优先选择屏蔽式。9)工作频率和绕组电压不可降额;10)品牌:贴片电感推荐TDK,MURATA(村田),“三礼”(中国台湾)和“SUMIDA”(胜美达,日本)。二极管选型二极管参数需降额使用,具体参考《GJB/Z35元器件降额准则》。发光二极管:1)发光二极管推荐直径为5mm的插脚型号.贴片发光二极管推荐选用有焊接框架的型号,ESD/MSL等级遵循上述的标准。2)发光二极管推荐有边、短脚的;为了保持公司产品的一致性,红发红、绿发绿等型号推荐,白发红、白发绿等型号慎选;如果没有特殊要求,尽量不要使用长脚、无边的。3)发光二极管推荐品牌为“亿光”。电子元器件回收,请选择上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,有需要可以联系我司哦!河北废弃电子元器件回收行情
由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。运用这种方法时要说明几点:首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆动(电阻值增加)。这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力。第二,此方法对MOS场效应管也适用。但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。第三,每次测量完毕。上海批量电子元器件回收行情电子元器件回收,请选择上海海谷电子有限公司,欢迎客户来电!
表明发光二极管已损坏。万用表选电阻R×1挡。红、黑表笔接输出端,测正、反向电阻,正常时均接近于∞,否则受光管损坏。万用表选电阻R×10挡,红、黑表笔分别接输入、输出端,测发光管与受光管之间的绝缘电阻(有条件应用兆欧表测其绝缘电阻,此时兆欧表输出额定电压应略低于被测光电耦合器所允许的耐压值),发光管与受光管间绝缘电阻正常应为∞。14.光敏电阻的检测检测时将万用表拨到R×lk挡,把光敏电阻的受光面与入射光线保持垂直,于是在万用表上直接测得的电阻就是亮阻。再把光敏电阻置于完全黑暗的场所,这时万用表所测出的电阻就是暗阻。如果亮阻为几千欧至几十千欧,暗阻为几至几十兆欧,说明光敏电阻是好的。15.激光=极管损坏判别拆下激光二极管,测量其阻值,正常情况下反向阻值应为无穷大,正向阻值在20kΩΩ~40kΩ。如果所测的正向阻值已超过50kΩ,说明激光二极管性能已下降;如果其正向阻值已超过90kΩ,说明该管已损坏,不能再使用了。
常见的A/D、D/A器件有8位,10位,12位,14位,16位等。2)速度:应根据输入信号的高频率来确定,保证转换器的转换速率要高于系统要求的采样频率,满足Nyquist采样定理。3)通道:确认A/D转换需要的通道数量,多路采样的模式,并行还是串行。4)数字接口方式:接口有并行/串行之分,串行又有SPI、I2C、SM等多种不同标准。数值编码通常是二进制,也有BCD(二~十进制)、双极性的补码、偏移码等,推荐SPI和I2C接口。5)模拟信号类型:通常AD器件的模拟输入信号都是电压信号,而D/A器件输出的模拟信号有电压和电流两种。6)极性:根据信号是否过零,还分成单极性(Unipolar)和双极性(Bipolar),优先选择单极性芯片。7)电源电压:有单电源,双电源和不同电压范围之分,早期的A/D、D/A器件要有+15V/-15V,如果选用单+5V电源的芯片则可以使用单片机系统电源,推荐5V供电电压。8)量程确认输入信号在A/D芯片的量程范围内,并能充分利用的量程。9)基准电压:有内、外基准和单、双基准之分,优先有内部基准的芯片。10)功耗:一般CMOS工艺的芯片功耗较低,对于电池供电的手持系统对功耗要求比较高的场合一定要注意功耗指标。11)封装:禁止选用DIP封装,只使用贴片封装。12)/保持。上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件回收,欢迎新老客户来电!
7)降额标准参见GJB/Z35《元器件降额准则》。8)工作温度:铝电解电容必须选用工作温度为105度的。9)容值:推荐10、22、47系列;25V以下禁选224、105、475之类容值型号(用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代)。10)极性:对于高压型铝电解电容保留400V。禁选无极性铝电解电容。11)品牌:普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA”(三和),铝电解电容选用NCC(黑金刚)或其他日本明星铝电解电容,或者中国台湾利隆。12)封装:优先选用贴片的铝电解电容。钽电解电容Ø优点:在串联电阻、感抗、对温度的稳定性与铝电解相比优势明显;Ø缺点:工作电压较低。选型规则:1)漏电流要求较高的场合,不选钽电解电容,需选用薄膜电容。2)耐压:降额选用,禁止选用耐压超过35V以上的,、5V系统取16V、12V系统取35V、3)10V、16V、35V为推荐,4V、、50V为禁用(用铝电解电容替代),电源输入级或低阻抗环境使用,推荐降额到,电源输出级及一般应用环境推荐降额。4)封装:插脚式钽电解电容禁选。5)品牌:选择KEMET、AVX。片状多层陶瓷电容1)选用基本原则:低ESR和高的谐振频率,ESR越小越好。2)Q值:高Q值陶瓷电容慎选;只用在射频电路上。3)封装:0603、0805推荐、1206、1210慎选、1808以上禁选。
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