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29 05普陀KrF光刻胶曝光1983年，Joy以PMMA作为模型化合物，利用蒙特卡罗方法计算了EUV光刻的空间分辨率。1989年，Kurihara课题组利用PMMA评测了光学器件，并测试了EUV光对PMMA膜的透过性。1990年，Windt课题组利用14nmEUV光对PMMA光刻胶进行光刻，获得了50nm的线条。2001~2004年，Bokor课题组利用PMMA光刻... 【查看详情】
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29 05华东三氟醋酸三氟乙酸电子级分子量
在三氟乙酸的制备过程中，难免会带入一些杂质，其中一种三氟乙酸的除氟工艺，是向反应釜中加入含氟三氟乙酸和过量的活性氧化铝，其中，三氟乙酸中的含氟杂质与活性氧化铝进行络合反应，所述络合反应生成的氟化铝络合离子吸附在剩余的活性氧化铝表面；除去氟后的三氟乙酸在连续蒸馏出反应釜并冷凝收集，同时向反应釜内连续加入含氟三氟乙酸额活性氧化铝以使反应釜内液... 【查看详情】
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23 05江苏半导体光刻胶显示面板材料
光刻胶的曝光机理很复杂。Ober课题组和Giannelis课题组指出，其中起主导作用的应为配体交换过程。若体系内有光致产酸剂或光自由基引发剂，它们在受到光照后形成新的配体，与金属纳米颗粒表面的配体交换；若不加入光敏剂，光照后纳米颗粒壳层的少量羧酸基团会与纳米颗粒解离，从而改变金属氧化物电荷，使双电层变宽，促使纳米颗粒的聚集。但美国德克萨斯... 【查看详情】
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22 05太仓三氟醋酸三氟乙酸电子级CAS号
三氟乙酸是一种用于医药和农药的中间体。原料之一是氢氟酸。因此，氢氟酸的价格对三氟乙酸的价格有重大影响。另外，工厂使用的设备也必须采取防氟措施。三氟乙酸主要在中国，北美，欧洲和印度消费。中国的公司开始生产TFA。全球范围内有9家主要供应商，包括苏威，Halocarbon，SRF，中化，蓝星，山东兴福，振富新材料，南通宝开和万兴达等。2016... 【查看详情】
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30 04浙江光分解型光刻胶显影
2008年起，日本大阪府立大学的Okamura课题组利用聚对羟基苯乙烯衍生物来构造非化学放大型光刻胶。他们制备了对羟基苯乙烯单元和含有光敏基团的对磺酰胺苯乙烯单元的共聚物，作为光刻胶的主体材料。光照下，光敏剂产生自由基，使对羟基苯乙烯链之间发生交联反应，可作为EUV负性光刻胶使用。随后，他们又在对羟基苯乙烯高分子上修饰烯烃或炔烃基团，体系... 【查看详情】
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29 04
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29 04嘉定半导体光刻胶光引发剂
有研究结果表明，在EUV光照下，某特定光刻胶分子每吸收一个光子可以产生2.1个活性物种，这一效率分别是KrF光刻和ArF光刻的6倍和15倍。由于在光刻胶材料中有二次电子的产生，EUV光刻在机理上与电子束光刻有相近之处。因为商用EUV光刻机价格昂贵，对光刻胶材料研发人员开放的同步辐射EUV干涉线站机时有限，所以近年来，在EUV光刻胶的研发过... 【查看详情】
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29 04江浙沪正性光刻胶单体
光刻胶的两大主要研究小组：杨国强课题组和李嫕课题组，分别设计并制备了双酚A型和螺双芴型的单分子树脂化学放大光刻胶，前者可通过调节离去基团的数量来改变光刻胶的灵敏度，后者则通过螺双芴结构降低材料的结晶性，提高了成膜性性能。两种光刻胶都可以实现小于25nm线宽的光刻线条。随后，杨国强课题组还报道了一种可作为负性光刻胶的双酚A单分子树脂光刻胶，... 【查看详情】
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26 03昆山有机化合物三氟乙酸电子级储存条件
三氟乙酸是一种用于医药和农药的中间体。原料之一是氢氟酸。因此，氢氟酸的价格对三氟乙酸的价格有重大影响。另外，工厂使用的设备也必须采取防氟措施。三氟乙酸主要在中国，北美，欧洲和印度消费。中国的公司开始生产TFA。全球范围内有9家主要供应商，包括苏威，Halocarbon，SRF，中化，蓝星，山东兴福，振富新材料，南通宝开和万兴达等。2016... 【查看详情】
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26 03
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26 12普陀半导体光刻胶树脂
所谓光刻技术，指的是利用光化学反应原理把事先准备在掩模版上的图形转印到一个衬底（晶圆）上，使选择性的刻蚀和离子注入成为可能的过程，是半导体制造业的基础之一。随着半导体制造业的发展，光刻技术从曝光波长上来区分，先后经历了g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm，包括干式和浸没式）和极紫外（EUV，13... 【查看详情】
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26 12昆山光交联型光刻胶单体
EUV光刻胶的基本原理与所有使用其他波长光曝光的光刻胶是相同的，都是在光照后发生光化学反应及热化学反应，主体材料结构改变导致光刻胶溶解度转变，从而可以被部分显影。但与其他波长曝光的光刻工艺相比，EUV光刻也有着诸多的不同。从化学反应机理来看，EUV光刻与前代光刻差异是，引发反应的，不仅有光子，还有由13.5nm软X射线激发出的二次电子。E... 【查看详情】