环化橡胶型光刻胶：属于聚烃类——双叠氮系光刻胶。这种胶是将天然橡胶溶解后，用环化剂环化制备而成的。一般来说，橡胶具有较好的耐腐蚀性，但是它的感光活性很差。橡胶的分子量在数十万以上，因此溶解性甚低，无论在光刻胶的配制还是显影过程中都有很大困难。因此无法直接采用橡胶为原料配制光刻胶。这一类光刻胶的重要组成部分为交联剂，又称架桥剂，可以起到光化学固化作用，依赖于带有双感光性官能团的交联剂参加反应，交联剂曝光后产生双自由基，它和聚烃类树脂相作用，在聚合物分子链之间形成桥键，变为三维结构的不溶性物质。产品纯度、金属离子杂质控制等也是光刻胶生产工艺中需面临的技术难关，光刻胶纯度不足会导致芯片良率下降。嘉定负性光刻胶集成电路材料
浸没光刻和双重光刻技术在不改变 193nm波长ArF光刻光源的前提下，将加工分辨率推向10nm的数量级。与此同时，这两项技术对光刻胶也提出了新的要求。在浸没工艺中；光刻胶首先不能与浸没液体发生化学反应或浸出扩散，损伤光刻胶自身和光刻镜头；其次，光刻胶的折射率必须大于透镜，液体和顶部涂层。因此光刻胶中主体树脂的折射率一般要求达到1.9以上；接着，光刻胶不能在浸没液体的浸泡下和后续的烘烤过程中发生形变，影响加工精度；当浸没工艺目标分辨率接近10nm时，将对于光刻胶多个性能指标的权衡都提出了更加苛刻的挑战。浸没 ArF 光刻胶制备难度大于干性 ArF 光刻胶，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的关键之一。苏州正性光刻胶显影高壁垒和高价值量是光刻胶的典型特征。光刻胶属于技术和资本密集型行业，全球供应市场高度集中。
半导体光刻胶市场中除了美国杜邦，其余四家均为日本企业。其中JSR、TOK的产品可以覆盖所有半导体光刻胶品种，尤其在EUV市场高度垄断。近年来，随着光刻胶的需求攀升，叠加日本减产，光刻胶出现供不应求的局面，部分中小晶圆厂甚至出现了“断供”现象。目前大陆企业在g/i线光刻胶已形成一定规模的销售，光刻胶方面，彤程新材的KrF光刻胶产品已批量供应国内主要12英寸、8英寸晶圆厂，晶瑞电材KrF光刻胶加紧建设中，另有多家企业ArF光刻胶研发顺利进行，其中南大光电ArF产品已通过下游客户验证，有望在未来形成销售。光刻胶保质期通常在6个月以内，无法囤货，一旦断供可能会引起停产的严重局面，由此国产化重要性更加凸显。
受制于国内光刻胶技术发展水平，目前我国前沿光刻胶的自给率仍然保持较低水平。尽管国内光刻胶市场保持良好的增长趋势，但以KrF、ArF光刻胶为主的半导体光刻胶领域国内市场份额仍然较小，前沿光刻胶市场长期为国外巨头所垄断。从技术水平来看，目前中国本土光刻胶的整体技术水平与国际先进水平存在明显差距，且主要集中在技术含量较低的PCB光刻胶领域，而在半导体光刻胶和LCD光刻胶方面自给率较低。具体而言，半导体光刻胶中g线/i线光刻胶国产化率为10%，而ArF/KrF光刻胶的国产化率为1%，对于前沿的EUV光刻胶目前仍处于研发阶段。光刻胶的国产化公关正在展开，在面板屏显光刻胶领域，中国已经出现了一批有竞争力的本土企业。
质量控制技术：由于用户对光刻胶的稳定性、一致性要求高，包括不同批次间的一致性，通常希望对感光灵敏度、膜厚的一致性保持在较高水平，因此，光刻胶生产商不仅要配备齐全的测试仪器，还需要建立一套严格的QA体系以保证产品的质量稳定。原材料技术：光刻胶是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等不同性质的原料，通过不同的排列组合，经过复杂、精密的加工工艺而制成。因此，光刻胶原材料的品质对光刻胶的质量起着关键作用。对于半导体化学化学试剂的纯度，际半导体设备和材料组织（SEMI）制定了国际统一标准。光刻胶达到下游客户要求的技术指标后，还需要进行较长时间验证测试（1-3 年）。江苏负性光刻胶单体
中国半导体光刻胶的快速崛起离不开中国整体半导体产业的发展。嘉定负性光刻胶集成电路材料
目前国内从事半导体光刻胶研发和生产的企业包括晶瑞股份、南大光电、上海新阳、北京科华等。相关企业以i 线、g线光刻胶生产为主，应用集成电路制程为350nm以上。在KrF光刻胶领域，北京科华、博康已实现量产。国内在ArF光刻胶领域产业化进程相对较快的企业为南大光电，其先后承担国家02专项“高分辨率光刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发项目”和“ArF光刻胶产品的开发和产业化项目”，公司自主研发的ArF光刻胶产品成为国内通过客户验证的国产ArF光刻胶，其他国内企业尚处于研发和验证阶段。嘉定负性光刻胶集成电路材料
