美国能源部布鲁克海文国家实验室的研究人员采用原子层沉积（ALD）系统，将有机聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）与氧化铝结合起来，创造了杂化有机-无机光刻胶。他们在将涂有PMMA薄膜的衬底放到ALD反应室中之后，引入了铝前驱物蒸汽。这个蒸汽通过PMMA基质内部的微小分子孔扩散，与聚合物链内部的化学物质结合到一起。然后，他们引入了另一种前驱物（例如水），与前驱物反应形成PMMA基体内部的氧化铝。该杂化光刻胶的蚀刻选择比远远高于ZEP（一种昂贵的光刻胶）和二氧化硅。碳酸甲酯型光刻胶：这种类型的光刻胶在制造高分辨率电路元件方面非常有用。普陀光交联型光刻胶显影
光刻胶的产业链中游：为光刻胶制造环节，当前全球光刻胶生产制造商主要被日本JSR、信越化学、住友化学、东京应化、美国陶氏化学等制造商所垄断，中国本土企业在光刻胶市场的份额较低，与国外光刻胶制造商相比仍存明显差距。
光刻胶的产业链下游：主要涉及半导体、平板显示器、PCB等领域。伴随消费升级、应用终端产品更新迭代速度加快，下游应用领域企业对半导体、平板显示和PCB制造提出愈加精细化的要求，将带动光刻胶行业持续发展。 浦东半导体光刻胶单体光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。
1）增感剂（光引发剂）：是光刻胶的关键成分，对光刻胶的感光度、分辨率起着决定性作用。2）感光树脂（聚合剂）：用于将光刻胶中不同材料聚合在一起，构成光刻胶的骨架，决定光刻胶的硬度、柔韧性、附着力等基本属性。3）溶剂：是光刻胶中比较大成分，目的是使光刻胶处于液态，但溶剂本身对光刻胶的化学性质几乎无影响。4）助剂：通常是专有化合物，主要用来改变光刻胶特定化学性质。根据应用领域，光刻胶可分为半导体光刻胶、LCD光刻胶和PCB光刻胶，其技术壁垒依次降低（半导体光刻胶> LCD光刻胶> PCB光刻胶）。从国产化进程来看，PCB光刻胶目前国产替代进度较快，LCD光刻胶替代进度相对较快，而在半导体光刻胶领域国产技术较国外先进技术差距比较大。
分子玻璃是一种具有较高玻璃化转变温度的单分散小分子有机化合物，其结构为非共面和不规则，能够避免结晶，与产酸剂具有优良的相容性。以分子玻璃为成膜树脂制备的光刻胶能够获得较高的分辨率和较低粗糙度的图形。金属氧化物光刻胶使用金属离子及有机配体构建其主体结构，有机配体中包含光敏基团，借助光敏基团的感光性及其引发的后续反应实现光刻胶所需的性能。从化学组成来看，金属氧化物光刻胶主要为稀土和过渡金属有机化合物。半导体光刻胶的涂敷方法主要是旋转涂胶法，具体可以分为静态旋转法和动态喷洒法。
历史上光刻机所使用的光源波长呈现出与集成电路关键尺寸同步缩小的趋势。不同波长的光刻光源要求截然不同的光刻设备和光刻胶材料。在20世纪80年代，半导体制成的主流工艺尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之间。那时候波长436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期，随着半导体制程工艺尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演进，光刻开始采用365nm波长光源。436nm和365nm光源分别是高压汞灯中能量比较高，波长**短的两个谱线。高压汞灯技术成熟，因此很早被用来当作光刻光源。使用波长短，能量高的光源进行光刻工艺更容易激发光化学反应、提高光刻分别率。以研究光谱而闻名的近代德国科学家约瑟夫·弗劳恩霍夫将这两种波长的光谱分别命名为G线和I线。这也是 g-line光刻和 i-line光刻技术命名的由来。亚甲基双苯醚型光刻胶：这种类型的光刻胶适用于制造精度较低的电路元件。上海光刻胶溶剂
按显示效果分类：光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。普陀光交联型光刻胶显影
随着IC集成度的提高，世界集成电路的制程工艺水平按已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。集成电路线宽不断缩小的趋势，对包括光刻在内的半导体制程工艺提出了新的挑战。在半导体制程的光刻工艺中，集成电路线宽的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式确定：CD=k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成电路制程中的特征尺寸；k1是瑞利常数，是光刻系统中工艺和材料的一个相关系数；λ是曝光波长，而NA(Numerical Aperture)则是指光刻机的孔径数值。因此，光刻机需要通过降低瑞利常数和曝光波长，增大孔径尺寸来制造具有更小特征尺寸的集成电路。其中降低曝光波长与光刻机使用的光源以及光刻胶材料高度相关。普陀光交联型光刻胶显影
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