加强光刻胶的机理研究，对新型光刻胶的设计开发、现有光刻技术的改进都是大有裨益的。另外，基础研究也需要贴合产业发展的实际和需求，如含铁、钴的光刻胶，尽管具有较好的光刻效果，但由于铁、钴等元素在硅基底中扩散速度很快，容易造成器件的污染，基本没有可能投入到产业的应用中去。光刻胶的研发和技术水平，能够影响一个国家半导体工业的健康发展。2019年，日本就曾经通过限制EUV光刻胶出口来制约韩国的芯片生产。因此，唯有加强我国自主的光刻胶研发，随着光刻技术的发展，不断开发出新材料、新配方、新工艺，才能保证我国的半导体工业的快速和健康发展。到2013年国内光刻胶需求总量已达到5700吨，销售额约为17亿元人民币（2.7亿美元）。浙江LCD触摸屏用光刻胶单体
2015年，Brainard课题组设计并制备了一系列金属配合物［RnM（O2CR′）2］，其中R基团可为苯基、2-甲氧基苯基、3-乙烯基苯基等，M可为锑、锡、铋，O2CR′可为丙烯酸根、甲基丙烯酸根、3-乙烯基苯甲酸根等。对上述光刻胶进行电子束光刻，经过对R基团数目、各基团种类的筛选后，得到了灵敏度较高的锑配合物JP-20。JP-20可能发生了双键聚合反应，从而发生溶解度变化。而以锡为中心的配合物，尽管能在22nm分辨率时获得很低的LER（1.4nm以下），但其灵敏度太差，需要剂量高达600mJ·cm−2。浦东LCD触摸屏用光刻胶光引发剂半导体光刻胶的涂敷方法主要是旋转涂胶法，具体可以分为静态旋转法和动态喷洒法。
KrF光刻时期，与ESCAP同期发展起来的还有具有低活化能的酸致脱保护基团的光刻胶，业界通称低活化能胶或低温胶。与ESCAP相比，低活化能胶无需高温后烘，曝光能量宽裕度较高，起初由日本的和光公司和信越公司开发，1993年，IBM公司的Lee等也研发了相同机理的光刻胶KRS系列，商品化版本由日本的JSR公司生产。其结构通常为缩醛基团部分保护的对羟基苯乙烯，反应机理如图12所示。2004年，IBM公司的Wallraff等利用电子束光刻比较了KRS光刻胶和ESCAP在50nm线宽以下的光刻性能，预示了其在EUV光刻中应用的可能性。
全息光刻-单晶硅各向异性湿法刻蚀是制作大高度比硅光栅的一种重要且常用的方法，全息光刻用来产生光刻胶光栅图形，单晶硅各向异性湿法刻蚀将图形转移到硅基底中形成硅光栅。这种方法制作的硅光栅质量非常高，侧壁可以达到原子级光滑，光栅线条的高度比可以高达160。但由于单晶硅各向异性湿法刻蚀在垂直向下刻蚀的同时存在着横向钻蚀，所以要获得大高度比的硅光栅，光刻胶光栅图形的占宽比要足够大，且越大越好。占宽比越大，单晶硅各向异性湿法刻蚀的工艺宽容度越大，成功率越高，光栅质量越好。高壁垒和高价值量是光刻胶的典型特征。光刻胶属于技术和资本密集型行业，全球供应市场高度集中。
三苯基硫鎓盐是常用的EUV光刻胶光致产酸剂，也具有枝状结构。佐治亚理工的Henderson课题组借鉴主体材料键合光敏材料的思路，制备了一种枝状单分子树脂光刻胶TAS-tBoc-Ts。虽然他们原本是想要合成一种化学放大型光刻胶，但根据是否后烘，TAS-tBoc-Ts既可呈现负胶也可呈现正胶性质。曝光后若不后烘，硫鎓盐光解形成硫醚结构，生成的光酸不扩散，不会引发t-Boc的离去；曝光区域不溶于水性显影液，未曝光区域为离子结构，微溶于水性显影液，因而可作为非化学放大型负性光刻胶。曝光后若后烘，硫鎓盐光解产生的酸引发链式反应，t-Boc基团离去露出酚羟基；使用碱性显影液，曝光区域的溶解速率远远大于未曝光区域，因此又可作为化学放大型正性光刻胶。这个工作虽然用DUV光刻和电子束光刻测试了此类光刻胶的光刻性能，但由于EUV光刻机理与电子束光刻的类似性，本工作也为新型EUV光刻胶的设计开辟了新思路。光刻胶是IC制造的重要耗材。江苏LCD触摸屏用光刻胶光致抗蚀剂
1925年，美国柯达公司发现了聚乙烯醇和肉桂酸酯在紫外光下有很强的交联反应并且感光度很高。浙江LCD触摸屏用光刻胶单体
研究人员将金属纳米簇用于EUV光刻时，制备了几种结构为［（RSn）12O14（OH）6］X2（其中R为有机配体，X为羧酸平衡阴离子）的锡氧纳米簇。锡氧纳米簇对EUV光的吸收比有机光刻胶吸收要强，因此可以显著提高光刻胶的灵敏度；此外纳米簇的体积也小于金属氧化物的纳米颗粒，可以获得更高的分辨率、更低的粗糙度。光照下，锡-碳键解离，形成Sn自由基，Sn自由基引发交联反应使纳米簇聚集，使其无法溶解于显影液，从而实现负性光刻。通过改变金属簇的有基配体和平衡阴离子，他们发现光刻灵敏度只与配体的键能相关，而与阴离子的键能无关。光照会同时产生Sn自由基和配体自由基，Sn相对稳定，因此，配体自由基的稳定性影响了反应的进行。此外，尽管阴离子不参与反应，但由于位阻作用，它们依然可以影响金属簇的聚集。这种光刻胶可以获得分辨率为18nm的光刻图形，但灵敏度很差，曝光剂量高达350mJ·cm−2。浙江LCD触摸屏用光刻胶单体
