20世纪七八十年代，我国光刻胶研发水平一直与国外持平。1977年，化学研究所曾出版了我国一部有关光刻胶的专著《光致抗蚀剂：光刻胶》。但随后的1990~2010年，由于缺乏芯片产业的牵引，我国光刻胶研发处于停滞状态。直到2010年后，我国才又开始重新组建光刻胶研发队伍。目前我国的EUV光刻胶主要集中在单分子树脂型和有机-无机杂化型，暂无传统高分子EUV光刻胶的相关工作见诸报道。我国开展EUV光刻胶研究的主要有化学研究所杨国强课题组和理化技术研究所李嫕课题组。光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。彩色光刻胶其他助剂
中国在光刻胶领域十分不利，虽然G线/I线光刻胶已经基本实现进口替代，但高级别光刻胶依然严重依赖进口。KrF/ArF光刻胶自给率不足5%，EUV光刻胶还只是“星星之火”。国产KrF光刻胶已经逐步实现国产替代并正在放量，ArF光刻胶也在逐步验证并实现销售当中，国产光刻胶已经驶入了快车道。随着下游产能的快速增长，国产KrF/ArF光刻胶的需求将会持续提升。众所周知，在半导体装置的制造过程中，用于各种电路的无缝电气连接金属布线随着半导体产品的高集成化、高速化，越来越要求以较小的线宽制作。因此，选择合适的光刻胶是非常重要的，随着金属布线的线宽变小，不单大功率和低压力被用作金属布线形成的蚀刻方法，根据所用光刻胶的特点，去除蚀刻进程中产生的聚合物和光刻胶是非常重要的。浦东正性光刻胶溶剂以分子玻璃为成膜树脂制备的光刻胶能够获得较高的分辨率和较低粗糙度的图形。
有人研究了不同有机配体对此类光刻胶光刻性能的影响。有机配体会影响光刻胶的灵敏度。通过配体交换法，他们制备了反二甲基丙烯酸（DMA）和邻甲基苯甲酸（TA）配体的HfO2、ZrO2体系。其中HfO2-DMA和ZrO2-DMA体系的灵敏度较高，为1.6~2.4mJ·cm−2，可实现20nm线宽的光刻图案。此外，配体的种类还将影响光刻胶的溶解性。Li等报道了不同浓度的不同羧酸与ZrO2或HfO2配合之后的溶解度变化情况，发现不饱和的羧酸配体能获得更大的溶解性差异。
起初应用于 EUV 光刻的光刻胶为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。PMMA曾广泛应用于193nm光刻和电子束光刻工艺中，前者为EUV的前代技术，后者的反应机理与EUV光刻有较多的相似点。PMMA具有较高的透光性和成膜性、较好的黏附性，通常应用为正性光刻胶。在光子的作用下，PMMA发生主链碳-碳键或侧基酯键的断裂，形成小分子化合物于显影液。早在1974年，Thompson等就利用PMMA作为光刻胶，研究了其EUV光刻性能。随后，PMMA成为了重要的工具光刻胶。按照化学结构分类：光刻胶可以分为光聚合型，光分解型，光交联型和化学放大型。
无论是高分子型光刻胶，还是单分子树脂型光刻胶，都难以解决EUV光吸收和抗刻蚀性两大难题。光刻胶对EUV吸收能力的要求曾随着EUV光刻技术的进展而发生改变，而由于EUV光的吸收只与原子有关，因而无论是要透过性更好，还是要吸收更强，只通过纯有机物的分子设计是不够的。若想降低吸收，则需引入低吸收原子；若想提高吸收，则需引入高吸收原子。此外，由于EUV光刻胶膜越来越薄，对光刻胶的抗刻蚀能力要求也越来越高，而无机原子的引入可以增强光刻胶的抗刻蚀能力。于是针对EUV光刻，研发人员设计并制备了一大批有机-无机杂化型光刻胶。这类光刻胶既保留了高分子及单分子树脂光刻胶的设计灵活性和较好的成膜性，又可以调节光刻胶的EUV吸收能力，增强抗刻蚀性。光刻胶所属的微电子化学品是电子行业与化工行业交叉的领域，是典型的技术密集行业。浦东化学放大型光刻胶印刷电路板
光刻胶的国产化公关正在展开，在面板屏显光刻胶领域，中国已经出现了一批有竞争力的本土企业。彩色光刻胶其他助剂
尽管高分子体系一直是前代光刻胶的发展路线，但随着光刻波长进展到EUV阶段，高分子体系的缺点逐渐显露出来。高分子化合物的分子量通常较大，链段容易发生纠缠，因此想要实现高分辨率、低粗糙度的光刻线条，必须降低分子量，从而减少分子体积。随着光刻线条越来越精细，光刻胶的使用者对光刻胶的性能要求也越来越高，其中重要的一条便是光刻胶的质量稳定性。由于高分子合成很难确保分子量分布为1，不同批次合成得到的主体材料都会有不同程度的成分差异，这就使得高分子光刻胶难以低成本地满足关键尺寸均一性等批次稳定性要求。彩色光刻胶其他助剂
