光刻胶研发的目的，是提高光刻的性能。对光刻胶来说，重要的三个指标是表征其关键光刻性能的分辨率、灵敏度和粗糙度。分辨率表征了光刻胶可以得到的小图案尺寸，通常使用光刻特征图形的尺寸，即“关键尺寸”（CD）来表示；灵敏度表示了光刻胶实现曝光、形成图形所需的较小能量；而粗糙度则表征了光刻图案边缘的粗糙程度，通常用线边缘粗糙度（LER）或线宽粗糙度（LWR）来表示。除此之外，光刻胶使用者也会关注图像对比度、工艺窗口、焦深、柯西参数、关键尺寸均一性、抗刻蚀能力等诸多参数。光刻胶的研发，就是要通过材料设计、配方优化和光刻工艺的调整，来提高光刻胶的诸多性能，并在一定程度上相互容忍、协调，达到光刻工艺的要求。我国光刻胶行业起步较晚，生产能力主要集中在 PCB 光刻胶、TN/STN-LCD 光刻胶等中低端产品。上海干膜光刻胶光引发剂
与金属纳米颗粒和纳米簇不同，金属配合物光刻胶中金属元素含量较低，通常情况下每个光刻胶分子内只有一个或几个金属原子。能够作为纳米颗粒和纳米簇配体的分子比较少，可修饰位点较少；而金属原子的配体种类较多，且容易连接活性基团，因此金属配合物光刻胶的设计更为灵活。但是，由于金属原子含量低，所以金属配合物对EUV光的吸收能力、抗刻蚀能力有可能弱于金属纳米颗粒和纳米簇光刻胶。目前已有多种金属元素的配合物被用于光刻胶，如铋、锑、锌、碲、铂、钯、钴、铁和铬等。上海干膜光刻胶光引发剂产品纯度、金属离子杂质控制等也是光刻胶生产工艺中需面临的技术难关，光刻胶纯度不足会导致芯片良率下降。
2014年，印度理工学院曼迪分校的Gonsalves课题组将硫鎓离子连接在高分子侧基上，构造了一系列非化学放大光刻胶。该光刻胶主链为聚甲基丙烯酸甲酯，侧基连接二甲基苯基硫鎓盐作为光敏基团，甲基作为惰性基团，咔唑或苯甲酸作为增黏基团。二甲基苯基硫鎓盐通常用来作为化学放大光刻胶的光致产酸剂，Gonsalves课题组也曾利用此策略构建了化学放大光刻胶体系，研发人员利用EUV光照后硫鎓离子转变为硫醚、从而溶解性发生改变的性质，将其用作非化学放大型负性光刻胶。利用碱性水性显影液可将未曝光区域洗脱，而曝光区域无法洗脱。硫离子对EUV光的吸收比碳和氢要强，因此可获得较高的灵敏度，并可得到20nm线宽、占空比为1∶1的光刻图案。
2018年，相关研究课题小组报道了一系列含有第VIII族元素的六配位型的配合物，配体为联吡啶或草酸。他们研究了联吡啶数量和草酸根数量的多少对光刻胶灵敏度的影响情况。其中含有两个草酸配体、一个联吡啶配体结构的材料具有较高的灵敏度，也可获得分辨率较高的光刻线条。其他配体结构的灵敏度都不如以上配体结构的灵敏度高。EUV光导致草酸根部分分解后，会发生分子间的交联反应。配合物灵敏度与中心金属原子相关，顺序为Cr<Fe<Co，刚好与其对EUV光的吸收能力一致。光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，受到光照后特性会发生改变，主要应用于电子工业和印刷工业领域。
除了单分子树脂光刻胶以外，两个课题组也针对有机-无机杂化型光刻胶开展了研究。杨国强课题组以金属Zn、Fe等作为主要材料，设计了金属卟啉型和金属二茂型光刻胶。该结构将金属和酸敏保护基团融合在一起，同时具备EUV吸收能力强和酸放大的优势，以期解决无机金属配合物光刻胶灵敏度差的问题。李嫕课题组则开发了一系列二氧化铈等金属氧化物纳米颗粒光刻胶。制造工艺，经历了几十年的历史，这期间EUV光刻胶也在不断发展，从20世纪70年代的PMMA，到如今的多种材料研发。然而，由于EUV光子能量很高，EUV研究设备价格昂贵，即便在EUV光刻胶已经在商业使用，尚有诸多科学与技术问题有待解决。一旦达成合作，光刻胶厂商和下游集成电路制造商会形成长期合作关系。嘉定TFT-LCD正性光刻胶光引发剂
光刻胶所属的微电子化学品是电子行业与化工行业交叉的领域，是典型的技术密集行业。上海干膜光刻胶光引发剂
2005年，研究人员利用美国光源的高数值孔径微观曝光工具评价了RohmandHaas公司研发的新型ESCAP光刻胶MET-1K，并将其与先前的EUV-2D光刻胶相比较。与EUV-2D相比，MET-1K添加了更多的防酸扩散剂。使用0.3NA的EUV曝光工具，在90~50nm区间，EUV-2D和MET-1K的图形质量都比较好；但当线宽小于50nm时，EUV-2D出现明显的线条坍塌现象，而MET-1K则直到35nm线宽都能保持线条完整。在45nm线宽时，MET-1K仍能获得较好的粗糙度，LER达到6.3nm。可见MET-1K的光刻性能要优于EUV-2D。从此，MET-1K逐渐代替EUV-2D，成为新的EUV光刻设备测试用光刻胶。上海干膜光刻胶光引发剂
