20世纪七八十年代，我国光刻胶研发水平一直与国外持平。1977年，化学研究所曾出版了我国一部有关光刻胶的专著《光致抗蚀剂：光刻胶》。但随后的1990~2010年，由于缺乏芯片产业的牵引，我国光刻胶研发处于停滞状态。直到2010年后，我国才又开始重新组建光刻胶研发队伍。目前我国的EUV光刻胶主要集中在单分子树脂型和有机-无机杂化型，暂无传统高分子EUV光刻胶的相关工作见诸报道。我国开展EUV光刻胶研究的主要有化学研究所杨国强课题组和理化技术研究所李嫕课题组。氧化物型光刻胶：这种类型的光刻胶由氧化硅或其他窄带隙材料制成。在制造高质量微电子设备时非常有用。普陀化学放大型光刻胶
在Shirota等的工作基础之上，2005年起，美国康奈尔大学的Ober课题组将非平面树枝状连接酸敏基团的策略进一步发展，设计并合成了一系列用于EUV光刻的单分子树脂光刻胶，这些光刻胶分子不再局限于三苯基取代主要，具有更复杂的枝状拓扑结构。三级碳原子的引入使其更不易形成晶体，有助于成膜性能的提高；更复杂的拓扑结构，也便于在分子中设置数量不同的酸敏基团，有利于调节光刻胶的灵敏度。他们研究了后烘温度、显影剂浓度等过程对单分子树脂材料膨胀行为的影响，获得20nm分辨率的EUV光刻线条，另外，他们也研究了利用超临界CO2作为显影剂的可能性。苏州光刻胶光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，受到光照后特性会发生改变，主要应用于电子工业和印刷工业领域。
2005 年起，Gonsalves 课题组将阳离子基团（硫鎓盐等）修饰的甲基丙烯酸酯与其他光刻胶单体共聚，制备了一系列侧基连接光致产酸剂的光刻胶，聚合物中金刚烷基团的引入可以有效提升抗刻蚀性。这类材料与主体材料和产酸剂简单共混的配方相比，呈现出更高的灵敏度和对比度。2009年起，Thackeray等则将阴离子基团连接在高分子主链上，通过EUV曝光可以得到的光刻图形分辨率为22nm光刻图形，其对应的灵敏度和线边缘粗糙度分别为12mJ·cm−2和4.2nm。2011年，日本富士胶片的Tamaoki等也报道了一系列对羟基苯乙烯型主链键合光致产酸剂的高分子光刻胶，并研究了不同产酸剂基团、高分子组成对分辨率、灵敏度和粗糙度的影响，最高分辨率可达17.5nm。
所谓光刻技术，指的是利用光化学反应原理把事先准备在掩模版上的图形转印到一个衬底（晶圆）上，使选择性的刻蚀和离子注入成为可能的过程，是半导体制造业的基础之一。随着半导体制造业的发展，光刻技术从曝光波长上来区分，先后经历了g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm，包括干式和浸没式）和极紫外（EUV，13.5nm）光刻。对应于不同的曝光波长，所使用的光刻胶也得到了不断的发展。目前7nm和5nm技术节点已经到来，根据各个技术的芯片制造企业公告，EUV光刻技术已正式导入集成电路制造工艺。在每一代的光刻技术中，光刻胶都是实现光刻过程的关键材料之一。国内光刻胶市场增速远高于全球，国内企业投入加大，未来有望实现技术赶超。
正性光刻胶，树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ 是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ 在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在 DNQ 中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。光刻胶通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。昆山光刻胶显影
根据应用领域不同，光刻胶可分为 PCB 光刻胶、LCD 光刻胶和半导体光刻胶，技术门槛逐渐递增。普陀化学放大型光刻胶
非常常见的单分子树脂化合物的分子拓扑结构有枝状（或星形）、环状（包括梯形）、螺环状以及四面体结构等等。其主要结构通常为具有非对称、非平面的组分。对于化学放大光刻胶，芳香环上会连有酸敏离去基团保护的酸性官能团。非对称、非平面结构可以防止体系因π-π堆积而结晶，芳香环的刚性可以确保光刻胶具有较好的热稳定性、玻璃化转变温度和抗刻蚀性，酸敏可离去基团则可在光酸的作用下使酸性官能团裸露出来，实现溶解性的改变。普陀化学放大型光刻胶
