企业商机

辽宁油性光刻胶国产厂家

工艺流程 • 目的：去除基板表面油污、颗粒，增强感光胶附着力。 • 方法： ...

光刻胶基本参数

品牌
吉田半导体
型号
型号齐全

光刻胶企业商机

工艺流程

• 目的：去除基板表面油污、颗粒，增强感光胶附着力。

• 方法：

◦ 化学清洗（硫酸/双氧水、去离子水）；

◦ 表面处理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化处理）。

涂布（Coating）

• 方式：

◦ 旋涂：半导体/显示领域，厚度控制精确（纳米至微米级），转速500-5000rpm；

◦ 喷涂/辊涂：PCB/MEMS领域，适合大面积或厚胶（微米至百微米级，如负性胶可达100μm）。

• 关键参数：胶液黏度、涂布速度、基板温度（影响厚度均匀性）。

前烘（Soft Bake）

• 目的：挥发溶剂，固化胶膜，增强附着力和稳定性。

• 条件：

◦ 温度：60-120℃（正性胶通常更低，如90℃；负性胶可至100℃以上）；

◦ 时间：5-30分钟（根据胶厚调整，厚胶需更长时间）。

曝光（Exposure）

• 光源：

◦ 紫外光（UV）：G线（436nm）、I线（365nm）用于传统光刻（分辨率≥1μm）；

◦ 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半导体先进制程（分辨率至20nm）；

◦ 极紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性胶适用）。

• 曝光方式：

◦ 接触式/接近式：掩膜版与胶膜直接接触（PCB、MEMS，低成本但精度低）；

◦ 投影式：通过物镜聚焦（半导体，分辨率高，如ArF光刻机精度达22nm）。

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研发投入的“高门槛”

一款KrF光刻胶的研发费用约2亿元，而国际巨头年研发投入超10亿美元。国内企业如彤程新材2024年半导体光刻胶业务营收只5.4亿元，研发投入占比不足15%，难以支撑长期技术攻关。

2. 价格竞争的“双重挤压”

国内PCB光刻胶价格较国际低30%，但半导体光刻胶因性能差距，价格为进口产品的70%，而成本却高出20%。例如，国产ArF光刻胶售价约150万元/吨，而日本同类产品为120万元/吨，且性能更优。

突破路径与未来展望

原材料国产化攻坚：聚焦树脂单体合成、光酸纯化等关键环节，推动八亿时空、怡达股份等企业实现百吨级量产。

技术路线创新：探索金属氧化物基光刻胶、电子束光刻胶等新方向，华中科技大学团队已实现5nm线宽原型验证。

产业链协同创新：借鉴“TSMC-供应商”模式，推动晶圆厂与光刻胶企业共建联合实验室，缩短认证周期。

政策与资本双轮驱动：依托国家大基金三期，对通过验证的企业给予设备采购补贴（30%），并设立专项基金支持EUV光刻胶研发。

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吉田半导体厚板光刻胶 JT-3001：国产技术助力 PCB 行业升级

JT-3001 厚板光刻胶支持 500nm/min 深蚀刻，成为国产 PCB 电路板制造推荐材料。
吉田半导体自主研发的 JT-3001 厚板光刻胶，分辨率 1.5μm，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，适用于高密度 PCB 制造。其无卤无铅配方通过欧盟 RoHS 认证，已应用于华为 5G 基站主板量产。产品采用国产原材料与全自动化工艺，批次稳定性达 99.5%，帮助客户提升生产效率 20%，加速国产 PCB 行业技术升级，推动 PCB 行业国产化进程。

技术验证周期长

半导体光刻胶的客户验证周期通常为2-3年，需经历PRS（性能测试）、STR（小试）、MSTR（批量验证）等阶段。南大光电的ArF光刻胶自2021年启动验证，预计2025年才能进入稳定供货阶段。

原材料依赖仍存

树脂和光酸仍依赖进口，如KrF光刻胶树脂的单体国产化率不足10%。国内企业需在“吸附—重结晶—过滤—干燥”耦合工艺等关键技术上持续突破。

未来技术路线

◦ 金属氧化物基光刻胶：氧化锌、氧化锡等材料在EUV光刻中展现出更高分辨率和稳定性，清华大学团队已实现5nm线宽的原型验证。

◦ 电子束光刻胶：中科院微电子所开发的聚酰亚胺基电子束光刻胶，分辨率达1nm，适用于量子芯片制造。

◦ AI驱动材料设计：华为与中科院合作，利用机器学习优化光刻胶配方，研发周期缩短50%。

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广东吉田半导体材料有限公司以光刻胶为中心，逐步拓展至半导体全材料领域，形成了 “技术驱动、全产业链覆盖” 的发展格局。公司产品不仅包括芯片与 LCD 光刻胶，还延伸至锡膏、焊片、靶材等配套材料，为客户提供一站式采购服务。

市场与荣誉：

产品远销全球 50 多个地区，客户包括电子制造服务商（EMS）及半导体厂商。
获评 “广东省专精特新企业”“广东省创新型中小企业”，并通过技术企业认证。
生产基地配备自动化设备，年产能超千吨，满足大规模订单需求。

未来展望：
公司计划进一步扩大研发中心规模，聚焦第三代半导体材料研发，如 GaN、SiC 相关光刻胶技术。同时，深化全球化布局，在东南亚、欧洲等地设立分支机构，强化本地化服务能力。

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吉田半导体突破 ArF 光刻胶技术壁垒，国产替代再迎新进展

自主研发 ArF 光刻胶通过中芯国际验证，吉田半导体填补国内光刻胶空白。
吉田半导体成功研发出 AT-450 ArF 光刻胶，分辨率达 90nm，适用于 14nm 及以上制程，已通过中芯国际量产验证。该产品采用国产原材料与自主配方，突破日本企业对 ArF 光刻胶的垄断。其光酸产率提升 30%，蚀刻选择比达 4:1，性能对标日本信越的 ArF 系列。吉田半导体的技术突破加速了国产芯片制造材料自主化进程，为国内晶圆厂提供高性价比解决方案。

辽宁油性光刻胶国产厂家

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