吉田半导体 SU-3 负性光刻胶:国产技术赋能 5G 芯片封装
自主研发 SU-3 负性光刻胶支持 3 微米厚膜加工,成为 5G 芯片高密度封装材料。
针对 5G 芯片封装需求,吉田半导体自主研发 SU-3 负性光刻胶,分辨率达 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min。其超高感光度与耐化学性确保复杂图形的完整性,已应用于高通 5G 基带芯片量产。产品采用国产原材料与工艺,不采用国外材料,成本较进口产品降低 40%,帮助客户提升封装良率至 98.5%,为国产 5G 芯片制造提供关键材料支撑。
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绿色制造与循环经济
公司采用水性光刻胶技术,溶剂挥发量较传统产品降低60%,符合欧盟REACH法规和国内环保标准。同时,其光刻胶废液回收项目已投产,通过膜分离+精馏技术实现90%溶剂循环利用,年减排VOCs(挥发性有机物)超100吨。
低碳供应链管理
吉田半导体与上游供应商合作开发生物基树脂,部分产品采用可再生原料(如植物基丙烯酸酯),碳排放强度较传统工艺降低30%。这一举措使其在光伏电池和新能源汽车领域获得客户青睐,相关订单占比从2022年的15%提升至2023年的25%。
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关键应用领域
半导体制造:
◦ 在晶圆表面涂覆光刻胶,通过掩膜曝光、显影,刻蚀出晶体管、电路等纳米级结构(如EUV光刻胶用于7nm以下制程)。
印刷电路板(PCB):
◦ 保护电路图形或作为蚀刻抗蚀层,制作线路和焊盘。
显示面板(LCD/OLED):
◦ 用于制备彩色滤光片、电极图案等。
微机电系统(MEMS):
◦ 加工微结构(如传感器、执行器)。
工作原理(以正性胶为例)
1. 涂胶:在基材(如硅片)表面均匀旋涂光刻胶,烘干形成薄膜。
2. 曝光:通过掩膜版,用特定波长光线照射,曝光区域的光敏剂分解,使树脂变得易溶于显影液。
3. 显影:用显影液溶解曝光区域,留下未曝光的光刻胶图案,作为后续刻蚀或离子注入的掩蔽层。
4. 后续工艺:刻蚀基材(保留未被光刻胶保护的区域),或去除光刻胶(剥离工艺)。
企业定位与资质
◦ 成立背景:深耕半导体材料行业23年,位于松山湖经济技术开发区,注册资本2000万元,是国家高新技术企业、广东省专精特新企业及广东省创新型中小企业。
◦ 质量体系:通过ISO9001:2008认证,严格执行8S现场管理,原材料源自美国、德国、日本等国,确保产品稳定性。
◦ 市场布局:产品远销全球,与世界500强企业及多家电子加工企业建立长期合作关系,覆盖集成电路、显示面板、先进封装等领域。
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企业优势
◦ 研发能力:拥有多项专利证书,自主研发芯片光刻胶、纳米压印光刻胶等产品,配备全自动化生产设备,具备从材料合成到成品制造的全流程能力。
◦ 产能与品控:采用进口原材料和严格制程管控,确保金属杂质含量低于行业标准(如半导体光刻胶金属杂质<5ppb),良率达99%以上。
LCD显示
• 彩色滤光片(CF):
◦ 黑色矩阵(BM)光刻胶:隔离像素,线宽精度±2μm,透光率<0.1%。
◦ RGB色阻光刻胶:形成红/绿/蓝像素,需高色纯度(NTSC≥95%)和耐光性。
• 阵列基板(Array):
◦ 栅极绝缘层光刻胶:用于TFT-LCD的栅极图案化,分辨率≤3μm。
OLED显示(柔性/刚性)
• 像素定义层(PDL)光刻胶:在基板上形成有机发光材料的 confinement 结构,线宽精度±1μm,需耐溶剂侵蚀(适应蒸镀工艺)。
• 触控电极(如ITO/PET):通过光刻胶图形化实现透明导电线路,线宽≤5μm。
Mini/Micro LED
• 巨量转移前的芯片制备:使用高分辨率光刻胶(分辨率≤5μm)定义微米级LED阵列,良率要求>99.99%。
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吉田半导体:以技术革新驱动光刻胶产业升级。辽宁正性光刻胶品牌
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。
厚板光刻胶:JT-3001 型号,具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺,如特定电路板制造。
负性光刻胶
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SU-3 负性光刻胶:分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
正性光刻胶
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LCD 正性光刻胶 YK-200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,确保 LCD 生产中图形精确转移和良好涂布效果。
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半导体正性光刻胶 YK-300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。