用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。3、双向可控硅的检测用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，欢迎客户来电！无锡电子元器件回收平台
再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几，反向电阻仍为无穷大。4、检测双向触发二极管将万用表置于R×1K挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。将VBO与VBR进行比较，两者的值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。5、瞬态电压二极管(TVS)的检测用万用表R×1K挡测量管子的好坏，对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4KΩ左右，反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。6、高频变阻二极管的检测A）识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。
电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件，设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的。因此正确检测电子元器件就显得尤其重要，这也是电子维修人员必须掌握的技能。1．测整流电桥各脚的极性万用表置R×1k挡，黑表笔接桥堆的任意引脚，红表笔先后测其余三只脚，如果读数均为无穷大，则黑表笔所接为桥堆的输出正极，如果读数为4～10k，则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极，其余的两引脚为桥堆的交流输入端。2．判断晶振的好坏先用万用表(R×10k挡)测晶振两端的电阻值，若为无穷大，说明晶振无短路或漏电；再将试电笔插人市电插孔内，用手指捏住晶振的任一引脚，将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分，若试电笔氖泡发红，说明晶振是好的；若氖泡不亮，则说明晶振损坏。3．单向晶闸管检测晶闸管共有3个PN结，我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极(C)之间的电阻时，如果正、反向电阻均为零或无穷大，表明控制极短路或断路；测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时，正、反向电阻读数均应很大；测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时，正、反向电阻都应很大。可用万用表的R×lk或R×100挡测量任意两极之间的正、反向电阻。
⑤元器件的质量等级包括质量保证等级和失效等级。选型时应根据整机的可靠性要求和元器件保证大纲要求，选择元器件的质量保证等级，在保证整机可靠性的前提下，同时满足整机经济性的要求。⑥对于某些继承和冻结技术状态的**及航天产品，不能由于冻结技术状态而长期使用技术落后、质量保证等级低甚至存在可靠性隐患的元器件。应在充分验证的前提下，积极选用技术先进、高可靠的元器件替代技术落后、质量保证等级低的元器件。三、电子元器件工艺选型要求目前，普遍使用的电子元器件从结构上可以分为有引线电子元器件和无引线电子元器件两种，安装方式多为表面。贴装、通孔插装、压接安装、螺纹连接和胶接。选用元器件时，应结合产品的结构特点，综合考虑元器件的装联方式、布局密度、组装厂的工艺和设备、元器件的可测试性、可更换性、可获得性、电磁兼容性等。此外，元器件本身的封装特点，包括引线间距、引线可焊性、耐受温度和压力的能力等也是工艺选型时应当注意的因素。元器件的尺寸要求与所选用的安装方式和工艺能力有关，同样的元器件尺寸，在不同安装方式与工艺能力下的可接受标准可能差距很大。元器件尺寸的工艺选型要求主要包括以下几个方面。。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，有想法可以来我司咨询！
常见的A/D、D/A器件有8位，10位，12位，14位，16位等。2)速度：应根据输入信号的高频率来确定，保证转换器的转换速率要高于系统要求的采样频率，满足Nyquist采样定理。3)通道：确认A/D转换需要的通道数量，多路采样的模式，并行还是串行。4)数字接口方式：接口有并行/串行之分，串行又有SPI、I2C、SM等多种不同标准。数值编码通常是二进制，也有BCD（二~十进制）、双极性的补码、偏移码等，推荐SPI和I2C接口。5)模拟信号类型：通常AD器件的模拟输入信号都是电压信号，而D/A器件输出的模拟信号有电压和电流两种。6)极性：根据信号是否过零，还分成单极性（Unipolar）和双极性（Bipolar），优先选择单极性芯片。7)电源电压：有单电源，双电源和不同电压范围之分，早期的A/D、D/A器件要有+15V/-15V，如果选用单+5V电源的芯片则可以使用单片机系统电源，推荐5V供电电压。8)量程确认输入信号在A/D芯片的量程范围内，并能充分利用的量程。9)基准电压：有内、外基准和单、双基准之分，优先有内部基准的芯片。10)功耗：一般CMOS工艺的芯片功耗较低，对于电池供电的手持系统对功耗要求比较高的场合一定要注意功耗指标。11)封装：禁止选用DIP封装，只使用贴片封装。12)/保持。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司。淮安批量电子元器件回收联系方式
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7)降额标准参见GJB/Z35《元器件降额准则》。8)工作温度：铝电解电容必须选用工作温度为105度的。9)容值：推荐10、22、47系列；25V以下禁选224、105、475之类容值型号（用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代）。10)极性：对于高压型铝电解电容保留400V。禁选无极性铝电解电容。11)品牌：普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA”（三和），铝电解电容选用NCC（黑金刚）或其他日本明星铝电解电容，或者中国台湾利隆。12)封装：优先选用贴片的铝电解电容。钽电解电容Ø优点：在串联电阻、感抗、对温度的稳定性与铝电解相比优势明显；Ø缺点：工作电压较低。选型规则：1)漏电流要求较高的场合，不选钽电解电容，需选用薄膜电容。2)耐压：降额选用，禁止选用耐压超过35V以上的，、5V系统取16V、12V系统取35V、3)10V、16V、35V为推荐，4V、、50V为禁用（用铝电解电容替代），电源输入级或低阻抗环境使用，推荐降额到，电源输出级及一般应用环境推荐降额。4)封装：插脚式钽电解电容禁选。5)品牌：选择KEMET、AVX。片状多层陶瓷电容1)选用基本原则：低ESR和高的谐振频率，ESR越小越好。2)Q值：高Q值陶瓷电容慎选；只用在射频电路上。3)封装：0603、0805推荐、1206、1210慎选、1808以上禁选。
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