元器件包装要求1．贴片元器件的包装要求（1）一般片式阻容类元器件推荐编带包装元器件，可选托盘包装元器件，不推荐选用管装和散装元器件。（2）IC芯片类元器件推荐编带包装元器件，可选托盘包装元器件，不推荐选用管装和散装元器件。（3）存储器类IC元器件推荐托盘包装元器件，不推荐管装和编带包装元器件。（4）**航天散料片式表面贴装元器件应放入防静电袋中，IC芯片应放入**的托盘或**的带有减振防护功能的防静电盒中。（5）覆盖带①应确保其密封良好，覆盖带不能存在任何空洞和裂纹。②覆盖带应居于卷带**位置，不能发生明显移位，严禁覆盖带因为位置偏移或尺寸过大而遮住圆形齿轮孔的任何部分。③覆盖带应保证自身具有足够的抗拉强度，对于8mm卷带宽度的覆盖带，抗拉强度应不小于700g，对于12～32mm卷带宽度的覆盖带，抗拉强度应不小于1000g，对于44mm卷带宽度的覆盖带，抗拉强度应不小于1300g。④覆盖带与卷带应保持合适的剥离强度，任何情况下覆盖带与卷带的小剥离力不能小于10g，以保证在正常的运输、存储及生产过程中元器件不会脱离卷带。（6）卷带①对于8mm的卷带，大剥离力应小于100g，对于12～56mm的卷带，大剥离力应小于130g，对于72mm及以上的卷带。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，有想法可以来我司咨询！常州高价电子元器件回收中心
4)耐压：推荐25V、50V、100V；106（含）以上容值的耐压不大于25V。5)容量：推荐10、22、33、47、68系列。6)材料：推荐NPO、X7R、X5R，其它禁选。7)品牌：推荐YAGEO，其他可选TAIYO（太阳诱电）、MURATA（村田）、KEMET、TEMEX（高Q陶瓷电容）电感选型电感选型时考虑的因素如下：1)体积大小；2)电感值所在工作频率；3)开关频率下的电感值为实际需要的电感值；4)线圈的直流阻抗(DCR)越小越好；5)工作电流应降额至额定饱和电流的，额定rms电流；6)交流阻抗(ESR)越小越好；7)Q因子越大越好；8)屏蔽类型：屏蔽式或非屏蔽式，优先选择屏蔽式。9)工作频率和绕组电压不可降额；10)品牌：贴片电感推荐TDK，MURATA(村田),“三礼”（中国台湾）和“SUMIDA”（胜美达，日本）。二极管选型二极管参数需降额使用，具体参考《GJB/Z35元器件降额准则》。发光二极管：1)发光二极管推荐直径为5mm的插脚型号.贴片发光二极管推荐选用有焊接框架的型号，ESD/MSL等级遵循上述的标准。2)发光二极管推荐有边、短脚的；为了保持公司产品的一致性，红发红、绿发绿等型号推荐，白发红、白发绿等型号慎选；如果没有特殊要求，尽量不要使用长脚、无边的。3)发光二极管推荐品牌为“亿光”。广州高价电子元器件回收价格上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件回收，有想法的可以来电咨询！
用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。3、双向可控硅的检测用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转。
焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。E）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。3、VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不*继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（μA左右），还具有耐压高（比较高1200V）、工作电流大（～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，有需求可以来电咨询！
三极管都已经安装在线路板上，要每只拆下来测里实在是一件麻烦事，并且很容易损坏电路板，根据实际维修，本人总结出一种在电路上带电测里三极管工作状态来判断故障所在的方法，供大家参考:八、场效应晶体管放大器1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被应用于各种电子设备中。尤其用场效管故整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是-样的。如图1-1-1是两种型号的表示符号:3、场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。(2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶本管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了的应用。九。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，欢迎客户来电！淮安库存电子元器件回收联系方式
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10.假负载—在测试开关电源性能指标时临时接的负载(如电阻丝、水泥电阻)。11.滤波电阻—用作LC型滤波器、RC型滤波器、π型滤波器中的滤波电阻。12.偏置电阻—给开关电源的控制端提供偏压，或用来稳定晶体管的工作点。13.保护电阻—常用于RC型吸收回路或VD、R、C型钳位保护电路中。14.频率补偿电阻—例如构成误差放大器的RC型频率补偿网络。15.阻尼电阻—防止电路中出现谐振。二、电容器1.滤波电容—构成输入滤波器、输出滤波器等。2.耦合电容—亦称隔直电容，其作用时隔断直流信号，只让交流信号通过。3.退藕电容—例如电源退藕电容，可防止产生自激振荡。4.软启动电容—构成软启动电路，在软启动过程中使输出电压和输出电流缓慢地建立起来。5.补偿电容—构成RC型频率补偿网络。6.加速电容—用于提高晶体管的开关速度。7.振荡电容—可构成RC型、LC型振荡器。8.微分电容—构成微分电路，获得尖脉冲。9.自举电容—用于提升输入级的电源电压，亦可构成电压前馈电路。10.延时电容—与电阻构成RC型延时电路。11.储能电容—例如极性反转式DC/DC变换器中的泵电容。12.移相电容—构成移相电路。13.倍压电容—与二极管构成倍压整流电路。14.消噪电容—用于滤除电路中的噪声干扰。常州高价电子元器件回收中心
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