10.假负载—在测试开关电源性能指标时临时接的负载(如电阻丝、水泥电阻)。11.滤波电阻—用作LC型滤波器、RC型滤波器、π型滤波器中的滤波电阻。12.偏置电阻—给开关电源的控制端提供偏压，或用来稳定晶体管的工作点。13.保护电阻—常用于RC型吸收回路或VD、R、C型钳位保护电路中。14.频率补偿电阻—例如构成误差放大器的RC型频率补偿网络。15.阻尼电阻—防止电路中出现谐振。二、电容器1.滤波电容—构成输入滤波器、输出滤波器等。2.耦合电容—亦称隔直电容，其作用时隔断直流信号，只让交流信号通过。3.退藕电容—例如电源退藕电容，可防止产生自激振荡。4.软启动电容—构成软启动电路，在软启动过程中使输出电压和输出电流缓慢地建立起来。5.补偿电容—构成RC型频率补偿网络。6.加速电容—用于提高晶体管的开关速度。7.振荡电容—可构成RC型、LC型振荡器。8.微分电容—构成微分电路，获得尖脉冲。9.自举电容—用于提升输入级的电源电压，亦可构成电压前馈电路。10.延时电容—与电阻构成RC型延时电路。11.储能电容—例如极性反转式DC/DC变换器中的泵电容。12.移相电容—构成移相电路。13.倍压电容—与二极管构成倍压整流电路。14.消噪电容—用于滤除电路中的噪声干扰。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收。江苏废弃电子元器件回收中心
7)降额标准参见GJB/Z35《元器件降额准则》。8)工作温度：铝电解电容必须选用工作温度为105度的。9)容值：推荐10、22、47系列；25V以下禁选224、105、475之类容值型号（用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代）。10)极性：对于高压型铝电解电容保留400V。禁选无极性铝电解电容。11)品牌：普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA”（三和），铝电解电容选用NCC（黑金刚）或其他日本明星铝电解电容，或者中国台湾利隆。12)封装：优先选用贴片的铝电解电容。钽电解电容Ø优点：在串联电阻、感抗、对温度的稳定性与铝电解相比优势明显；Ø缺点：工作电压较低。选型规则：1)漏电流要求较高的场合，不选钽电解电容，需选用薄膜电容。2)耐压：降额选用，禁止选用耐压超过35V以上的，、5V系统取16V、12V系统取35V、3)10V、16V、35V为推荐，4V、、50V为禁用（用铝电解电容替代），电源输入级或低阻抗环境使用，推荐降额到，电源输出级及一般应用环境推荐降额。4)封装：插脚式钽电解电容禁选。5)品牌：选择KEMET、AVX。片状多层陶瓷电容1)选用基本原则：低ESR和高的谐振频率，ESR越小越好。2)Q值：高Q值陶瓷电容慎选；只用在射频电路上。3)封装：0603、0805推荐、1206、1210慎选、1808以上禁选。
模拟集成电路的主要构成电路有：放大器、滤波器、反馈电路、基准源电路、开关电容电路等。模拟集成电路设计主要是通过有经验的设计师进行手动的电路调试，模拟而得到，与此相对应的数字集成电路设计大部分是通过使用硬件描述语言在EDA软件的控制下自动的综合产生。数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元、器件数量，可将数字集成电路分为小规模集成(SSI)电路、中规模集成(MSI)电路、大规模集成(LSI)电路、超大规模集成VLSI电路和特大规模集成ULSI)电路。小规模集成电路包含的门电路在10个以内，或元器件数不超过100个；中规模集成电路包含的门电路在10-100个之间，或元器件数在100-1000个之间；大规模集成电路包含的门电路在100个以上，或元器件数在10-10个之间；超大规模集成电路包含的门电路在1万个以上，或元器件数在10-10之间；特大规模集成电路的元器件数在10-10之间。它包括：基本逻辑门、触发器、寄存器、译码器、驱动器、计数器、整形电路、可编程逻辑器件、微处理器、单片机、DSP等。
应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。D）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。E）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司，欢迎您的来电哦！
无铅焊接的峰值会更高（245℃左右），在高温作用下，元器件内部的水分会快速转变为热蒸汽，气压的突变将导致封装体快速膨胀，膨胀的程度与封装材料成分、实际吸收的湿气量、加热温度、加热速度及封装体厚度等因素有关。当膨胀压力引起的变形达到一定程度后，构成元器件的不同材料之间的配合会失去调节，各种连接会产生不良变化，进而导致元器件剥离分层或爆裂（通常称作“爆米花”现象），元器件的电气性能受到影响或破坏。与静电敏感器件ESD的失效一样，大多数情况下，对于湿度敏感元器件MSD的失效，通过肉眼是很难察觉的，有时甚至在测试过程中也不能完全发现。这种失效会作为可靠性隐患长期存在于电子产品中，一旦遇到外部条件变化，随时可能爆发。事实上，湿度因素对电子组装生产直通率和产品可靠性的影响不亚于静电因素和温度因素。为减小潮湿影响，电子产品的生产和存储环境湿度都应该在40%以下，有些品种还要求湿度更低。表10给出了不同阶段，潮湿对不同类型元器件的影响（推荐）。表10潮湿对不同类型元器件的影响（推荐）2．湿度敏感元器件的概念和分级湿度敏感元器件（MSD）是指因吸收空中的水汽而导致功能丧失或可靠性降低的元器件。根据标准。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，有想法的可以来电咨询！江苏废弃电子元器件回收中心
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一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。③以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。B）检测比较高工作频率fM晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1K的多为高频管。C）检测比较高反向击穿电压VRM对于交流电来说，因为不断变化，因此比较高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，比较高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比比较高反向工作电压高得多（约高一倍）。2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5K～10K，反向电阻值为无穷大。3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为45K左右，反向电阻为无穷大。江苏废弃电子元器件回收中心
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