发光二极管(LED)是一种能将电能直接转化为光能的半导体器件。当正向电流通过LED时,电子与空穴复合释放能量,以光子形式发光。LED具有高效、长寿、低功耗等优点,广泛应用于照明(如LED灯泡)、显示屏(手机、电视)、指示灯(电源、信号状态)等领域。此外,不同材料制成的LED可发出不同颜色的光,如红光、绿光、蓝光,甚至红外光(用于遥控器)和紫外光(用于杀菌)。近年来,随着技术的发展,LED已成为节能照明和显示技术的重要元件。 通过灌封环氧树脂,二极管模块可实现 IP67 级防尘防水,适用于户外设备。外延型二极管报价多少钱
当电压超过额定VRRM时,二极管模块进入雪崩击穿状态。二极管模块(如IXYS的雪崩系列)通过精确控制掺杂浓度,使雪崩能量EAS均匀分布(如100mJ/A)。在测试中,对600V模块施加单次脉冲(tp=10ms,IAR=50A),芯片温度因碰撞电离骤升,但通过铜钼电极的快速散热可避免热失控。模块的失效模式分析显示,90%的损毁源于局部电流集中导致的金属迁移,因此现代设计采用多胞元结构(如1000个并联微胞),即使部分损坏仍能维持功能,显著提高抗浪涌能力。 Infineon二极管供应西门康SiC二极管模块利用碳化硅材料特性,实现高温稳定运行,适用于新能源汽车和充电桩应用。
齐纳二极管是一种特殊类型的二极管,利用反向击穿特性来稳定电压。当反向电压达到齐纳电压(如3.3V、5.1V等)时,二极管进入击穿区,此时即使电流变化较大,电压仍保持稳定。这一特性使其广泛应用于稳压电路中,例如为微控制器、传感器等提供稳定的参考电压。齐纳二极管通常与限流电阻配合使用,构成简单的线性稳压电路。与复杂的稳压芯片相比,齐纳二极管成本低、电路简单,适用于低功耗、小电流的场合,如电池供电设备或精密测量仪器。
肖特基二极管模块的高频应用肖特基二极管模块以其极低的正向压降(0.3-0.5V)和近乎无反向恢复时间的特性,成为高频开关电源的理想选择。这类模块通常基于硅或碳化硅材料,适用于DC-DC转换器、通信电源和服务器供电系统。例如,在数据中心中,肖特基模块可明显降低48V-12V转换级的能量损耗,提升整体能效。然而,肖特基二极管的漏电流较大,耐压能力相对较低(一般不超过200V),因此在高电压应用中需谨慎选择。现代肖特基模块通过优化金属-半导体接触工艺和集成温度保护功能,进一步提升了其可靠性和适用场景。 TVS 二极管模块可瞬间吸收浪涌电流,用于防雷击或静电保护电路。
二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。 Infineon模块内置NTC温度监测,实时保护过载,延长光伏逆变器的使用寿命。混频二极管排行榜
SEMIKRON整流二极管模块具有出色的抗浪涌能力,适用于工业变频器和高压直流输电系统。外延型二极管报价多少钱
二极管模块在电动汽车中的高压整流与隔离电动汽车的OBC(车载充电机)和DC-DC转换器依赖高压二极管模块实现高效能量转换。例如,碳化硅(SiC)肖特基二极管模块可承受1200V以上电压,开关损耗比硅器件降低70%,明显提升充电速度并减少散热需求。在电池管理系统(BMS)中,隔离二极管模块防止不同电池组间的异常电流倒灌,确保高压安全。模块的环氧树脂密封和铜基板设计满足车规级抗震、防潮要求(如AEC-Q101认证),适应严苛的汽车电子环境。未来,随着800V高压平台普及,SiC和GaN二极管模块将成为主流。 外延型二极管报价多少钱