企业商机

湖南水性光刻胶感光胶

主要优势：细分领域技术突破与产业链协同技术积累与自主化能力公司拥有23年光刻胶研发...

光刻胶基本参数

品牌
吉田半导体
型号
型号齐全

光刻胶企业商机

主要优势：细分领域技术突破与产业链协同

技术积累与自主化能力

公司拥有23年光刻胶研发经验，实现了从树脂合成、光引发剂制备到配方优化的全流程自主化。例如，其纳米压印光刻胶通过自主开发的树脂体系，分辨率达3μm，适用于MEMS传感器、光学器件等领域，填补了国内空白。

技术壁垒：掌握光刻胶主要原材料（如树脂、光酸）的合成技术，部分原材料纯度达PPT级，金属离子含量低于0.1ppb，良率超99%。

产品多元化与技术化布局

产品线覆盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶、半导体锡膏等，形成“光刻胶+配套材料”的完整体系。例如：

◦ LCD光刻胶：适配AMOLED、Micro LED等新型显示技术，与京东方、TCL华星合作开发高分辨率产品，良率提升至98%。

◦ 半导体锡膏：供应华为、OPPO等企业，年采购量超200吨，用于5G手机主板封装。

技术化延伸：计划2025年启动半导体用KrF光刻胶研发，目标进入中芯国际、长江存储供应链。

质量控制与生产能力

通过ISO9001:2008质量体系认证，生产环境执行8S管理，原材料采用美、德、日进口高质量材料。拥有全自动化生产线，年产能达2000吨（光刻胶及配套材料），支持大规模订单交付。

平板显示用光刻胶需具备高透光率，以保证屏幕色彩显示的准确性。湖南水性光刻胶感光胶

LCD显示

• 彩色滤光片（CF）：

◦ 黑色矩阵（BM）光刻胶：隔离像素，线宽精度±2μm，透光率<0.1%。

◦ RGB色阻光刻胶：形成红/绿/蓝像素，需高色纯度（NTSC≥95%）和耐光性。

• 阵列基板（Array）：

◦ 栅极绝缘层光刻胶：用于TFT-LCD的栅极图案化，分辨率≤3μm。

OLED显示（柔性/刚性）

• 像素定义层（PDL）光刻胶：在基板上形成有机发光材料的 confinement 结构，线宽精度±1μm，需耐溶剂侵蚀（适应蒸镀工艺）。

• 触控电极（如ITO/PET）：通过光刻胶图形化实现透明导电线路，线宽≤5μm。

Mini/Micro LED

• 巨量转移前的芯片制备：使用高分辨率光刻胶（分辨率≤5μm）定义微米级LED阵列，良率要求>99.99%。

苏州水性光刻胶生产厂家负性光刻胶生产厂家。

吉田半导体厚板光刻胶 JT-3001：国产技术助力 PCB 行业升级

JT-3001 厚板光刻胶支持 500nm/min 深蚀刻，成为国产 PCB 电路板制造推荐材料。
吉田半导体自主研发的 JT-3001 厚板光刻胶，分辨率 1.5μm，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，适用于高密度 PCB 制造。其无卤无铅配方通过欧盟 RoHS 认证，已应用于华为 5G 基站主板量产。产品采用国产原材料与全自动化工艺，批次稳定性达 99.5%，帮助客户提升生产效率 20%，加速国产 PCB 行业技术升级，推动 PCB 行业国产化进程。

定义与特性

正性光刻胶是一种在曝光后，曝光区域会溶解于显影液的光敏材料，形成与掩膜版（Mask）图案一致的图形。与负性光刻胶（未曝光区域溶解）相比，其优势是分辨率高、图案边缘清晰，是半导体制造（尤其是制程）的主流选择。

化学组成与工作原理

主要成分

• 树脂（成膜剂）：

◦ 传统正性胶：采用**酚醛树脂（Novolak）与重氮萘醌（DNQ，光敏剂）**的复合体系（PAC体系），占比约80%-90%。

◦ 化学增幅型（用于DUV/EUV）：含环化烯烃树脂或含氟聚合物，搭配光酸发生器（PAG），通过酸催化反应提高感光度和分辨率。

• 溶剂：溶解树脂和感光剂，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。

• 添加剂：表面活性剂（改善涂布均匀性）、稳定剂（防止暗反应）、碱溶解度调节剂等。

工作原理

• 曝光前：光敏剂（如DNQ）与树脂结合，形成不溶于碱性显影液的复合物。

• 曝光时：

◦ 传统PAC体系：DNQ在紫外光（G线436nm、I线365nm）照射下发生光分解，生成羧酸，使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。

◦ 化学增幅型：PAG在DUV/EUV光下产生活性酸，催化树脂发生脱保护反应，大幅提高显影速率（灵敏度提升10倍以上）。

• 显影后：曝光区域溶解去除，未曝光区域保留，形成正性图案。

环境温湿度波动可能导致光刻胶图形形变，需在洁净室中严格控制。

作为中国半导体材料领域的企业，吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略，通过 23 年技术沉淀与持续创新，成功突破多项 “卡脖子” 技术，构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域，为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。

吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作，在光刻胶领域实现多项技术突破：

YK-300 正性光刻胶：分辨率达 0.35μm，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，适用于 45nm 及以上制程，良率达 98% 以上，成本较进口产品降低 40%，已通过中芯国际量产验证。
SU-3 负性光刻胶：支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，成功应用于高通 5G 基带芯片封装，良率提升至 98.5%。
JT-2000 纳米压印光刻胶：突破 250℃耐高温极限，图形保真度 > 95%，性能对标德国 MicroResist 系列，已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。

光刻胶的感光灵敏度受波长影响，深紫外光(DUV)与极紫外光(EUV)对应不同产品。天津紫外光刻胶国产厂商

正性光刻胶生产原料。湖南水性光刻胶感光胶

吉田半导体获评 "专精特新" 企业，行业技术标准，以技术创新与标准化生产为，吉田半导体荣获 "广东省专精特新企业" 称号，树立行业。
凭借在光刻胶领域的表现，吉田半导体获评 "广东省专精特新企业"" "，承担多项国家 02 专项课题。公司主导制定《半导体光刻胶用树脂技术规范》等行业标准，推动国产材料标准化进程。未来，吉田半导体将继续以" 中国半导体材料方案提供商 "为愿景，深化技术研发与市场拓展，为全球半导体产业发展贡献" 中国力量 "。湖南水性光刻胶感光胶

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主要应用场景印刷电路板（PCB）： ◦ 通孔/线路加工：负性胶厚度可达20-50μm，耐碱性蚀刻液（如氯化铁、碱性氯化铜），适合制作大尺寸线路（线宽/线距≥50μm），如双面板、多层板的外层电路。 ◦ 阻焊层：作为绝缘保护层，覆盖非焊盘区域，需厚胶（50-100μm）和高耐焊接温度（260℃以上），负性胶因工艺简单、成本低而广泛应用。微机电系统（MEMS）： ◦ 深硅蚀刻（DRIE）：负性胶作为蚀刻掩膜，厚度可达100μm以上，耐SF₆等强腐蚀性气体，用于制作加速度计、陀螺仪的高深宽...

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