技术挑战
光刻胶作为半导体、显示面板等高级制造的材料,其技术挑战主要集中在材料性能优化、制程精度匹配、复杂环境适应性以及产业自主化突破等方面
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• 高分辨率:随着半导体制程向3nm、2nm推进,需开发更高精度的EUV光刻胶,解决光斑扩散、线宽控制等问题。
• 灵敏度与稳定性:平衡感光速度和图案抗蚀能力,适应极紫外光(13.5nm)的低能量曝光。
• 国产化替代:目前光刻胶(如EUV、ArF浸没式)长期被日本、美国企业垄断,国内正加速研发突破。
光刻胶的性能直接影响芯片制造的良率和精度,是支撑微电子产业的“卡脖子”材料之一。
广东吉田半导体材料有限公司成立于松山湖经济技术开发区,是一家专注于半导体材料研发、生产与销售的技术企业。公司注册资本 2000 万元,拥有 23 年行业经验,产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、半导体锡膏、焊片及靶材等,服务全球市场并与多家世界 500 强企业建立长期合作关系。
作为国家技术企业,吉田半导体以科技创新为驱动力,拥有多项技术,并通过 ISO9001:2008 质量体系认证。生产过程严格遵循 8S 现场管理标准,原材料均采用美、德、日等国进口的材料,确保产品质量稳定可靠。公司配备全自动化生产设备,具备行业大型的规模化生产能力,致力于成为 “半导体材料方案提供商”。
其明星产品包括:适用于 LCD 制造的正性光刻胶 YK-200/YK-300,具备高分辨率与优异涂布性能;3 微米负性光刻胶 SU-3,适用于厚膜工艺;耐高温达 250℃的纳米压印光刻胶 JT-2000,可满足高精度微纳加工需求。所有产品均符合要求,部分型号通过欧盟 ROHS 认证。
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作为东莞松山湖的企业,吉田半导体深耕光刻胶领域 23 年,成功研发出 YK-300 半导体正性光刻胶与 JT-2000 纳米压印光刻胶。YK-300 适用于 45nm 及以上制程,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,良率达 98% 以上,已通过中芯国际等晶圆厂验证;JT-2000 突破耐高温极限,在 250℃复杂环境下仍保持图形稳定性,适用于 EUV 光刻前道工艺。依托进口原材料与全自动化生产工艺,产品通过 ISO9001 认证及欧盟 RoHS 标准,远销全球并与跨国企业建立长期合作,加速国产替代进程。
工艺流程
• 目的:去除基板表面油污、颗粒,增强感光胶附着力。
• 方法:
◦ 化学清洗(硫酸/双氧水、去离子水);
◦ 表面处理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化处理)。
涂布(Coating)
• 方式:
◦ 旋涂:半导体/显示领域,厚度控制精确(纳米至微米级),转速500-5000rpm;
◦ 喷涂/辊涂:PCB/MEMS领域,适合大面积或厚胶(微米至百微米级,如负性胶可达100μm)。
• 关键参数:胶液黏度、涂布速度、基板温度(影响厚度均匀性)。
前烘(Soft Bake)
• 目的:挥发溶剂,固化胶膜,增强附着力和稳定性。
• 条件:
◦ 温度:60-120℃(正性胶通常更低,如90℃;负性胶可至100℃以上);
◦ 时间:5-30分钟(根据胶厚调整,厚胶需更长时间)。
曝光(Exposure)
• 光源:
◦ 紫外光(UV):G线(436nm)、I线(365nm)用于传统光刻(分辨率≥1μm);
◦ 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半导体先进制程(分辨率至20nm);
◦ 极紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性胶适用)。
• 曝光方式:
◦ 接触式/接近式:掩膜版与胶膜直接接触(PCB、MEMS,低成本但精度低);
◦ 投影式:通过物镜聚焦(半导体,分辨率高,如ArF光刻机精度达22nm)。
光刻胶国产替代的主要难点有哪些?
广东吉田半导体材料有限公司以光刻胶为中心,逐步拓展至半导体全材料领域,形成了 “技术驱动、全产业链覆盖” 的发展格局。公司产品不仅包括芯片与 LCD 光刻胶,还延伸至锡膏、焊片、靶材等配套材料,为客户提供一站式采购服务。
市场与荣誉:
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产品远销全球 50 多个地区,客户包括电子制造服务商(EMS)及半导体厂商。
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获评 “广东省专精特新企业”“广东省创新型中小企业”,并通过技术企业认证。
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生产基地配备自动化设备,年产能超千吨,满足大规模订单需求。
未来展望:
公司计划进一步扩大研发中心规模,聚焦第三代半导体材料研发,如 GaN、SiC 相关光刻胶技术。同时,深化全球化布局,在东南亚、欧洲等地设立分支机构,强化本地化服务能力。
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广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。
厚板光刻胶:JT-3001 型号,具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺,如特定电路板制造。
负性光刻胶
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SU-3 负性光刻胶:分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
正性光刻胶
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LCD 正性光刻胶 YK-200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,确保 LCD 生产中图形精确转移和良好涂布效果。
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半导体正性光刻胶 YK-300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。