凭借多年研发积累,公司形成了覆盖光刻胶、焊接材料、电子胶等领域的丰富产品线。在焊接材料方面,不仅提供常规锡膏、助焊膏,还针对特殊场景开发了 BGA 助焊膏、针筒锡膏等定制化产品,满足精密电子组装的多样化需求。同时,感光胶系列产品分为水性与油性两类,兼具耐潮性与易操作性,广泛应用于印刷电路板制造。
公司产品远销全球,并与多家跨国企业及电子加工企业建立长期合作关系。通过在重点区域设立办事处,提供快速响应的技术支持与售后服务。依托东莞 “世界工厂” 的产业资源,公司强化供应链协同,缩短交付周期,为客户提供高效解决方案。
未来,广东吉田半导体材料有限公司将继续深化技术创新,拓展产品应用领域,以可靠的产品与专业的服务,持续巩固其在半导体材料行业的重要地位。
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以 15% 年研发投入为驱动,吉田半导体加速 EUV 光刻胶与木基材料研发,抢占行业制高点。布局下一代光刻技术。
面对极紫外光刻技术挑战,吉田半导体与中科院合作开发化学放大型 EUV 光刻胶,在感光效率(<10mJ/cm²)和耐蚀性(>80%)指标上取得阶段性进展。同时,公司前瞻性布局木基光刻胶研发,对标日本王子控股技术,探索生物基材料在半导体封装中的应用。这些技术储备为 7nm 及以下制程提供支撑,助力中国在下一代光刻技术中占据重要地位。汕头负性光刻胶耗材感光胶的工艺和应用。
全品类覆盖与定制化能力
吉田半导体的光刻胶产品覆盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶等全品类,适用于半导体、显示面板、MEMS等多个领域。例如,其LCD正性光刻胶YK-200和水油光刻胶JT-2001可满足0.45μm及以上线宽需求,支持客户定制化工艺参数,尤其在柔性显示(OLED)和Mini/Micro LED等新兴领域表现突出。
技术亮点:通过自主研发的树脂配方和光敏剂体系,实现了高分辨率(120nm)和高抗蚀性的平衡,部分指标(如线宽粗糙度LWR<3nm)接近国际主流产品水平。
国产化材料与工艺适配
公司采用进口原材料+本地化生产模式,关键树脂单体、光敏剂等主要成分通过德国默克、日本信越等供应商采购,同时建立了超纯提纯工艺(杂质含量<1ppm),确保产品稳定性。此外,其光刻胶与国内主流光刻机(如上海微电子SSA800)、匀胶显影机(如盛美上海)的兼容性已通过验证,缩短客户工艺调试周期。
国家大基金三期:注册资本3440亿元,明确将光刻胶列为重点投资领域,计划投入超500亿元支持树脂、光引发剂等原料研发,相当于前两期投入总和的3倍。
地方专项政策:湖北省对通过验证的光刻胶企业给予设备采购补贴+税收减免,武汉太紫微凭借全流程国产化技术获中芯国际百万级订单;福建省提出2030年化工新材料自给率达90%,光刻胶是重点突破方向。
研发专项:科技部“双十计划”设立20亿元经费,要求2025年KrF/ArF光刻胶国产化率突破10%,并启动EUV光刻胶预研。
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晶圆制造(前道工艺)
• 功能:在硅片表面形成高精度电路图形,是光刻工艺的主要材料。
• 细分场景:
◦ 逻辑/存储芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻胶(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先进制程的ArF浸没式光刻胶(分辨率≤45nm),以及极紫外(EUV)光刻胶(目标7nm以下,研发中)。
◦ 功率半导体(如IGBT):使用厚膜光刻胶(膜厚5-50μm),满足深沟槽刻蚀需求。
◦ MEMS传感器:通过高深宽比光刻胶(如SU-8)实现微米级结构(如加速度计、陀螺仪的悬臂梁)。
芯片封装(后道工艺)
• 先进封装技术:
◦ Flip Chip(倒装芯片):用光刻胶形成凸点(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),线宽精度要求≤10μm。
◦ 2.5D/3D封装:在硅通孔(TSV)工艺中,光刻胶用于定义通孔开口(直径5-50μm)。
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光刻胶技术突破加速,对芯片制造行业有哪些影响?山西低温光刻胶多少钱
吉田半导体 JT-3001 厚板光刻胶:欧盟 RoHS 认证,PCB 电路板制造
凭借抗深蚀刻性能与环保特性,吉田 JT-3001 厚板光刻胶成为 PCB 行业材料。
吉田半导体推出的 JT-3001 厚板光刻胶,分辨率达 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,适用于高密度电路板制造。产品通过欧盟 RoHS 认证,采用无卤无铅配方,符合环保要求。其优异的感光度与留膜率,确保复杂线路图形的成型,已应用于华为 5G 基站主板量产。公司提供从材料选型到工艺优化的全流程支持,助力客户提升生产效率与良率。
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