企业商机
光刻胶基本参数
  • 品牌
  • 吉田半导体
  • 型号
  • 型号齐全
光刻胶企业商机

应用场景

 半导体集成电路(IC)制造:

◦ 逻辑芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV胶用于晶体管、互连布线的精细图案化(如10nm节点线宽只有100nm)。

◦ 存储芯片(DRAM/NAND):3D堆叠结构中,正性胶用于层间接触孔(Contact)和栅极(Gate)的高深宽比图形(深宽比>10:1)。

 平板显示(LCD/OLED):

◦ 彩色滤光片(CF):制作黑矩阵(BM)和彩色层(R/G/B),要求高透光率和边缘锐利度(线宽5-10μm)。

◦ OLED电极:在柔性基板上形成微米级透明电极,需低应力胶膜防止基板弯曲变形。

 印刷电路板(PCB):

◦ 高密度互连(HDI):用于细线路(线宽/线距≤50μm),如智能手机主板,相比负性胶,正性胶可实现更精细的线路边缘。

 微纳加工与科研:

◦ MEMS传感器:制作微米级悬臂梁、齿轮等结构,需耐干法蚀刻的正性胶(如含硅树脂胶)。

◦ 纳米光刻:电子束光刻胶(正性为主)用于研发级纳米图案(分辨率<10nm)。
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定义与特性

负性光刻胶是一种在曝光后,未曝光区域会溶解于显影液的光敏材料,形成与掩膜版(Mask)图案相反的图形。与正性光刻胶相比,其主要特点是耐蚀刻性强、工艺简单、成本低,但分辨率较低(通常≥1μm),主要应用于对精度要求相对较低、需要厚胶或高耐腐蚀性的场景。

化学组成与工作原理

 主要成分

 基体树脂:

◦ 早期以聚异戊二烯橡胶(天然或合成)为主,目前常用环化橡胶(Cyclized Rubber)或聚乙烯醇肉桂酸酯,提供胶膜的机械强度和耐蚀刻性。

 光敏剂:

◦ 主要为双叠氮化合物(如双叠氮芪)或重氮醌类衍生物,占比约5%-10%,吸收紫外光后引发交联反应。

 交联剂:

◦ 如六亚甲基四胺(乌洛托品),在曝光后与树脂发生交联,形成不溶性网状结构。

 溶剂:

◦ 多为有机溶剂(如二甲苯、环己酮),溶解树脂和光敏剂,涂布后挥发形成均匀胶膜。

 工作原理

 曝光前:光敏剂和交联剂均匀分散在树脂中,胶膜可溶于显影液(有机溶剂)。

 曝光时:

◦ 光敏剂吸收紫外光(G线436nm为主)后产生活性自由基,引发交联剂与树脂分子间的共价键交联,使曝光区域形成不溶于显影液的三维网状结构。

 显影后:

◦ 未曝光区域的树脂因未交联,被显影液溶解去除,曝光区域保留,形成负性图案(与掩膜版相反)。
常州阻焊油墨光刻胶供应商半导体芯片制造,用于精细电路图案光刻,决定芯片性能与集成度。

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人才与生态:跨学科团队的“青黄不接”

 前段人才的结构性短缺
光刻胶研发需材料化学、半导体工艺、分析检测等多领域。国内高校相关专业毕业生30%进入光刻胶行业,且缺乏具有10年以上经验的工程师。日本企业通过“技术导师制”培养人才,而国内企业多依赖“挖角”,导致技术传承断裂。

 产业链协同的“孤岛效应”
光刻胶研发需与晶圆厂、设备商、检测机构深度协同。国内企业因信息不对称,常出现“材料性能与工艺需求不匹配”问题。例如,某国产KrF光刻胶因未考虑客户产线的显影液参数,导致良率损失20%。

在半导体材料领域,广东吉田半导体材料有限公司凭借 23 年技术沉淀,已成为国内光刻胶行业的企业。公司产品线覆盖正性、负性、厚膜、纳米压印等多类型光刻胶,广泛应用于芯片制造、LCD 显示、PCB 电路板等领域。
  1. 技术:自主研发的光刻胶产品具备高分辨率(如 JT-3001 厚板光刻胶)、高感光度(如 JT-1000 负性光刻胶)及抗深蚀刻性能,部分指标达到水平。
  2. 严苛品控:生产过程严格遵循 ISO9001 体系,材料进口率 100%,并通过 8S 现场管理确保制程稳定性。
  3. 定制化服务:支持客户需求定制,例如为特殊工艺开发光刻胶,满足多样化场景需求。
公司位于松山湖开发区,依托产业园区资源,持续加大研发,与科研机构合作推动技术升级。目前,吉田半导体已服务全球数千家客户,以 “匠心品质、售后无忧” 的理念赢得市场口碑。
感光胶的工艺和应用。

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吉田半导体 JT-3001 厚板光刻胶:欧盟 RoHS 认证,PCB 电路板制造

凭借抗深蚀刻性能与环保特性,吉田 JT-3001 厚板光刻胶成为 PCB 行业材料。
吉田半导体推出的 JT-3001 厚板光刻胶,分辨率达 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,适用于高密度电路板制造。产品通过欧盟 RoHS 认证,采用无卤无铅配方,符合环保要求。其优异的感光度与留膜率,确保复杂线路图形的成型,已应用于华为 5G 基站主板量产。公司提供从材料选型到工艺优化的全流程支持,助力客户提升生产效率与良率。
吉田半导体全系列产品覆盖,满足多元化需求。安徽油性光刻胶国产厂商

吉田半导体实现光刻胶技术突破,为半导体产业链自主化提供材料支撑。安徽油性光刻胶国产厂商

定义与特性

正性光刻胶是一种在曝光后,曝光区域会溶解于显影液的光敏材料,形成与掩膜版(Mask)图案一致的图形。与负性光刻胶(未曝光区域溶解)相比,其优势是分辨率高、图案边缘清晰,是半导体制造(尤其是制程)的主流选择。

化学组成与工作原理

 主要成分

• 树脂(成膜剂):

◦ 传统正性胶:采用**酚醛树脂(Novolak)与重氮萘醌(DNQ,光敏剂)**的复合体系(PAC体系),占比约80%-90%。

◦ 化学增幅型(用于DUV/EUV):含环化烯烃树脂或含氟聚合物,搭配光酸发生器(PAG),通过酸催化反应提高感光度和分辨率。

• 溶剂:溶解树脂和感光剂,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。

• 添加剂:表面活性剂(改善涂布均匀性)、稳定剂(防止暗反应)、碱溶解度调节剂等。

 工作原理

• 曝光前:光敏剂(如DNQ)与树脂结合,形成不溶于碱性显影液的复合物。

• 曝光时:

◦ 传统PAC体系:DNQ在紫外光(G线436nm、I线365nm)照射下发生光分解,生成羧酸,使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。

◦ 化学增幅型:PAG在DUV/EUV光下产生活性酸,催化树脂发生脱保护反应,大幅提高显影速率(灵敏度提升10倍以上)。

• 显影后:曝光区域溶解去除,未曝光区域保留,形成正性图案。
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