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本项目逆变桥臂上有4个开关管，对应需要四个**的驱动电路。可选用的驱动电路有很多种，以驱动电路和IGBT的连接方式可以将驱动电路分为直接驱动、隔离驱动和集成化驱动。在此我们采用集成化驱动，因为相对于分立元件构成的驱动电路，集成化驱动电路集成度更高、速度快、抗干扰强、有保护功能模块，并且也减小了设计的难度[25]。**终选用集成驱动电路M57962，如图4-3和4-4所示为M57962L驱动电路和驱动信号放大效果图。M57962 是 N 沟道大功率 IGBT 驱动电路，可以驱动 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器实现电气隔离，输入输出隔离电压高达 2500V。然而，比较好只放大由于传感器电阻变化引起的电压变化。成都霍尔电压传感器哪家便宜

输出滤波电容 C 和输出电压中的交流分量关系很大。由于 C 和负载并联，再加 上容抗的频率特性， 频率较高的电流成分主要通过 C，负载中流过的很少。C 两端的 电压Vc 除直流分量Vo 外,还有交流分量，与输出电压纹波大小对应。为了减小纹波， 加大 C 是有好处的，但过分加大没有必要。Lf是输出滤波电感量，fs是开关频率，Vpp是输入直流电压比较大，脉动值，Vo(min)是输出电压最小值，Vin(max)是输入电压最小值，K是高频变压器变比，VL是输出滤波电感纹波压降，VD是输出整流二极管的通态管压降。代入各个参数值计算可得cf=9.4UF。无锡功率分析仪电压传感器厂家现货电压传感器相对于传统测量技术的优势。

前段整流电路直流输出端并联了大容量储能电容，在上电前，电容器初始电压为零，上电瞬间整流输出端直流电压直接加在储能电容上，电容瞬间相当于短路，形成的瞬时冲击电流可能达到100A以上对电网带来冲击。为了限制上电瞬间大电流的冲击，在整流输出端放置一个固态开关。固态开关由晶闸管和限流电阻并联，其中晶闸管的通断受DSP的控制，在上电瞬间，晶闸管未被驱动导通，充电电流流过限流电阻，给予电容一定的充电时间，当电容两端电压上升后开通晶闸管，相当于将限流电阻短路，由整流电路直接对储能电容充电[29]。这样就限制了上电瞬间充电电流的大小，避免了大电流对电网的冲击。

为了加强装置的安全性，大都采用具有变压器隔离的隔离型方案。从功率角度考虑，当选用的功率开关管的额定电压和额定电流相同时，装置的总功率通常和开关管的个数呈正比例关系，故全桥变换器的功率是半桥变换器的2倍，适用于中大功率的场合。基于以上考虑，本方案中补偿装置选用带有变压器隔离的全桥型直流变换器。借助于效率高、动态性能好、线性度高等优点，PWM（脉宽调制）技术在全桥变换器领域得到了广发的关注和应用，已经成为了主流的控制技术。传统的PWM直流变换器开关管工作在硬开关状态。在硬开关的缺陷是很明显的具体表现在：1）开关管的开关损耗随着频率的提高而增加；2）开关管硬关断时电流的突变会产生加在开关管两端的尖峰电压，容易造成开关管被击穿；3）开关管硬开通时其自身结电容放电会产生冲击电流造成开关管的发热。电压传感器和电流传感器技术的实现已成为传统电流电压测量方法的理想选择。

在科学实验中， 产生强磁场的磁体实际是一个大电感线圈，由大容量的电源系 统瞬时放电， 通过给磁体提供瞬间的大电流，在磁体中产生响应的强磁场。实验中磁体可以等效为电阻Rm和大电感Lm串联，产生的磁场强度和通过电感的电流时呈线性关系的，要想得到高稳定度的脉冲平顶磁场，我们相应的给磁体提供脉冲平顶的大电流。然而上述只是建立在理想的物理模型上得到的理想结果。在工程实践中， 提供 给磁体的大电流实际是给磁体提供一个脉冲式高稳定度的直流电压。分压式电压传感器测量简单，测量精度较高，但对分压电阻要求具有稳定的温度特性。无锡功率分析仪电压传感器厂家现货

基于电光效应，在电场或电压的作用下透过某些物质的光会发生双折射。成都霍尔电压传感器哪家便宜

第二阶段的仿真是在***次仿真的基础上，加入了高频变压器以及负载部分。第二阶段仿真时针对整个电路的仿真，主要目的是对控制方案给以理论研究。闭环反馈控制中采用典型的PID控制模式，仿真过程通过对PID参数的调试加深对控制方案的理解，以便在后续主电路调试过程中能更有目的性的调试参数。主要针对输出滤波电路的参数、PID闭环参数的设置以及移相控制电路的设计进行研究。仿真电路中输出电压设定值为60V，采样值和设定值作差，偏差量经过PID环节反馈至移相控制电路。移相电路基于DQ触发器，同一桥臂上PWM驱动脉波设置了死区时间，两个DQ触发器输出四路PWM波分别驱动桥臂上四个开关管。成都霍尔电压传感器哪家便宜