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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。减薄用清洗剂的适用人群有哪些？浙江哪家减薄用清洗剂溶剂

    来对所述待加工表面进行减薄。可选地，还包括：在所述磁转子运行一段时间后，更换所述磁转子。可选地，将待加工部件固定在托盘上包括：采用光刻胶将所述待加工部件固定在所述托盘上。可选地，对所述待加工部件的待加工表面进行抛光和减薄之后，还包括：对所述待加工部件进行清洗；采用特定溶液对所述光刻胶进行腐蚀，以将所述待加工部件与所述托盘分离。与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：本发明所提供的抛光减薄装置和抛光减薄方法，采用托盘固定待加工部件，采用喷头向待加工部件的待加工表面喷涂抛光液，来对所述待加工表面进行抛光，采用磁转子旋转对待加工表面进行机械研磨，来对所述待加工表面进行减薄，由于减薄过程中待加工部件如inp基晶圆本身不旋转，因此，可以降低抛光减薄过程中对待加工部件如inp基晶圆的挤压应力，降低待加工部件如inp基晶圆的机械加工损伤。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。江苏哪家公司减薄用清洗剂供应商减薄清洗剂，让您的加工过程更轻松，提高生产效率。

    图1为本发明实施例提供的一种抛光减薄装置的结构示意图；图2为本发明实施例提供的一种托盘和待加工部件的键合固定方式示意图；图3为本发明实施例提供的一种磁转子的结构示意图；图4为本发明实施例提供一种磁转子的旋转方式的示意图；图5为本发明实施例提供的一种抛光减薄方法的流程示意图。具体实施方式以上是本发明的思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本发明实施例提供了一种抛光减薄装置，用于对inp基晶圆等部件进行抛光减薄，如图1所示，包括托盘10、喷头11和磁转子12，当然，本发明实施例中的抛光减薄装置还包括反应室13等，托盘10、喷头11和磁转子12等在反应室13内进行抛光和减薄反应。其中，托盘10，可选为石英托盘，用于固定待加工部件20，待加工部件20包括inp基晶圆。喷头11用于向待加工部件20的待加工表面喷涂抛光液110，以对待加工表面进行抛光。

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