在一些实施例中,每个单元线路结构的四条栅极线通过例如sadp形成,并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成交替地具有栅极节距和第二栅极节距。通常,在一些实施例中,作为另一示例,每个单元线路结构的四条栅极线通过例如自对准四倍图案化(saqp)形成,并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成顺序地具有栅极节距、第二栅极节距、栅极节距和第三栅极节距。在一些实施例中,每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线。此外,在一些实施例中,每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成,并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外,在一些实施例中,每个单元线路结构的八条栅极线通过单图案化形成,并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成具有相等的栅极节距。在一些实施例中,每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线,每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成,并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外,例如。上海海谷电子有限公司为您提供回收,有想法的不要错过哦!安徽电容电阻回收市场
每个系统板具有在双列直插式存储模块之间交错的冷却管。当这些系统板相对地放置在一起时,每个系统板上的双列直插式存储模块由在另一个系统板上的冷却管冷却。相比于之前的方法,这种方法允许更高密度的双列直插式存储模块,同时仍然提供必要的冷却。这种方法也是安静的,并且由此可以靠近办公室员工放置。这种方法也允许容易的维护,而没有与液体浸入式冷却系统相关的溢出。尽管参考双列直插式存储模块描述了不同实施例,应当认识到的是,所公开的技术可以用于冷却任何集成电路或类似的一个或多个系统和系统中的一个或多个元素/部件。图1是系统100的关系图,在该系统中可以实施不同实施例。系统100包括计算部件120,所述计算部件包括处理器104和存储器106。存储器106包括多个双列直插式存储模块组件108。系统100还包括冷却回路。所述冷却回路包括泵110、热交换器112和储液器114。泵110将冷却液体130提供给双列直插式存储模块组件108。由双列直插式存储模块组件108产生的热量被传送给液体,加热液体并且冷却双列直插式存储模块组件108。泵110将被加热的液体132从双列直插式存储模块组件108移除。热交换器112冷却被加热的液体132。储液器114适应液体体积的改变。甘肃电子料高价回收行情上海海谷电子有限公司致力于提供回收,期待您的光临!
导电覆盖层可以由金属氮化物(例如,tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如,钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件ca和cb可以通过覆盖有源区 ac和栅极线pc的层间绝缘层132彼此绝缘。多个导电接触件ca和cb可以具有与层间绝缘层132的上表面基本处于同一水平处的上表面。层间绝缘层132可以是氧化硅层。第二层间绝缘层134和穿过第二层间绝缘层134的多个下通孔接触件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于层间绝缘层132上。第二层间绝缘层134可以是氧化硅层。在高于层ly1(例如,沿着第三方向z距基底110更远)的第二层ly2上沿方向x延伸的多条线路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二层间绝缘层134上。
每个单元线路结构的八条栅极线通过自对准双倍图案化(sadp)形成,并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成交替地具有栅极节距和第二栅极节距。在又一实施例中,每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线,每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成,并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。在这个实施例中,每个单元线路结构的八条栅极线通过saqp形成,并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成顺序地且重复地具有栅极节距、第二栅极节距、栅极节距和第三栅极节距。还提供一种制造集成电路的方法。所述方法包括:在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线,所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸;以及在栅极层上方的导电层中形成多条金属线,所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸,使得包括在所述多条金属线中的6n条金属线和包括在所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构,其中,n是正整数,并且多个单元线路结构布置在方向上。在所述方法的一些实施例中。回收,就选上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,有想法的不要错过哦!
每条线路m1可以通过形成在层ly1与第二层ly2之间的多个下通孔接触件v0中的一个连接到多个导电接触件ca和cb中的一个。多个下通孔接触件v0中的每个可以例如通过穿过第二层间绝缘层134连接到多个导电接触件ca和cb中的一个。多个下通孔接触件v0可以通过第二层间绝缘层134彼此绝缘。线路m171至78可以包括在标准单元scl中使多个区域电连接的内部连接线路。例如,内部连接线路m178可以通过下通孔接触件v055和58以及接触件24和33将器件区rx1中的有源区ac和第二器件区rx2中的有源区ac电连接。线路m171和72可以分别对应于电力轨和第二电力轨。电力轨71可以连接到器件区rx1中的有源区ac。第二电力轨72可以连接到第二器件区rx2中的有源区ac。电力轨71和第二电力轨72中的一个可以是用于供应电源电压(例如,电源电压vdd)的线路,而电力轨71和第二电力轨72中的另一个可以是用于供应接地电压(例如,第二电源电压vss)的线路。电力轨71和第二电力轨72可以在第二层ly2上沿方向x彼此平行地延伸。在一些示例实施例中,电力轨71和72可以与其他线路m173至78基本同时形成。线路m1可以穿过第三层间绝缘层136。第三层间绝缘层136可以使线路m1彼此绝缘。上海海谷电子有限公司回收服务值得放心。重庆废弃电子料回收平台
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可以使用侧壁间隔件261至266作为第二心轴图案在比抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3低的层中形成具有抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的1/4平均节距的目标图案。图5至图10是示出应用于集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。为了便于描述,在层中形成的图案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在图5至图10中。图案dpm、qpm、dpg和qpg可以与参照图4a至图4i描述的心轴图案对应,并且可以在中间过程期间被去除以被排除在终集成电路中。在下文中,将参照图5、图6和图7描述通过sadp形成多条列金属线的示例实施例。参照图5、图6和图7,单元线路结构uws1、uws2和uws3中的每个可以包括分别布置在方向x上的六条列金属线ml1至ml6和四条栅极线gl1至gl4。如参照图4a至图4i所述,可以在列导电层ccl上方形成双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3。标签“dpm”可以理解如下:“d”表示双倍,“p”表示图案,“m”表示金属。例如,双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3可以布置为在方向x上具有相同的双倍心轴节距pdm并且双倍心轴节距pdm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws1、uws2和uws3中的每个,可以使用三个双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3在列导电层ccl中形成六条列金属线ml1至ml6。安徽电容电阻回收市场
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