企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

江崎二极管,阻尼二极管又称隧道二极管、穿隧效应二极管、穿隧二极管、透纳二极管,英文名称为Tunnel Diode,它是一种可以高速切换的半导体二极管,其切换速度可到达微波频率的范围,其原理是利用量子穿隧效应。它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。江崎二极管是采用砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)等材料混合制成的半导体二极管,其优点是开关特性好,速度快、工作频率高;缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。当二极管的正极连接到P区,负极连接到N区时,电流可以流过二极管,实现导电。珠海光电二极管厂家

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二极管串联的情况。显然在理想条件下,有几只管子串联,每只管子承受的反向电压就应等于总电压的几分之一。但因为每只二极管的反向电阻不尽相同,会造成电压分配不均:内阻大的二极管,有可能由于电压过高而被击穿,并由此引起连锁反应,逐个把二极管击穿。在二极管上并联的电阻R,可以使电压分配均匀。均压电阻要取阻值比二极管反向电阻值小的电阻器,各个电阻器的阻值要相等。ESD二极管和TVS二极管都是电路保护器件,工作原理是一样的,但功率和封装是不一样的,ESD二极管主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1-3.5PF之间为较好;而TVS二极管就做不到这一点,TVS二极管的电容值比较高。静电放电二极管常用的是3个引脚的,ESD二极管的正负接在电源引脚,公共端接在被保护引脚上起到释放静电的作用。珠海光电二极管厂家二极管的工作原理基于PN结的特性,当正向偏置时导通,反向偏置时截止。

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稳压二极管,稳压二极管英文名称为Zener diode,又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。在电源电路中经常用到稳压二极管,它与普通二极管在电路中的连接方法不同,负极接电路的高电势,正极接地或低电势点。稳压二极管的种类很多,THT和SMT形式的封装都有,常用到的型号是1N4728、1N4729等,它的原理图和PCB库如下图所示。

阶跃二极管,阶跃二极管一种特殊的变容管,又称为阶跃恢复二极管或电荷存储二极管,简称阶跃管,英文名称为Step-Recovary Diode,它具有高度非线性的电抗,应用于倍频器时代独有的特点,利用其反向恢复电流的快速突变中所包含的丰富谐波,可获得高效率的高次倍频,它是微波领域中优良的倍频元件。旋转二极管,旋转二极管主要用于无刷励磁电机,它实际上就是一个整流二极管,在工作的时候跟着发动机一起旋转,所以被称为旋转二极管。旋转二极管的作用就是把励磁机的交流电压整流为直流电压,通过发动机的大轴,把这个直流电压加到发电机的励磁线圈上,然后通过励磁屏的调整来获得一个理想的励磁电流。二极管采用PN结构,正向偏置时电子和空穴结合,反向偏置时形成势垒,导致电流很小。

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触发二极管,触发二极管又称双向触发二极管,英文名称为Diode AC switch,简写为DIAC,触发二极管实际上是一种电压控制元件,一般的它们都有一个触发电压,当两端电压低于这个触发电压的时候,二极管是开路状态,当电压达到触发电压的时候,二极管瞬间导通,将电压输出。双向二极管的正反两个方向都有稳压作用,就如同两个稳压二极管反向串连,它的两端不论正反哪个反向达到了稳定电压(既其中一个稳压极管)的反向击穿电压都可以使得其两端的电压基本保持不变(在其允许的电流范围内),因此正常情况下触发二极管是双向都不导通的。触发二极管的引脚没有正负极性的区分,原理图的种类比较多,一般都是两个二极管集成在一起的,触发二极管的原理图和PCB库如下图所示。二极管可用于电源、信号处理等领域,具有普遍的应用。珠海光电二极管厂家

二极管是一种电子器件,具有正向导、反向截止的特性。珠海光电二极管厂家

二极管反向区也分两个区域:当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。从击穿的机理上看,硅二极管若|VBR|≥7 V时,主要是雪崩击穿;若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿,当在4 V~7 V之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点。珠海光电二极管厂家

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