瞬态电压抑制二极管(TVS)是一种专门用于保护电路免受瞬态高电压冲击的器件。当电路中出现瞬间的高电压脉冲,如雷电感应、静电放电、电路开关瞬间产生的浪涌电压等,TVS 能够迅速响应,在极短时间内进入反向雪崩击穿状态,将过高的电压钳位在安全值,吸收多余的能量,保护电路中的其他敏感元件免受损坏。在电子设备的接口电路,如 USB 接口、以太网接口等,以及电源输入输出端,常接入 TVS 二极管进行防护。在汽车电子系统中,由于汽车运行环境复杂,存在各种电气干扰和电压瞬变,TVS 二极管广泛应用于汽车电子控制单元(ECU)、车载通信设备等的保护,确保汽车电子设备在恶劣电气环境下可靠运行。光电二极管可将光信号转换为电信号,是光通信的关键元件。XC7WH14GT,115
激光二极管的发光基于受激辐射原理。在其内部的有源区,通过注入电流形成粒子数反转分布,当外界光子激发时,产生受激辐射,输出高亮度、高方向性的激光束。在光通信领域,激光二极管作为光源,将电信号转换为光信号,通过光纤进行高速、长距离的数据传输。其高调制速率和低功耗特性,满足了现代通信网络对大容量、高速率数据传输的需求,是光纤通信系统的重要器件之一。在激光加工领域,激光二极管发出的高能量激光束可用于材料切割、焊接、打孔等加工工艺。例如在汽车制造中,用于车身零部件的焊接;在电子制造中,用于电路板的微孔加工,凭借其高精度、高效率的加工优势,推动了制造业的技术升级。PMV27UPEAR稳压二极管能稳定电压,为电子设备提供稳定的电源支持。
掺杂工艺:掺杂是为了在硅中引入特定的杂质,形成P型或N型半导体。在制造P型半导体时,通常采用硼等三价元素作为杂质进行掺杂。这可以通过离子注入或扩散等方法实现。离子注入是将硼离子加速后注入到硅片中,其优点是可以精确控制杂质的浓度和深度;扩散法则是将硅片置于含有硼杂质的气体环境中,在高温下使杂质扩散到硅片中。制造N型半导体则使用磷等五价元素进行类似的掺杂操作。在形成P型和N型半导体之后,就是PN结的制造。这通常通过光刻和蚀刻等工艺来实现。光刻工艺就像在硅片上进行精确的绘画,利用光刻胶和紫外线曝光等技术,在硅片上定义出需要形成PN结的区域。然后通过蚀刻工艺,去除不需要的半导体材料,精确地形成PN结。这个过程需要极高的精度,因为PN结的质量直接影响二极管的性能,如正向导通特性和反向截止特性。
肖特基二极管是一种基于金属 - 半导体结的二极管,与普通 PN 结二极管相比,具有正向压降小(约 0.3 - 0.5V)、反向恢复时间极短(几乎为零)、开关速度快等明显优势。这些特性使其在高频电路中表现出色,如在开关电源的同步整流电路中,肖特基二极管可降低导通损耗,提高电源转换效率;在高频逆变器、DC - DC 转换器中,快速的开关特性减少了电路的能量损耗和电磁干扰。此外,肖特基二极管的低正向压降也适用于低压大电流的应用场景,如锂电池保护电路。但肖特基二极管的反向耐压一般较低,通常在 100V 以下,在选型时需根据电路的实际需求,权衡其性能优势与耐压限制,充分发挥其在高频、低压电路中的作用。当二极管反向偏置时,即正极接低电位,负极接高电位,二极管截止,电流很小。
二极管在钳位电路中也有着独特的应用。钳位电路可以将信号的某一电平固定在一个特定的值上。比如在视频信号处理中,为了确保视频信号中的同步信号电平稳定,可使用二极管钳位电路。它通过电容、电阻和二极管的组合,将视频信号中的同步脉冲顶部或底部钳位在一个固定电压上。这样,无论信号在传输过程中如何变化,同步信号的电平都能保持稳定,便于后续的同步分离和信号处理操作。在数字电路中,二极管可用于逻辑电平转换。例如,当需要将一个高电平信号从一种逻辑标准转换为另一种逻辑标准时,可以利用二极管的单向导电性和电压降特性。通过适当的电路设计,二极管可以将输入的高电平信号降低一定的电压值,使其符合目标逻辑电平的要求。这种电平转换在不同类型数字电路之间的接口设计中非常重要,能够确保信号在不同逻辑电平的电路之间准确传递,实现系统的兼容性。光电二极管可将光信号转换为电信号,在光纤通信、红外遥控器等设备中实现光与电的信号转换。三极管BCM857BV SOT-666
选择合适的二极管对于电路的稳定性和效率至关重要。XC7WH14GT,115
磁敏二极管对磁场具有敏感特性,当有磁场作用于磁敏二极管时,其内部载流子的运动状态发生改变,从而导致二极管的电学性能发生变化。在磁场检测电路中,磁敏二极管可将磁场强度转换为电信号输出。例如在指南针等磁传感器中,磁敏二极管能够感知地球磁场的方向和强度变化,通过电路处理后,为用户提供准确的方向指示。在电机的转速测量、位置检测等应用中,磁敏二极管也发挥着重要作用。通过检测电机周围磁场的变化,可精确获取电机的运行状态信息,实现对电机的准确控制,在工业自动化、智能交通等领域有着广泛的应用前景。XC7WH14GT,115