下面描述中的附图**是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明的立式晶闸管模块的一具体实施方式的平面示意图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明,但应当说明的是,这些实施方式并非对本发明的限制,本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代,均属于本发明的保护范围之内。如图1所示,本发明的立式晶闸管模块包括:外壳1、盖板2、铜底板3、形成于所述盖板2上的接头4、第二接头5和第三接头6、封装于所述外壳1内部的晶闸管单元和第二晶闸管单元。其中,任一所述接头均可与电力系统中一路电路相连接,并在晶闸管单元的控制下对所在电路进行投切控制。所述晶闸管单元包括:压块7、门极压接式组件8、导电片9、第二导电片10、瓷板11。其中,所述压块7设置于所述门极压接式组件8上,并通过所述门极压接式组件8对所述导电片9、第二导电片10、瓷板11施加压合作用力,所述导电片9、第二导电片10、瓷板11依次设置于所述铜底板3上。为了实现所述导电片9、第二导电片10、瓷板11与铜底板3的固定连接。正高电气我们完善的售后服务,让客户买的放心,用的安心。河南反并联晶闸管模块品牌
红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极。2.检查触发能力如图2(a)所示,首先将表Ⅰ的黑表笔接A极,红表笔接K极,电阻为无穷大;然后用黑表笔尖也同时接触G极,加上正向触发信号,表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通;脱开G极,只要GTO维持通态,就说明被测管具有触发能力。3.检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力,如图2(b)所示,表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档,红表笔接G极,黑表笔接K极,施以负向触发信号,如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置,证明GTO具有关断能力。4.估测关断增益βoff进行到第3步时,先不接入表Ⅱ,记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1;再接上表Ⅱ强迫GTO关断,记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。根据读取电流法按下式估算关断增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数;K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/n2此式的优点是。不需要具体计算IAT、IG之值,只要读出二者所对应的表针正向偏转格数,即可迅速估测关断增益值。晶体闸流管注意事项编辑(1)在检查大功率GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节′。河南反并联晶闸管模块品牌正高电气提供周到的解决方案,满足客户不同的服务需要。
3)换相冲击电压包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层残存载流子复合所产生的,所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后,出现换相振荡过电压,它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压,其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高,换相振荡过电压也越大。针对形成过电压的不同原因,可以采取不同的方法,如减少过电压源,并使过电压幅值衰减;过电压能量上升的速率,延缓已产生能量的消散速度,增加其消散的途径;采用电子线路进行保护等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。(4)阻容吸收回路通常过电压均具有较高的频率,因此常用电容作为吸收元件,为防止振荡,常加阻尼电阻,构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧,或并接在晶闸管的阳极和阴极之间。吸收电路比较好选用无感电容,接线应尽量短。。5)由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的,有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电,过电压的效果较差。因此,一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。
三)按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。(四)按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、**率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。(五)按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频(快速)晶闸管。晶体闸流管工作原理编辑晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。晶体闸流管工作条件编辑晶闸管的工作条件:1.晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。2.晶闸管承受正向阳极电压时,*在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。3.晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。4.晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。正高电气通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。
晶闸管一般指晶体闸流管晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。中文名晶闸管外文名Thyristo目录1种类2工作原理3工作条件4工作过程5注意事项6如何保护晶闸管晶体闸流管种类编辑(一)按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。。二)按引脚和极性分类晶体闸流管晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。。正高电气以诚信为根本,以质量服务求生存。河南反并联晶闸管模块品牌
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压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别?可控硅模块属于一种使用模块封装形式,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅模块的类型非常的多,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等,很多人不是很清楚两者之间的差异,下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲,焊接式可控硅模块可以做到160A电流,同时压接式模块的电流就能够达到1200A,这就是讲低于160A的模块,不只是有焊接式的,同时也有压接式的。可控硅模块②从外形方面来讲,焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好,压接式的属于一体成型,技术十分的标准,焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹,但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知,压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的,有不少的公司都会使用压接式可控硅模块,这其中的原因可能使由于其外形十分的美观,除此之外从价格方面来讲,焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。我公司的电力半导体器件有:全系列功率模块(MTC,MFC,MDC,MDQ,MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK)。河南反并联晶闸管模块品牌
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