深圳光敏二极管尺寸

反向偏置（Reverse Bias），在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是反向偏置，所加电压为反向偏置。这种情况下，因为N型区域被注入空穴，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的耗尽层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅“PN结”条目。实际的元件虽然处于反向偏置状态，也会有微小的反向电流（漏电流、漂移电流）通过。当反向偏置持续增加时，还会发生 隧道击穿 或 雪崩击穿 或 崩溃 ，发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的（反向）电压被称为 击穿电压 。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为 击穿区 （ 崩溃区 ）。在击穿区内，电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用。二极管的价格相对较低，使得二极管在电子制造中普遍应用。深圳光敏二极管尺寸

二极管是否损坏如何判断：（1）极性的判别，将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VD大约减小2 mV，即具有负的温度系数。深圳光敏二极管供应商齐纳二极管是一种高频器件，具有低阻抗、低电压下的快速响应。

稳压二极管和普通二极管电性能区别，稳压二极管和普通二极管在电性能方面也存在明显差异。稳压二极管的电性能主要表现在稳定的工作电压、稳定的反向阻断电压和低动态电阻等方面。这使得稳压二极管在需要高精度控制电压的电路中表现出色，如通信设备、电源设备、工业自动化设备等。而普通二极管在正向导通时具有很低的电阻值，允许电流顺畅通过；在反向截止时则有较高的反向电阻，阻止电流通过。这种电性能使得普通二极管在开关电路和整流电路中能够发挥良好的性能，如电源电路中的整流器、数字电路中的开关元件等。

在高电压或大电流的情况下,如果手头没有承受高电压或整定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用，二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半口三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并联运用时",由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大,R应选得越小。二极管的反向电压应小于其击穿电压，以防止击穿现象的发生。

交流二极管（DIAC）、突波保护二极管、双向触发二极管，当施加超过规定电压（Break Over电压，VBO）的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用于电路的突波保护上。另，虽被称为二极管，实际的构造、动作原理都应归类为闸流管/可控硅整流器的复杂分类中。非线性电阻器，若超过一定电压，电阻就会降低。是保护电路受到突波电压伤害的双向元件。通常由二氧化锌的烧结体颗粒制成，当作非线性电阻使用。虽然一般认为它的作用应是由内部众多金属氧化物颗粒间的肖特基接面二极管效应而产生，但对外并不呈现二极管的特性，因此平常并不列在二极管分类之中。二极管工作在导通和截止状态时呈现不同的电阻特性。佛山稳压二极管价格

二极管具有快速开关特性，适用于高频电路。深圳光敏二极管尺寸

二极管是由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。二极管的伏安特性，半导体二极管的主要是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。若以电压为横坐标，电流为纵坐标，用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来，就构成二极管的伏安特性曲线，如下图所示（图中虚线为锗管的伏安特性，实线为硅管的伏安特性）。深圳光敏二极管尺寸