神经电子芯片的MEMS微纳加工技术与临床应用：神经电子芯片作为植入式医疗设备的**组件，对微型化、生物相容性及功能集成度提出了极高要求。公司依托0.35/0.18μm高压工艺，成功开发多通道神经电刺激SoC芯片，可实现无线充电与通讯功能，将控制信号转化为精细电刺激脉冲，用于神经感知、调控及阻断。以128像素视网膜假体芯片为例，通过MEMS薄膜沉积技术在硅基基板上制备高密度电极阵列，单个电极尺寸*50μm×50μm，间距100μm，确保对视网膜神经细胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亚胺（PI）与氮化硅复合涂层，经120℃高温固化处理后，涂层厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附与炎症反应，植入体寿命可达5年以上。目前该芯片已批量交付，由母公司中科先见推进至临床前动物实验阶段，针对视网膜退行***变患者，可重建0.1-0.3的视力，为盲人复明提供了突破性解决方案。该技术突破了传统植入设备的体积限制，芯片整体厚度＜200μm，兼容微创植入手术，推动神经调控技术向精细化、长期化发展。MEMS制作工艺中，以PI为特色的柔性电子出现填补了不少空白。江西MEMS微纳米加工
基于MEMS技术的SAW器件：
声表面波(SAW)传感器是近年来发展起来的一种新型微声传感器，是种用声表面波器件作为传感元件，将被测量的信息通过声表面波器件中声表面波的速度或频率的变化反映出来，并转换成电信号输出的传感器。声表面波传感器能够精确测量物理、化学等信息(如温度、应力、气体密度)。由于体积小，声表面波器件被誉为开创了无线、小型传感器的新纪元，同时，其与集成电路兼容性强，在模拟数字通信及传感领域获得了广泛的应用。声表面波传感器能将信号集中于基片表面、工作频率高，具有极高的信息敏感精度，能迅速地将检测到的信息转换为电信号输出，具有实时信息检测的特性，另外，声表面波传感器还具有微型化、集成化、无源、低成本、低功耗、直接频率信号输出等优点。 中国台湾MEMS微纳米加工加盟费用基于MEMS技术的RF射频器件是什么？
微针器件与生物传感集成：公司采用干湿法混合刻蚀工艺制备的微针阵列，兼具纳米级前列锐度（曲率半径<100 nm）与微米级结构强度（抗弯刚度≥1 GPa），可穿透角质层无创提取组织间液或实现透皮给药。在药物递送领域，载药微针通过可降解高分子涂层（如PLGA）实现药物的缓释控制。例如，胰岛素微针贴片可在30分钟内完成药物释放，生物利用度较皮下注射提升40%。此外，微针表面可修饰金纳米颗粒或导电聚合物，集成阻抗/伏安传感模块，实时检测炎症因子（如IL-6）或病原体抗原，检测限低至1 pg/mL。在电化学检测场景中，微针阵列与微流控芯片联用，可同步完成样本提取、预处理与信号分析，将皮肤间质液检测的全程时间缩短至15分钟，为POCT设备的小型化奠定基础。
金属流道PDMS芯片与PET基板的键合工艺：金属流道PDMS芯片通过与带有金属结构的PET基板键合，实现柔性微流控芯片与刚性电路的集成，兼具流体处理与电信号控制功能。键合前，PDMS流道采用氧等离子体活化处理（功率100W，时间30秒），使表面羟基化；PET基板通过电晕处理提升表面能，溅射1μm厚度的铜层并蚀刻形成电极图案。键合过程在真空环境下进行，施加0.5MPa压力并保持30分钟，形成化学共价键，剥离强度＞5N/cm。金属流道内的电解液与外部电路通过键合区的Pad连接，接触电阻＜100mΩ，确保信号稳定传输。该技术应用于微流控电化学检测芯片时，可在10μL的反应体系内实现多参数同步检测，如pH、离子浓度与氧化还原电位，检测精度均优于±1%。公司优化了键合设备的温度与压力控制算法，将键合缺陷率（如气泡、边缘溢胶）降至0.5%以下，支持大规模量产。此外，PET基板的可裁剪性与低成本特性，使得该芯片适用于一次性检测试剂盒，单芯片成本较玻璃/硅基方案降低60%，为POCT设备厂商提供了高性价比的集成方案。自研超声收发芯片输出电压达 ±100V、电流 1A，部分性能指标超越国际品牌 TI。
微纳结构的台阶仪与SEM测量技术：台阶仪与扫描电子显微镜（SEM）是微纳加工中关键的计量手段，确保结构尺寸与表面形貌符合设计要求。台阶仪采用触针式或光学式测量，可精确获取0.1nm-500μm高度范围内的轮廓信息，分辨率达0.1nm，适用于薄膜厚度、刻蚀深度、台阶高度的测量。例如，在深硅刻蚀工艺中，通过台阶仪监测刻蚀深度（精度±1%），确保流道深度均匀性＜2%。SEM则用于纳米级结构观测，配备二次电子探测器，可实现5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道侧壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔径（误差＜±5nm）的检测。在PDMS模具复制过程中，SEM检测模具结构的完整性，避免因缺陷导致的芯片流道堵塞。公司建立了标准化测量流程，针对不同材料与结构选择合适的测量方法，如柔性PDMS芯片采用光学台阶仪非接触测量，硬质芯片结合SEM与台阶仪进行三维尺寸分析。通过大数据统计过程控制（SPC），将关键尺寸的CPK值提升至1.67以上，确保加工精度满足需求，为客户提供可追溯的质量保障。基于 0.35/0.18μm 高压工艺的神经电刺激 SoC 芯片，实现多通道控制与生物相容性优化。中国台湾MEMS微纳米加工加盟费用
MEMS四种ICP-RIE刻蚀工艺的不同需求。江西MEMS微纳米加工
MEMS制作工艺ICP深硅刻蚀：
在半导体制程中，单晶硅与多晶硅的刻蚀通常包括湿法刻蚀和干法刻蚀两种方法各有优劣，各有特点。湿法刻蚀即利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光刻胶掩膜覆盖的部分，而达到刻蚀的目的。因为湿法刻蚀是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本身不具方向性，因此湿法刻蚀过程为等向性。
湿法刻蚀过程可分为三个步骤:
1)化学刻蚀液扩散至待刻蚀材料之表面;
2)刻蚀液与待刻蚀材料发生化学反应;
3)反应后之产物从刻蚀材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出。湿法刻蚀之所以在微电子制作过程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的刻蚀选择比等优点。
但相对于干法刻蚀，除了无法定义较细的线宽外，湿法刻蚀仍有以下的缺点:1)需花费较高成本的反应溶液及去离子水:2)化学药品处理时人员所遭遇的安全问题:3)光刻胶掩膜附着性问题;4)气泡形成及化学腐蚀液无法完全与晶片表面接触所造成的不完全及不均匀的刻蚀 江西MEMS微纳米加工
