锗管二极管参数

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。二极管于PN结的半导体材构成，通过控制电场分布实现流的单向导通。锗管二极管参数

普通二极管是由一个PN结构成的半导体器件，即将一个PN结加一两条电极引线做成管芯，并用管壳封装而成。P型区的引出线称为正极或阳极，N型区的引出线称为负极或阴极，如图1所示。普通二极管有硅管或锗管两种，它们的正向导通电压（PN结电压）差别较大，锗管为0.2～0.3V，硅管为0.6～0.7V。点接触型二极管，点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和一块半导体(如锗)的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝和半导体牢固地熔接在一起，三价金属与锗结合构成PN结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成。金属丝为正极，半导体薄片为负极。锗管二极管参数氮化镓二极管使用于高温、高频、高电压和高功率的应用场合，具有较高的工作效率。

二极管是否损坏如何判断：（1）极性的判别，将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VD大约减小2 mV，即具有负的温度系数。

半导体二极管的参数包括较大整流电流IF、反向击穿电压VBR、较大反向工作电压VRM、反向电流IR、较高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下：1、较大整流电流IF：是指管子长期运行时，允许通过的较大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。例如2APl较大整流电流为16mA。2、反向击穿电压VBR：指管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的较高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行。例如2APl较高反向工作电压规定为2OV， 而反向击穿电压实际上大于40V。二极管应存放在防潮、防尘等环境中，避免影响性能。

瞬态抑制二极管(TVS管)，瞬态电压抑制二极管英文名称为Transient Voltage Suppressor，简称TVS，它是一种高效保护器件的一种二极管。当瞬态电压抑制二极的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元 器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流 低、击穿电压偏差 、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。普遍应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器、仪器仪表电路中。瞬态电压抑制二极管有单向和双向两种，单向的引脚有正负极方向性，使用方法和稳压管相同，正极接入低电位，负极接入高电位，反向接入电路中。二极管具有低功耗特性，可节省能源。佛山硅管二极管厂家精选

二极管的工作原理基于PN结的特性，当正向偏置时导通，反向偏置时截止。锗管二极管参数

续流，续流二极管通常是指反向并联在电感线圈,继电器,可控硅等储能元件两端,在 电路中电压或电流出现突变时,对电路中其它元件起保护作用的二极管.续流二极管由于在电路中起到续流的作用而得名，一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管来作为续流二极管。以电感线圈为例，当线圈中有电流通过时，其两端会有感应电动势产生。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的元件产生反向电压。当反向电压高于元件的反向击穿电压时，会把元件如三极管等烧坏。如果在线圈两端反向并联一个二极管(有时候会串接一个电阻)，当流过线圈中的电流消失时，线圈产生的感应电动势就会通过二极管和线圈构成的回路消耗掉，从而保证电路中的其它元件的安全。锗管二极管参数