北京XBM3214DGB赛芯集成MOS 两节锂保

4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574   级联功能/集成均衡/NTC/Sense  保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能移动电源SOC DS6036 30W-100W 2串-6串移动电源.北京XBM3214DGB赛芯集成MOS 两节锂保

XBM2138QFA    2串锂电池保护芯片介绍  35W以内      XBM2138QFA     内置MOS  2串锂保   内置均衡   ：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节 ，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能汕头XBM5770 赛芯方案公司芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。

    在当今快节奏的生活中，移动电源成为了我们不可或缺的电子设备。芯纳推出的移动电源SOC更是为我们带来了全新的体验。移动电源SOC（SystemonChip，系统级芯片）是一种高度集成的芯片，用于移动电源中。它集成了多种功能模块，包括同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块等。高集成度：将多个功能模块集成在一个芯片上，减少了外部元器件的使用，简化了移动电源的设计。多协议双向快充：支持多种充电协议，能够实现充电和双向充电功能，提高充电效率。电池管理：负责电池的充放电管理，包括过充、过放保护，延长电池寿命。电量计算和显示：准确计算电池电量，并通过显示模块向用户展示电量信息。保护功能：提供输入/输出的过压/欠压保护、NTC过温保护、放电过流保护、输出短路保护等，确保移动电源和连接设备的安全。芯纳科技专注代理电源芯片和电子元器件12年。提供的产品和方案包括：移动电源SOC、多口快充SOC、快充充电管理SOC、电源管理芯片、锂电池充电管理、锂电保护、DC转换器、MOS等。致力于为合作伙伴带来增值，为客户的成长与发展竭诚服务，当好供求间之桥梁，谋求产业链的共同发展！

    在当今快节奏的生活中，移动电源成为了我们不可或缺的电子设备。芯纳推出的移动电源SOC更是为我们带来了全新的体验。移动电源SOC（SystemonChip，系统级芯片）是一种高度集成的芯片，用于移动电源中。它集成了多种功能模块，包括同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块等。高集成度：将多个功能模块集成在一个芯片上，减少了外部元器件的使用，简化了移动电源的设计。多协议双向快充：支持多种充电协议，能够实现快速充电和双向充电功能，提高充电效率。电池管理：负责电池的充放电管理，包括过充、过放保护，延长电池寿命。电量计算和显示：准确计算电池电量，并通过显示模块向用户展示电量信息。保护功能：提供输入/输出的过压/欠压保护、NTC过温保护、放电过流保护、输出短路保护等，确保移动电源和连接设备的安全。芯纳科技专注代理电源芯片和电子元器件12年。提供的产品和方案包括：移动电源SOC、多口快充SOC、快充充电管理SOC、电源管理芯片、锂电池充电管理、锂电保护、DC转换器、MOS等。致力于为合作伙伴带来有效增值，为客户的成长与发展竭诚服务，当好供求间之桥梁，谋求产业链的共同发展！带负载防电芯反接0V可充支持带负载电芯反接。

XBM2138内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积） 内置MOS，集成均衡功能XF5131是赛芯退出的一款集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片。江门XBM3204BCA赛芯代理

锂电池保护系列XySemi的产品系列，产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池。北京XBM3214DGB赛芯集成MOS 两节锂保

锂电保护应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。北京XBM3214DGB赛芯集成MOS 两节锂保