深圳开关二极管尺寸

江崎二极管，阻尼二极管又称隧道二极管、穿隧效应二极管、穿隧二极管、透纳二极管，英文名称为Tunnel Diode，它是一种可以高速切换的半导体二极管，其切换速度可到达微波频率的范围，其原理是利用量子穿隧效应。它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。江崎二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半导体二极管，其优点是开关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。二极管有正负两个端子，包括正向导通和反向截止两种状态。深圳开关二极管尺寸

整流二极管： 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。检波二极管： 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件，它具有较高的检波效率和良好的频率特性。开关二极管： 在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。稳压二极管： 稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。马鞍山二极管尺寸由于二管有低成本、易于制造的特点，普遍应用于各种电子设备中。

二极管（Diode）具有单向导电性，即只允许电流沿着一个方向流动，而阻挡反向电流流动。二极管是电子电路中较基本的元件之一，普遍应用于各种电子设备中。单向导通性的实验说明：当输入电源电压Vi比稳压二极管的稳定电压VZ低时，稳压二极管没有击穿而处于反向截止区，此时电路回路中只有比较小的反向漏电电流IR（reverse leakage current），这种工作状态不是稳压二极管的正常工作状态，因为输出电压Vo是随输入电压Vi变化的，没有达到输出稳定电压的目的，如下图所示：当输入电源电压Vi比稳压二极管稳定电压ZT高时，稳压二极管被反向电压击穿，此时回路电流急剧增加。

半导体二极管的参数包括较大整流电流IF、反向击穿电压VBR、较大反向工作电压VRM、反向电流IR、较高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下：1、较大整流电流IF：是指管子长期运行时，允许通过的较大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。例如2APl较大整流电流为16mA。2、反向击穿电压VBR：指管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的较高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行。例如2APl较高反向工作电压规定为2OV， 而反向击穿电压实际上大于40V。在使用二极管时，需注意其正向电压和反向击穿电压的限制，以免损坏器件。

反向偏置（Reverse Bias），在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是反向偏置，所加电压为反向偏置。这种情况下，因为N型区域被注入空穴，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的耗尽层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅“PN结”条目。实际的元件虽然处于反向偏置状态，也会有微小的反向电流（漏电流、漂移电流）通过。当反向偏置持续增加时，还会发生 隧道击穿 或 雪崩击穿 或 崩溃 ，发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的（反向）电压被称为 击穿电压 。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为 击穿区 （ 崩溃区 ）。在击穿区内，电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用。整流二极管用于将交流电信号转换为直流电信号，常用于电源和电视机等设备中。广州续流二极管作用

正向偏置时，二极管内部的PN结被击穿，形成低电阻通道。深圳开关二极管尺寸

Zener二极管：Zener二极管是一种具有特殊稳压特性的二极管，可以在一定范围内稳定地维持电压输出，普遍应用于电源稳压器、电路保护器等领域。总之，二极管在电子领域中应用非常普遍，不同类型的二极管在不同的电路中都有不同的作用和功能。肖特基二极管： 基本原理是在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是开关速度非常快，反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。深圳开关二极管尺寸