三极管工作原理,三极管按材料差异可以分为:锗管三极管和硅管三极管两种,每一种有NPN和PNP两种结构形式,现在市面上使用较为普遍的为:锗PNP和硅NPN两种三极管,那么什么是三极管呢?N表示在高纯度硅中加入适当磷,在电压刺激下三极管产生自由电子导电,p指的是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电。这两种三极管除电源极性存在差异外,其工作原理都是相同的,对于NPN三极管,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,集电区与基区形成的PN结称之为集电结。三极管作为信号放大器、逻辑门、振荡电路等中一种重要元件。南京低频三极管批发价格
三极管的工作原理:这里主要讲一下PNP和NPN。1、PNP,PNP是一种BJT,其中一种n型材料被引入或放置在两种p型材料之间。在这样的配置中,设备将控制电流的流动。PNP晶体管由2个串联的晶体二极管组成。二极管的右侧和左侧分别称为集电极-基极二极管和发射极-基极二极管。2、NPN,NPN中有一种 p 型材料存在于两种 n 型材料之间。NPN晶体管基本上用于将弱信号放大为强信号。在 NPN 晶体管中,电子从发射极区移动到集电极区,从而在晶体管中形成电流。这种晶体管在电路中被普遍使用。南京低频三极管批发价格三极管的放大作用可以将微弱的信号放大到足够大的电压或电流。
极限参数:a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时,虽然不致使管子损坏,但β值明显下降,影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时,集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时,发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时,加在集电极和发射极之间的较大允许电压,使用时如果UCE>U(BR)CEO,管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。
用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表):a.先选量程:R﹡100或R﹡1K档位。b.判别半导体三极管基极:用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极,红表笔分别接半导体三极管另外两各电极,观察指针偏转,若两次的测量阻值都大或是都小,则改脚所接就是基极(两次阻值都小的为NPN型管,两次阻值都大的为PNP型管),若两次测量阻值一大一小,则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量,直到找到基极。三极管简称三极管,三极管较常见的应用是放大电路,但是三极管还有很多其它作用。三极管的输出电阻较低,可以提供较大的输出功率。
用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表):1.判别半导体三极管的c极和e极:确定基极后,对于NPN管,用万用表两表笔接三极管另外两极,交替测量两次,若两次测量的结果不相等,则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极,红笔接得是c极(若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反)。2.判别半导体三极管的类型。如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其另外两个电极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管是NPN型半导体三极管,如果 测量的电阻值都很小,则该三极管是PNP型半导体三极管。三极管可以用于音频放大器、射频放大器、开关电源等电子设备中。南京低频三极管批发价格
负载能力是衡量三极管性能的重要指标,影响电路的稳定性和可靠性。南京低频三极管批发价格
三极管分为NPN和PNP两种类型,示意图如下所示:以下都以NPN型三极管为例说明三极管原理。三极管发射区的参杂浓度非常高,有非常多的载流子——自由电子,集电区的参杂浓度低一些,但是面积非常大,基区的厚度非常薄,厚度只有几十微米。由于电子的扩散运动以及漂移运动,PN结形成内部电场,由于三极管是NPN结构,因此内部有两个PN结,集电区和基区形成集电结,发射区和基区形成发射结,形成两个内部电场:对三极管有一些了解的朋友都知道,要想三极管工作在放大区,必须集电结反向偏置,发射结正向偏置,只有这样才能使三极管导通。南京低频三极管批发价格