海南光伏行业陶瓷靶材

江苏迪纳科精细材料股份有限公司是一家主要生产和销售陶瓷，金属，合金等各类型靶材。陶瓷靶材以氧化铟基和氧化锌基为主，金属和合金靶材以各种熔炼工艺和挤压锻造工艺为主。ITO靶材应用领域1、平板显示器(纯度4N)在平板显示领域，ITO靶材主要用于制作ITO导电玻璃及触控屏电极平板，是LCD、PDP、OLED、触摸屏等各类平板显示器件制备的主要材料。显示面板一般涉及上下两层ITO导电膜，用量较大，ITO靶材是平板显示领域用量比较大的靶材之一。2、薄膜太阳能电池(纯度4N)ITO是一种透明导电层，在太阳能电池中作为透光层，同时作为电极，一般为正极，另一个电极一般以金属银或铝作为背电极使用。ITO靶材主要用于生成太阳能薄膜电池的背电极。3、保温透光领域ITO透明导电膜玻璃作为发热体，通电后可以除冰霜，用于飞机挡风玻璃、飞机防眩窗、激光测距仪、潜望镜观察窗等多年来已得到了大规模的应用。ITO透明导电膜玻璃正反面具有相反的红外线通过及反射性能，玻璃正面具有优良的红外线通性，衰减量极小，而反面又具有红外线阻挡反射作用，因而该种玻璃具有优良的保温透光性能，已大量用于制造冷藏柜，随着成本的降低将有望用于房屋节能。在反应溅射过程中，靶材表面的溅射通道区域被反应产物覆盖或反应产物被剥离，金属表面重新暴露。海南光伏行业陶瓷靶材

    氧化铌靶材是由氧化铌制成的靶材，一般用于物理、化学研究中。氧化铌是一种白色固体粉末，化学式为Nb2O5，分子量为g/mol。它在高温下稳定，能够耐受强酸和强碱的侵蚀。氧化铌靶材的制备方法主要包括热压制法和磁控溅射法。热压制法通常是将氧化铌粉末与一定比例的聚丙烯酸树脂（PVA）混合，制成均匀的混合物，并经过球磨和干燥处理。然后将混合物加热并施加强压，将其压制成靶材。此方法得到的氧化铌靶材质地均匀，结构致密，适合用于高温下的实验和开发。磁控溅射法是将高纯度的氧化铌材料放置到真空腔体中，施加一定电压和电流，使靶材表面的分子得到激发和离子化，并沉积在基片表面上形成薄膜或其他纳米材料。此方法操作简便，能够得到高质量的氧化铌薄膜和其他纳米材料。 吉林功能性陶瓷靶材厂家永久磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。

靶材预溅射建议采用纯氩气进行溅射，可以起到清洁靶材表面的作用。靶材进行预溅射时建议慢慢加大溅射功率，陶瓷类靶材的功率加大速率建议为1.5W小时/平方厘米。金属类靶材的预溅射速度可以比陶瓷靶材快，一个合理的功率加大速率为1.5W小时/平方厘米。在进行预溅射的同时需要检查靶材起弧状况，预溅射时间一般为10分钟左右。如没有起弧现象，继续提升溅射功率到设定功率。根据经验，一般应确保冷却水出水口的水温应低于35摄氏度，但非常重要的是确保冷却水的循环系统能有效工作，通过冷却水的快速循环带走热量，是确保能以较高功率连续溅射的一项重要保障。

靶材开裂影响因素裂纹形成通常发生在陶瓷溅射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料溅射靶材（如铬、锑、铋等）中。陶瓷或脆性材料目标始终包含固有应力。这些内应力是在靶材制造过程中产生的。此外，这些应力不能通过退火过程完全消除，因为它是这些材料的固有特性。在溅射过程中，轰击的气体离子将其动量传递给目标原子，为它们提供足够的能量来脱离晶格。这种放热动量传递增加了目标的温度，在原子水平上可能达到1，000，000摄氏度。这些热冲击将目标中已经存在的内部应力增加到许多倍。在这种情况下，如果不注意适当的散热，靶材可能会开裂。靶材开裂预防措施为了防止靶材开裂，重要的考虑因素是散热。一方面运用水冷机制来去除靶材中不需要的热能，另一方面考虑提高功率，在很短的时间内提升功率也会给目标带来热冲击。此外，建议将这些靶材绑定到背板上，这不仅为靶材提供支撑，而且还促进靶材与水之间更好的热交换。如果靶材破裂有背板加持的情况下，它仍然可以毫无问题地使用。通常靶材变黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反应气体和溅射气体比例的影响。

平板显示行业主要在显示面板和触控屏面板两个产品生产环节需要使用靶材溅射镀膜，主要用于制作ITO玻璃及触控屏电极，用量比较大的是氧化铟锡（ITO）靶材，其次还有钼、铝、硅等金属靶材。1）平板显示面板的生产工艺中，玻璃基板要经过多次溅射镀膜形成ITO 玻璃，然后再经过镀膜，加工组装用于生产LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）触控屏的生产则还需将ITO 玻璃进行加工处理、经过镀膜形成电极，再与防护屏等部件组装加工而成。采用硅靶材溅镀形成的二氧化硅膜则主要起增加玻璃与ITO 膜的附着力和平整性、表面钝化和保护等作用，MoAlMo（钼铝钼）靶材镀膜后蚀刻主要起金属引线搭桥的作用。此外，为了实现平板显示产品的抗反射、消影等功能，还可以在镀膜环节中增加相应膜层的镀膜。靶材预溅射建议采用纯氩气进行溅射，可以起到清洁靶材表面的作用。贵州氧化物陶瓷靶材生产企业

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研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料，因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中，用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材，直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比，具有沉积速度快，膜质优良，工艺易控等优点成为目前的主流?但是，此法成膜过程中会经常发生ITO靶材表面黑色化，生成黑色不规则球状节瘤，本文称此现象为靶材毒化，毒化使溅射速率下降，膜质劣化，迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射，严重影响了镀膜效率。海南光伏行业陶瓷靶材