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二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

恒流二极管 ( 英语 : Constant Current Diode ) (或称定电流二极管,CRD、Current Regulative Diode),被施加顺方向电压的场合,无论电压多少,可以得到一定的电流的元件。通常的电流容量在1~15mA的范围。虽然被称为二极管,但是构造、动作原理都与接合型电场效应晶体管相似。变容二极管,施加反向偏置,二极管PN接合的耗尽层厚度会因电压不同而变化,产生静电容量(接合容量)的变化,可当作由电压控制的可变电容器使用。没有机械零件所以可靠度高,普遍应用于压控振荡器或可变电压滤波器,也是电视接收器和移动电话不可缺少的零件。双向二极管适用于双向传输电流的场合,具有正向和反向导电能力。广州贴片二极管供应商

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二极管特性及参数:1、二极管伏安特性,导通后分电压值约为 0.7 V(硅管)或0.3V(锗管)(LED 约为 1-2 V,电流 5-20 mA)。反向不导通,但如果达到反向击穿电压,那将导通(超过反向较大电压可能烧坏)。正向电压很小时不导通(0.5 V 以上时才导通)。2、主要参数:较大整流电流 I_FIF: 表示长期运行允许的较大正向平均电流,超出可能因结温过高烧坏。较高反向工作电压 U_RUR:允许施加的较大反向电压,超出可能击穿。(U_RUR 通常为击穿电压的一半)。反向电流 I_RIR: 未击穿时的反向电流,越小导电性越好。较高工作频率 f_MfM: 上线截止频率。因结电容作用,超出可能不能很好体现的单向导电性。广州贴片二极管供应商二极管的主要作用是将交流信号转换为直流信号,实现电能的转换和控制。

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整个真空管时代,这种二极管应用于模拟信号,并在消费电子产品(如收音机、电视机、音响系统)的直流供电设备中当做整流器。20世纪40年代,在那些供电设备内的真空管开始被硒整流器所替代,然后在1960年代又被半导体二极管替代。如今,二极管仍然在一些高功率应用场合中使用,由于能够承受瞬变和较好的鲁棒性,使得他们比半导体器件的优势能够显现出来。尤其是音频处理上,真空管基本不存在瞬态互调失真、开关失真及交越失真等影响音质的问题。

静电放电(ESD)二极管,静电放电的英文全称为Electro-Static Discharge,简称ESD,ESD二极管是一种具有两个电极的半导体器件,当加在两极间的电压达到一定值时,在其间产生电场使电子移动而形成电流。当ESD二极管的两只引脚之间加有交变电压时,则其集电极和发射结之间的电容量就会发生变化;如果此时给该二极管加上反向偏置电压或输入一个低电平的信号脉冲,则它的输出端将会出现很大的电流。这就是所谓的“漏极开路”现象(简称“开路”)。二极管的温度也会影响其性能,应注意避免过热。

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频率倍增用二极管,频率倍增用二极管英文名称为Frequency doubled diode,对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间TRR短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间明显的短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因TT(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。正确选择二极管型号和参数对于电路的稳定性和可靠性至关重要。深圳键型二极管厂家供应

二极管正向导通时具有低电阻,反向截止时具有高电阻,具有整流和限流功能。广州贴片二极管供应商

快恢复二极管英文名称为Fast Recovery Diodes,简称FRD,是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。快恢复二极管的外形和普通二极管相同,原理图和PCB库的参照整流二极管。广州贴片二极管供应商

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