肇庆整流二极管行价

变容二极管： 变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被普遍地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。瞬态电压抑制二极管TVS： 一种固态二极管，专门用于ESD保护。TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。发光二极管LED： 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。二极管作为电子元器件的重要一员，其发展和应用推动了电子技术的进步。肇庆整流二极管行价

二极管是电路中经常用的一种电子元器件看，它的英文名称是Diode,又称晶体二极管，是用P型和N型半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子元器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。二极管引脚是有正负极性区分的，A（Anode）表示正极，K（Cathode，C的发音为[K])表示负极,在负极的方向会有丝印标记，称为阴极线。肇庆整流二极管行价. 在电源管理中，稳压二极管可提供稳定的电压输出。

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。

阻尼二极管，阻尼二极管英文名称为Damping diode，它具有较高的反向工作电压和峰值电流，较小的正向压降，高频高压整流二极管，可用作电视线路扫描电路中的阻尼和升压整流器。阻尼二极管主要用于黑白或彩电线路扫描电路的阻尼、整流电路，可以是硅二极管或锗二极管。它具有类似于高频高压整流二极管的特性。它的反向恢复时间很短，能够承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流。它可以工作在高频(线路频率)，并具有较低的正向压降。二极管的反向电压应小于其击穿电压，以防止击穿现象的发生。

值得注意的是，随着电子技术的不断发展，稳压二极管和普通二极管也在不断升级和优化。新型的稳压二极管具有更高的精度和更低的功耗，能够满足更高要求的电路应用；而新型普通二极管则具有更快的响应速度和更高的可靠性，能够更好地适应复杂的电路环境。总之，稳压二极管和普通二极管作为电子工程中常用的元件，它们在功能、结构、电性能和应用场景等方面都存在着明显的差异。了解这些差异有助于我们更好地选择和使用这两种元件，从而构建出稳定、可靠的电路系统。同时，随着技术的不断进步，我们可以期待这两种元件在未来能够发挥更加出色的性能，为电子工程领域的发展做出更大的贡献。二极管具有低功耗特性，可节省能源。肇庆激光二极管厂商

二极管还可用于光电转换，将光信号转换为电信号。肇庆整流二极管行价

快恢复二极管英文名称为Fast Recovery Diodes，简称FRD，是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。快恢复二极管的外形和普通二极管相同，原理图和PCB库的参照整流二极管。肇庆整流二极管行价