基于训练数据获取经加权值36。接下来，进入推理/分类阶段314。在推理/分类阶段314中，mlc42基于经加权值36对验证数据进行分类。在验证数据的分类之后，使用者将这种分类与参考分类进行比较，从而获得一校正率。如果这样的校正率满足在操作504中在规范中获得的所需校正率，则推理/分类阶段314结束，并且进入预测阶段316。如果校正率不满足所需的校正率，则重复上述过程。图8的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于图6的迭代流程的图5的预测阶段316。参照图8，不执行操作502的评估。mlc42控制src电路104而不需要人力。因此，使用mlc42来调整回转率是相对方便的。图9是根据本公开的一些实施例的图3的机器学习电路42的电路图。参考图9，mlc42包括一测量电路60、一数据库70和一分类器电路80。测量电路60经配置以通过实际测量信号dout来获取信号dout的一实际电压vout，并提供实际电压vout。实际电压vout的微分决定信号dout的实际回转率。测量电路60将多个实际电压vout值提供给数据库70以存储在数据库70。数据库70将实际电压vout提供给使用者界面44。使用者界面44例如在使用者界面44的显示器上显示实际电压vout。分类器电路80从数据库70获得电压vout。此外。上海海谷电子有限公司电子料回收值得用户放心。海南集成电路回收价格
可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg以及双倍心轴图案dpg1和dpg2。例如，四倍心轴图案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成顺序地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。在一些实施例中，第三栅极节距pg23是距下一个单元线路结构的距离。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。表达式3pg21＝wdg+wglpg22＝wqg-wglpg23＝pqg-(wqg+2wdg+wgl)在表达式3中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wqg表示四倍心轴图案qpg的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。在下文中，将参照图8、图9和图10描述通过saqp形成多条列金属线的示例实施例。参照图8、图9和图10，单元线路结构uws4、uws5和uws6中的每个可以包括分别布置在方向x上的十二条列金属线ml1至ml12和八条栅极线gl1至gl8。如参照图4a至图4i所述，可以在列导电层ccl上方顺序地形成四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3以及双心轴图案dpm1至dmp6。例如。浙江呆滞料回收电子料回收价格优惠，请找上海海谷电子有限公司，欢迎新老客户来电！
位线解码器116被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr1选择性地向一条或多条位线bl1至bl2提供信号(例如，电压)。而字线解码器118被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr2选择性地向一条或多条字线wl1至wl2提供信号(例如，电压)。调节访问装置108被配置为调节电流(提供给相关的工作mtj器件106的信号)，并且由此选择性地对相关的工作mtj器件106提供访问。例如，在写入操作期间，存储器阵列102内的调节访问装置108可以对选择的存储单元内的工作mtj器件提供大于或等于小切换电流(即，足以使存储单元的数据状态改变的电流)电流，而对未选择的存储单元内的工作mtj器件提供小于小切换电流的电流。使用调节访问装置108来选择性地对工作mtj器件106提供访问提供了没有驱动晶体管的存储单元。没有驱动晶体管的存储单元允许存储器阵列102的尺寸减小，从而改进存储器电路100的性能并且减小成本。图2示出了具有调节访问装置的存储器电路200的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节mtj器件。存储器电路200包括存储器阵列102，存储器阵列102具有以行和列布置的多个存储单元202a,1至202c,3(例如，mram单元)。多个存储单元202a。
从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1的示意图说明调整信号的回转率的比较方法。图2的流程图说明参考图1所示的比较方法的迭代流程。图3是根据本公开的一些实施例的具有一机器学习电路的一电路的示意图。图4是根据本公开的一些实施例的神经网络的网络示意图，其中该神经网络通过图3的机器学习电路执行任务。图5是根据本公开的一些实施例的通过图3的机器学习电路执行的程序的流程图。图6的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于具有图3的机器学习电路的电路的迭代流程。图7的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于图6的迭代流程的图5的一训练阶段和推断阶段。上海海谷电子有限公司为您提供 电子料回收，有需要可以联系我司哦！
1可以包括工作mtj器件106和调节访问装置108，调节访问装置108具有形成在第三互连层406c和第四互连层406d之间的调节mtj器件204和206。第二存储单元202b,1可以根据与关于图9至图11描述的那些类似的步骤形成。图13示出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法1300的一些实施例的流程图，该存储器电路包括具有调节访问装置的存储单元(例如，mram单元)，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。虽然方法300示出和描述为一系列步骤或事件，但是应该理解，这些步骤或事件的示出的顺序不被解释为限制意义。例如，一些步骤可以以不同的顺序发生和/或与除了此处示出的和/或描述的一些的其它步骤或事件同时发生。此外，可能不是所有示出的步骤对于实施此处描述的一个或多个方面或实施例都是需要的，并且此处描述的一个或多个步骤可以在一个或多个单独的步骤和/或阶段中实施。在步骤1302中，在衬底上方形成互连层。互连层可以形成在衬底上方的ild层内。图9示出了对应于步骤1302的一些实施例的截面图900。在步骤1304中，在互连层的连续上表面正上方形成多个底电极通孔。图10示出了对应于步骤1304的一些实施例的截面图1000。在步骤1306中。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司，有需求可以来电咨询！浙江呆滞料回收
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字线解码器118被配置为选择性地将信号施加至连接至存储器阵列102的一条或多条字线wl1至wl6，并且位线解码器116被配置成选择性地将信号施加至连接至存储器阵列102的一条或多条位线bl1至bl3。通过选择性地将信号施加至一条或多条字线wl1至wl6和一条或多条位线bl1至bl3，可以在相互排斥的情况下选择性地访问多个工作mtj器件106中的不同工作mtj器件106。例如，图3a至图3b示出了图2的存储器电路200的写入操作的一些实施例的示意图300和302。示意图300和302所示的写入操作是实施写入操作的方法的非限制性实例。在其它实施例中，可以可选地使用实施写入操作的其它方法。图3a至图3b中示出的写入操作在步骤(图3a所示)期间将数据状态写入至存储器阵列的一行中的一个或多个存储单元，并且在随后的第二步骤(图3b所示)期间将第二数据状态写入至存储器阵列的该行中的一个或多个存储单元，以使用两步工艺将数据写入至存储器阵列102的整个行。应该理解，为了将数据写入mtj器件，提供的通过mtj器件的电流必须大于切换电流(即，临界切换电流)。不大于切换电流的电流将不会导致电阻状态之间的切换，并且因此不会将数据写入存储器阵列102内的mtj器件。在一些实施例中。海南集成电路回收价格
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