玻璃放电管的工作原理玻璃放电管由封装在充满惰性气体的玻璃管中相隔一定距离的两个电极组成。其电气性能基本上取决于气体种类、气体压力以及电极距离，中间所充的气体主要是凤或氲，并保持一定压力,电极表面涂以发射剂以减少电子发射能。这些措施使得动作电压可以调整(一般是200伏到几千伏)，而且可以保持在一个确定的误差范围内。当其两端电压低于放电电压时，气体放电管是一个绝缘体(电阻Rohm>100M2)。当其两端电压升高到大于放电电压时，产生弧光放电，气体电离放电后由高阻抗转为低阻抗,使其两端电压迅速降低。玻璃放电管受到瞬态高能量冲击时，它能以10-9秒量级的速度将其两极间的高阻抗变为低阻抗，通过高达千安量级的浪涌电流。玻璃放电管的选型技巧@玻璃放电管既可以用作电源电路的保护，也可以用作信号电路的保护，既可以用作共模保护，也可以用作差模保护。但只能用在浪涌电流不大于3kA的地方。@直流击穿电压VS的选择:直流击穿电压VS的最小值应大于可能出现的比较高电源峰值电压或比较高信号电压的1.2倍以ro自在有可能出现续流的地方(如电源电路)使用时，必须串联限流电阻或自恢复保险丝，防止玻璃放电管击穿后长时间导通而损坏。气体放电管只选凯轩业科技有限公司，信赖之选。天津自动化半导体放电管
放电管的工作原理是气体放电。当外加电压增大到超过气体的绝缘强度时，两极间的间隙将放电击穿，由原来的绝缘状态转化为导电状态，导通后放电管两极之间的电压维持在放电弧道所决定的残压水平。五极放电管的主要部件和两极、三极放电管基本相同，有较好的放电对称性，可适用于多线路的保护。（常用于通信线路的保护）从暂态过电压开始作用于放电管两端的时刻到管子实际放电时刻之间有一个延迟时间，该时间就称为响应时间。响应时间的组成：一是管子中随机产生初始电子-离子对带电粒子所需要的时间，即统计时延；二是初始带电粒子形成电子崩所需要的时间，即形成时延。为了测得放电管的响应时间，需要用固定波头上升陡度du/dt的电压源加到放电管两端测取响应时间，取多次测量的平均值作为该管子的响应时间。天津自动化半导体放电管气体放电管采用陶瓷密闭封装，内部由两个或数个带间隙的金属电极，充以情性气体(显气或氛气)构成。
气体放电管的结构及特性开放型气体放电管放电通路的电气特性主要取决于环境参数，因而工作的稳定性得不到保证。为了提高气体放电管的工作稳定性，气体放电管大都采用金属化陶瓷绝缘体与电极进行焊接技术，从而保证了封接的外壳与放电间隙的气密性，这就为选择放电管中的气体种类和压力创造了条件，气体放电管内一般充电极有氖或氢气体。气体放电管有二极放电管及三极放电管两种类型。有的气体放电管带有电极引线，有的则没有电极引线。
浪涌电压抑制器件分类浪涌电压抑制器件基本上可以分为两大类型。第一种类型为橇棒（crowbar）器件。其主要特点是器件击穿后的残压很低，因此不仅有利于浪涌电压的迅速泄放，而且也使功耗**降低。另外该类型器件的漏电流小，器件极间电容量小，所以对线路影响很小。常用的撬棒器件包括气体放电管、气隙型浪涌保护器、硅双向对称开关（CSSPD）等。另一种类型为箝位保护器，即保护器件在击穿后，其两端电压维持在击穿电压上不再上升，以箝位的方式起到保护作用。常用的箝位保护器是氧化锌压敏电阻(MOV)，瞬态电压抑制器（TVS）等。3、气体放电管的构造及基本原***体放电管采用陶瓷密闭封装，内部由两个或数个带间隙的金属电极，充以惰性气体（氩气或氖气）构成，基本外形如图1所示。当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时，气体放电管便开始放电，并由高阻变成低阻，使电极两端的电压不超过击穿电压.接地连线应当具有尽量短的长度接地连线应具有足够的截面，以泄放暂态大电流。
接地连线应当具有尽量短的长度接地连线应具有足够的截面，以泄放暂态大电流。放电管的失效模式放电管受到机械碰撞，超耐受的暂态过电压多次冲击以及内部出现老化后，将发生故障。故障的模式（即失效模式）有两种：第一种是呈现低放电电压和低绝缘电阻状态；第二种是呈现高放电电压状态。开路故障模式比短路故障模式具有更大的危害性：开路故障模式令人难以及时察觉，从而不能采取补救措施。现在的电源SPD产品中，带有失效报警装置，如声，光报警，颜色变化提示等，这些措施的采取对于及时发现和更换已经失效的SPD是有利的。气体放电管的结构及特性开放型放电管放电通路的电气特性主要取决于环境参数，因而工作的稳定性得不到保证。天津自动化半导体放电管
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半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。选用半导体放电管应注意以下几点：1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A；Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。天津自动化半导体放电管
