PCB板层布局与EMC
✪关键电源平面与其对应的地平面相邻电源、地平面存在自身的特性阻抗，电源平面的阻抗比地平面阻抗高，将电源平面与地平面相邻可形成耦合电容，并与PCB板上的去耦电容一起降低电源平面的阻抗，同时获得较宽的滤波效果。通过研究发现，门的反转能量首先由电源与地平面之间的电容来提供，其次才由去耦电容决定。
✪参考面的选择应推荐地平面电源、地平面均能用作参考平面，且有一定的屏蔽作用。但相对而言，电源平面具有较高的特性阻抗，与参考电平存在较大的电位差。从屏蔽角度考虑，地平面一般均作接地处理，并作为基准电平参考点，其屏蔽效果远远优于电源平面。
✪相邻层的关键信号不跨分割区这样将形成较大的信号环路，产生强的辐射和敏感度问题。
✪元件面下面有相对完整的地平面对多层板必须尽可能保持地平面的完整，通常不允许有信号线在地平面上走线。当走线层布线密度太大时，可考虑在电源平面的边缘走线。
✪高频、高速、时钟等关键信号有一相邻地平面这样设计的信号线与地线间的距离*为线路板层间的距离，高频电路将选择环路面积**小的路径流动，因此实际的电流总在信号线正下方的地线流动，形成**小的信号环路面积，从而减小辐射。
防止PCB板翘的方法有哪些呢？pcb样板打样
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PCB多层板LAYOUT设计规范之十七：
133.各功能单板对电源的电压波动范围、纹波、噪声、负载调整率等方面的要求予以明确，二次电源经传输到达功能单板时要满足上述要求
134.将具有辐射源特征的电路装在金属屏蔽内，使其瞬变干扰**小。
135.在电缆入口处增加保护器件
136.每个IC的电源管脚要加旁路电容（一般为104）和平滑电容(10uF~100uF)到地，大面积IC每个角的电源管脚也要加旁路电容和平滑电容
137.滤波器选型的阻抗失配准则：对低阻抗噪声源，滤波器需为高阻抗（大的串联电感）；对高阻抗噪声源，滤波器就需为低阻抗（大的并联电容）
138.电容器外壳、辅助引出端子与正、负极以及电路板间必须完全隔离
139.滤波连接器必须良好接地，金属壳滤波器采用面接地。
140.滤波连接器的所有针都要滤波
141.数字电路的电磁兼容设计中要考虑的是数字脉冲的上升沿和下降沿所决定的频带宽而不是数字脉冲的重复频率。方形数字信号的印制板设计带宽定为1／πtr，通常要考虑这个带宽的十倍频
在高速PCB设计原理图设计时，如何考虑阻抗匹配问题？
在设计高速PCB电路时，阻抗匹配是设计的要素之一。而阻抗值跟走线方式有直接的关系，例如是走在表面层(microstrip)或内层(stripline/doublestripline)，与参考层(电源层或地层)的距离，走线宽度，PCB材质等均会影响走线的特性阻抗值。也就是说要在布线后才能确定阻抗值。一般仿真软件会因线路模型或所使用的数学算法的限制而无法考虑到一些阻抗不连续的布线情况，这时候在原理图上只能预留一些terminators(端接)，如串联电阻等，来缓和走线阻抗不连续的效应。真正根本解决问题的方法还是布线时尽量注意避免阻抗不连续的发生。 浅谈PCB多层板设计时的EMI的规避技巧。
RF PCB的十条标准之一
1小功率的RF的PCB设计中，主要使用标准 的FR4材料（绝缘特性好、材质均匀、介电常数ε=4，10%）。主要使用4层~6层板，在成本非常敏感的情况下可以使用厚度在1mm以下的双面板，要保 证反面是一个完整的地层，同时由于双面板的厚度在1mm以上，使得地层和信号层之间的FR4介质较厚，为了使得RF信号线阻抗达到50欧，往往信号走线的 宽度在2mm左右，使得板子的空间分布很难控制。对于四层板，一般情况下顶层只走RF信号线，第二层是完整的地，第三层是电源，底层一般走控制RF器件状 态的数字信号线（比如设定ADF4360系列PLL的clk、data、LE信号线。）第三层的电源比较好不要做成一个连续的平面，而是让各个RF器件的电 源走线呈星型分布，***接于一点。第三层RF器件的电源走线不要和底层的数字线有交叉。 PCBLAYOUT设计规范有哪些呢？快板pcb打样
公司成立以来，一直专注样品，中小批量领域。pcb样板打样
PCB多层板LAYOUT设计规范之二十七-器件选型：
239.选用滤波器连接器时，除了要选用普通连接器时要考虑的因素外，还应考虑滤波器的截止频率。当连接器中各芯线上传输的信号频率不同时，要以频率比较高的信号为基准来确定截止频率
240.封装尽可能选择表贴
241.电阻选择优先碳膜，其次金属膜，因功率原因需选线绕时，一定要考虑其电感效应242.电容选择应注意铝电解电容、钽电解电容适用于低频终端；陶制电容适合于中频范围（从KHz到MHz）；陶制和云母电容适合于甚高频和微波电路；尽量选用低ESR（等效串联电阻）电容
243.旁路电容选择电解电容，容值选10-470PF，主要取决于PCB板上的瞬态电流需求
244.去耦电容应选择陶瓷电容，容值选旁路电容的1/100或1/1000。取决于**快信号的上升时间和下降时间。比如100MHz取10nF，33MHz取4.7-100nF，选择ESR值小于1欧姆选择NPO（锶钛酸盐电介质）用作50MHz以上去耦，选择Z5U（钡钛酸盐）用作低频去耦，比较好是选择相差两个数量级的电容并联去耦
245.电感选用时，选择闭环优于开环，开环时选择绕轴式优于棒式或螺线管式。选择铁磁芯应用于低频场合，选择铁氧体磁心应用于高频场合
246.铁氧体磁珠高频衰减10dB
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