电磁压力传感器是多种利用电磁原理的传感器统称，主要包括电感压力传感器、霍尔压力传感器、电涡流压力传感器等。电感式压力传感器的工作原理是由于磁性材料和磁导率不同，当压力作用于膜片时，气隙大小发生改变，气隙的改变影响线圈电感的变化，处理电路可以把这个电感的变化转化成相应的信号输出，从而达到测量压力的目的。该种压力传感器按磁路变化可以分为两种：变磁阻和变磁导。电感式压力传感器的优点在于灵敏度高、测量范围大；缺点就是不能应用于高频动态环境。测定腐蚀性、高黏度或温度过高时,需要选用带隔膜。山东控制器收购价格
空气开关是普通用户接触到多的电气元件之一，于是就有不少朋友开始疑惑：这个名字好奇怪，为什么要以“空气”为名呢？用空气绝缘的（就是说有一定的空气间隙）就叫做“空气断路器”俗称“空气开关”。给大家分析空气开关的原理以及分类的情况：空气开关，又叫作空气断路器，它是断路器的一种，家庭用的小型的空气开关我们常称之为微断也就是微型断路器，空气开关是一种只要电路中的电流超过了空气开关的额定电流就会自动断开电路进行保护的电气元器件；空气开关它是集控制和保护功能与一身的电器，除了空气开关本身的接通和断开电路以外，还可以对电路和电器发生的短路，过载以及过电压或者是欠电压进行保护，它还可以用于不太频繁的电机的启动操作；空气开关的脱扣方式有三种，这三种脱扣方式分别是热动，电磁和复试三种脱扣方式，空气开关根据脱扣时的脱扣曲线的不同，我们要把空气开关分为大致四种ABCD等四类，其实这四类脱扣曲线的不同也就是脱扣电流的不同，说白了就是这几类空气开关的脱扣灵敏度不同，从A类曲线到B类曲线到C类曲线到D类曲线，灵敏度依次降低，依次来适应于不同的场合。上海防爆差压控制器价格比较上海中和温度控制器怎么样。
D501/7D防爆压力控制器防爆标志ExedⅡCT4～T6膜片式传感器用于中性气体、液体介质。设定值调理范围-0…2.5MPa
本压力控制器的下列零件契合
微动开关——防爆标志ExdⅡCT6（隔爆型）
接线端子——防爆标志ExeⅡT6
防爆外壳——防爆等级eⅡ（增安型）
本产品国家仪器仪表防爆安全监督查验站查验合格，合格证编号为GYB081516X
主要技术指标
可用于空气、气体、水、液压油、润滑油、轻燃油等工作粘度：<1×10-3m2/s
外壳防护等级：IP54
（DIN40050）
环境温度：-5～40℃
介质温度：0～90℃
接口方向：压力接口垂直向下
抗振功能：Max：40m/s2
重复性差错：≤1.5%
触点容量:DC250V0.25A（阻性）60Wmax
AC250V5A（阻性）1250VAmax
应变式压力传感器应变式压力传感器是一种通过测量各种弹性元件的应变来间接测量压力的传感器。根据制作材料的不同，应变元件可以分为金属和半导体两大类。应变元件的工作原理基于导体和半导体的“应变效应”，即当导体和半导体材料发生机械变形时，其电阻值将发生变化。当金属丝受外力作用时，其长度和截面积都会发生变化，其电阻值即会发生改变，假如金属丝受外力作用而伸长时，其长度增加，而截面积减少，电阻值便会增大。当金属丝受外力作用而压缩时，长度减小而截面增加，电阻值则会减小。只要测出加在电阻两端的电压的变化，即可获得应变金属丝的应变情况。按设定点：设定点可调型和设定点不可调型两种。
D500/7D压力控制器，膜片式传感器用于空气等中性气体和液体介质。设定值调理范围-2.5~2.5(KPa)MPa。
设定值的调整（详见压力控制器设定值的调整）
在实践工作中，即便短暂的压力峰值，也不能超过此值。
设定值的调整
1、不可调切换差的控制器设定值调整步骤。举例说明如下：
例：选用订购号为0814700的控制器，要求将压力上升至0.5MPa(上切换值)发出触点信号，其操作步骤参见1.1～1.5。（如图一所示）
1.1松开锁紧器，将产品旋入压力校验台的螺纹接口上，注意必须用扳手夹持传感器的平面部分，***避免开关壳体与传感器发生相对滚动。
1.2翻开盖板，将电缆穿过电缆接口接入端子板中，电缆另一头接上万用表。
1.3将压力加至0.5MPa，此值可以从规范压力计中读出。
1.4顺时针旋动设定值调理螺杆，使设定值由大变小，直至开关触点在0.5MPa处切换。
1.5旋紧锁紧器，调理压力校验台的压力，使压力在0.5MPa上下来回变化，
检验压力上升时，触点的切换值是否是0.5MPa，此值即为要设定的上切换值。其对应的下切换值应是0.5MPa减去切换差0.03MPa（左右），即为0.47MPa（左右） 上海中和D502/7D防爆压力控制器的价格。山东控制器收购价格
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霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。山东控制器收购价格
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