高压压力控制器用于控制高压压力或者说排气压力，在风冷式冷凝器风量不足或断风时，水冷式冷凝器水量不足或水温过高，甚至断水时，或其它原因致使高压压力超过压力控制器调定值时，控制器跳开，断开接触器的电路，使压缩机停机，保护系统，高压控制器的调定压力以制冷剂的种类及压缩机的性能有关。低压压力控制器，用于控制低压压力或者吸气压力。当系统缺少制冷剂，或者遇堵塞、忘开阀门，或者热负荷过低及其它原因导致低压过低时，控制器起跳，断开接触器的电路，使压缩机停机保护压缩机不在过低压力下运转，提高系统运行的经济性。力控制器是在数字压力计的基础上，利用继电器输出信号，进行上下限的控制。湖北温度控制器
霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。湖北防爆压力控制器厂商高压压力控制器和低压压力控制器的作用原理相同。
应用于液压系统：压力传感器在液压系统中主要是来完成力的闭环控制。当控制阀芯突然移动时，在极短的时间内会形成几倍于系统工作压力的尖峰压力。在典型的行走机械和工业液压中，如果设计时没有考虑到这样的极端工况，任何压力传感器很快就会被破坏。需要使用抗冲击的压力传感器，压力传感器实现抗冲击主要有2种方法，一种是换应变式芯片，另一种方法是外接盘管，一般在液压系统中采用第一种方法，主要是因为安装方便。此外还有一个原因是压力传感器还要承受来自液压泵不间断的压力脉动。
D511/7D,0811611、0801611、0811613、0851681、0841681压力控制器.本控制器选用波纹管式传感器，用于腐蚀性气体和液体介质。设定值调节规模：0.03～1Mpa。首要技能功能
作业粘度：<1╳10-3m2/s
开关元件：微动开关
外壳防护等级：IP65（契合DIN40050，与GB4208中IP65相当）
环境温度：-5～40℃
介质温度：0～90℃
抗振功能：D511/7D：40m/s2D511/7DK：20m/s2
重复性过错：≤1%
触点容量：AC220V6A
特点
使用温度规模大，可用于腐蚀性介质。 控制器分电子式压力控制器和机械式压力控制器。
YWK-100压力控制器采用波纹管式的传感器，可用于空气、蒸汽等中性气体和水、致冷剂、油等液体介质，控制器的值可调，调理规模-0.1～6MPa，控制器壳体用铸铝，为防水型。
单刀双掷
SPDT
微动开关作用过程：
接线端C—NO
压力上升上切换值接通
接线端C—NC
压力上升上切换值断开
作业粘度：<1×10-3m2/s
外壳防护等级：IP65
环境温度：-40～55℃
介质温度：0～120℃
抗振性能：Max40
m/s2
重复性差错：1%
寿数：2×105
触点容量：
单刀双掷：SPDT双断点桥式：2CKTDB
5～15A（阻性）15A-125
125，250240，480
600VAC600VAC
0.5A125VDC 压力控制器是工业过程测量与控制系统中控制压力的一种常用仪表，工程中通常称作压力开关。湖北二位式压力控制器价格
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霍尔压力传感器：霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。湖北温度控制器
