当激光二极管注入电流在临界电流密度以下时，发光机制主要是自发放射，光谱分散较广，频宽大约在100到500埃（埃=10-1奈米，原子直径的数量级就是几个埃〉之间。但当电流密度超过临界值时，就开始产生振荡，***只剩下少数几个模态，而频宽也减小到30埃以下。而且，激光二极管的消耗功率极小，以双异质结构激光为例，比较大的额定电压通常低于2伏特，... 【查看详情】

附图中未显示)及滚轮(附图中未显示)，所述电机驱动滚轮沿所述导轨9移动。进一步地，所述载物平台31的顶面设有滚动件33，在所述水平移动部24拉动储料框4运动时，所述滚动件33可有效减少摩擦，使运行平稳。所述载物平台31的顶面还设有与所述滚动件33的相适配的定位条34，以使滚动件33运动不偏移；参见图5所述卡接部5包括设于所述伸缩板... 【查看详情】

半导体激光管(LD)和普通二极管采用不同工艺，但电压和电流特性基本相同。在工作点时，小电压变化会导致激光管电流变化较大。此外电流纹波过大也会使得激光器输出不稳定。激光二极管对它的驱动电源有十分严格的要求；输出的直流电流要高、电流稳定及低纹波系数、高功率因数等。随着激光二极管的输出功率不断加大，需要高性能大电流的稳流电源来驱动。为了保证半... 【查看详情】

本发明还提出了一种激光二极管光路发射系统，包括光器件壳体、棱镜和上述的一种激光二极管光模块，激光二极管光模块在光器件壳体中，棱镜嵌入在光器件壳体中，激光二极管光模块形成的光路通过棱镜，输出到发射系统的外部。本发明还保护了一种激光二极管芯片安装基板在光通信组件、光通信模块、光通信系统中的用途。与现有技术相比，本发明的有益效果：1.本... 【查看详情】

本实用新型涉及激光二极管检测技术领域，具体为一种激光二极管昱升自制全自动老化测试机。背景技术：目前，激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照pn结材料是否相同，可以把激光二极管分为同质结、单异质结(sh)、双异质结(dh)和量子阱(qw)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前市场应用的主流产品，然而在... 【查看详情】

设置隔板14将加热箱1内腔设置成三个同时可以放置不同型号的激光二极管，并且通过设置各自控制的温度调控开关6与其进行温控调节，实用性和检测效果更高；电器箱8前部左右两侧和中间位置均固定嵌入有显示屏7，显示屏7进行显示温度，电流和时间，保证放置在加热箱1内的激光二极管在老化条件为：100ma、80℃、6h(不同型号老化时间工艺要求不一... 【查看详情】

接触面包括斜面，该结构为单边楔形的激光二极管。单边解决了由于现有的腔面的直角形状造成的边角的dbr覆盖不好、应力大易破裂，侧镀的dbr又会影响到ld的共晶从而影响ld的电性。在某一实施方式中，所述斜面与脊状条的下表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。这个角度范围能够保证dbr很好的覆盖在所述脊状条上且不易脱落。如... 【查看详情】

接触面包括斜面，该结构为单边楔形的激光二极管。单边解决了由于现有的腔面的直角形状造成的边角的dbr覆盖不好、应力大易破裂，侧镀的dbr又会影响到ld的共晶从而影响ld的电性。在某一实施方式中，所述斜面与脊状条的下表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。这个角度范围能够保证dbr很好的覆盖在所述脊状条上且不易脱落。如... 【查看详情】

设置隔板14将加热箱1内腔设置成三个同时可以放置不同型号的激光二极管，并且通过设置各自控制的温度调控开关6与其进行温控调节，实用性和检测效果更高；电器箱8前部左右两侧和中间位置均固定嵌入有显示屏7，显示屏7进行显示温度，电流和时间，保证放置在加热箱1内的激光二极管在老化条件为：100ma、80℃、6h(不同型号老化时间工艺要求不一... 【查看详情】

所述存储部包括两对称设置的支撑条，所述支撑条的端面设有软限位部；所述软限位部包括弹性接触体及与所述弹性接触头连接的压力传感器。作为上述技术方案的改进，所述储料框包括储料框体及设于所述储料框体上的多个限位杆。作为上述技术方案的改进，所述卡接部包括设于所述伸缩板内侧面的自动顶出件及设于所述储料框侧面的卡位孔，所述自动顶出件与所述卡位孔... 【查看详情】

根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几... 【查看详情】

半导体激光二极管的基本结构：垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可以是半导体晶体的解理面，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入... 【查看详情】