根据固体的能带理论,半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带,低能量的为价带,两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时,把释放的能量以发光形式辐射出去,这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类,直接带隙材料和间接带隙材料,其中直接带隙半导体材料如GaAs(砷化镓)比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几... 【查看详情】
接触面包括斜面,该结构为单边楔形的激光二极管。单边解决了由于现有的腔面的直角形状造成的边角的dbr覆盖不好、应力大易破裂,侧镀的dbr又会影响到ld的共晶从而影响ld的电性。在某一实施方式中,所述斜面与脊状条的下表面的法向方向之间的夹角介于:大于0度且小于等于60度。这个角度范围能够保证dbr很好的覆盖在所述脊状条上且不易脱落。如... 【查看详情】
VCSEL采用三明治式结构,其中间只有20nm、1--3层的QW增益区,上、下各层是由多层外延生长薄膜形成的高反射率为100%的布拉格反射层,由此构成谐振腔。相干性极高的激光束***从其顶部激射出。多家厂商有1550nm低损耗窗口与低色散的可调谐VCSEL样品展示。1310nm的产品预计在今后1--2年内上市。可调谐的典型器件是将一只普通... 【查看详情】
电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时,一旦经过已发射的电子—空穴对附近,就能激励二者复合,产生新光子,这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大,则会形成和热平衡状态相反的载流子分布,即粒子数反转。当有源层内的载流子在大量反转情况下,少量自发辐射产生的光子由于... 【查看详情】
在某一实施方式中,脊状条与衬底采用不同的槽体进行劈裂,得到部分斜角的双边楔形楔形激光二极管。具体来说,比如在脊状条上制作开口倒梯形凹槽,而在衬底上制作v字型凹槽,此后沿着前述槽体中间垂直劈裂,形成倾斜端面。这样可以进一步地增加本发明所述方法在实际应用中的适应范围。本发明实施方式提供的上述技术方案,不能够更简易的制作出ld的dbr陪... 【查看详情】
所述衬底的端面为第二斜面,所述衬底与所述dbr覆盖层的接触面包括第二斜面。可选地,所述第二斜面与所述衬底的上表面的法向方向之间的夹角介于:大于0度且小于等于60度。可选地,所述斜面位于所述p型层上。可选地,所述n型层包括n型金属层。可选地,所述p型层包括p型金属层。可选地,所述p型层还包括上波导层。为实现上述目的及其他相关目的,本... 【查看详情】
所述定位头611的圆弧凸起部与所述第二定位头612的圆弧凹槽配合卡接,此处采用圆弧接触面,可实现快速精确、对准;向所述电磁铁62通电,所述定位头611与所述第二定位头612固定;所述传感器63向所述电磁阀发出信号,驱动所述驱动组件512将顶杆511顶出,以将储料框4与所述存取料盘2锁定;所述电机241运行,以驱使所述水平移动部24... 【查看详情】
所述卡接部5用于卡住所述储料框4及伸缩板22,以带动所述储料框4移动;为避免物料车3相对运动,所述物料车3与所述存取料盘2之间设有对接部6,所述对接部6可使物料车3与所述存取料盘2固定,同时可使物料车3与存取料盘2平行陈列,以防止所述水平移动部24拖动储料框4时发生倾斜等情形。需要说明的是,所述水平移动部24带动所述伸缩板22进行... 【查看详情】
但是该装置在使用的过程中仍存在很多不足之处,比如,该装置在对激光管固定时需要转动多个螺栓,固定起来较为繁琐,不方便于日常的使用。因此提出一种激光管调整架。技术实现要素:本实用新型的目的在于:为了解决现有技术中对激光管的固定需要转动多个螺栓,固定起来较为繁琐的问题,而提出的一种激光管调整架。为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术... 【查看详情】
包括放置壳体1和底座8,放置壳体1呈“口”字形设置,放置壳体1的内腔对称设有两个推板3,推板3呈弧形状设置,放置壳体1的内部设有倒u形的型腔21,型腔21的内部对称设有两个螺纹杆15且螺纹杆15的外部均旋合有螺纹套17,螺纹杆15与型腔21的内壁为转动配合,螺纹套17与推板3之间通过连接杆2固定连接,连接杆2贯穿型腔21的腔壁,型... 【查看详情】