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氧化铪基本参数
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氧化铪企业商机

氧化铪又称氧化铪(IV),它是一种无机化工产品,其分子式为HfO2,分子量为210.4888。产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料,因其较高的介电常数值(~20),较大的禁带宽度(~5.5eV),以及在硅基底上良好的稳定性,HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm,以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题,随着晶体管的尺寸缩小,二氧化硅介质要求必须越来Chemicalbook越薄,但是漏电流的数值会因为量子效应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高,所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它很可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2),以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧化铪的EINECS登录号?氧化铪有害燃烧产物

二氧化铪(HfO2)是铪元素的一种氧化物,常温常压下为白色固体。基本信息中文名二氧化铪英文名Hafnium(IV)oxide别称氧化铪(IV)化学式HfO2分子量210.49CAS登录号12055-23-1熔点2758℃沸点5400℃水溶性难溶于水密度9.68g/cm3外观白色固体应用远红外波段材料,应用二氧化铪(HfO₂)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它**可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO₂),以解决目前MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧化铪有害燃烧产物氧化铪的英文名称是什么?

产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料,因其较高的介电常数值(~20),较大的禁带宽度(~5.5eV),以及在硅基底上良好的稳定性,HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm,以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题,随着晶体管的尺寸缩小,二氧化硅介质要求必须越来越薄,但是漏电流的数值会因为量子效Chemicalbook应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高,所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它很可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2),以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。用途为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。

产品特点:白色粉末,有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3,10.1和9.68g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸,可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。产品应用:二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?),以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧化铪的化学式是多少?

氧化铪又称氧化铪(IV),它是一种无机化工产品,其分子式为HfO2,分子量为210.4888。存储方法常温密闭,阴凉通风干燥。合成方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。主要用途用于光谱分析及催化剂体系,耐熔材料。系统编号CAS号:12055-23-1MDL号:MFCD00003565EINECS号:235-013-2PubChem号:24873674,毒理学数据主要的刺激性影响:在皮肤上面:刺激皮肤和粘膜在眼睛上面:刺激的影响致敏作用:没有已知的敏化现象氧化铪基本的理化特性的信息?氧化铪有害燃烧产物

氧化铪的安全操作的注意事项?氧化铪有害燃烧产物

中文名氧化铪(IV)英文名Hafnium(IV)oxide中文别名氧化铪(III)|二氧化铪|氧化铪物理性质氧化铪(HfO2)是白色晶体粉末。纯氧化铪以三种形式存在,一种是无定型状态,另外两种为晶体。在<400℃煅烧氢氧化铪、氧氯化铪等不稳定的化合物时,可以得到无定型氧化铪。将其氧化铪继续加热至450~480℃,开始转化为单斜晶体,继续加热至1000~1650℃发生晶格常数逐步增加的趋势,并转化为4个氧化铪分子的单体。当1700~1865℃Chemicalbook时开始转化为四方晶系。向氧化铪中添加少量氧化镁、氧化钙、氧化锰等氧化铪,在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶体。如向氧化铪中加8%~20%氧化钙,则晶格常数α相应从0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量达到形成CaHfO3时,则晶体结构转化为菱形晶系。单斜晶体氧化铪的密度为9.68g/cm3,熔点3031K,沸点5673K。氧化铪有害燃烧产物

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