口碑好的氧化铪危险性概述

产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题，随着晶体管的尺寸缩小，二氧化硅介质要求必须越来越薄，但是漏电流的数值会因为量子效Chemicalbook应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高，所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它很可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。用途为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。氧化铪是什么形状的？口碑好的氧化铪危险性概述

氧化铪为白色立方晶体，比重9.68。熔点2，758±25℃。沸点约5，400℃。单斜晶系的二氧化铪在1，475～1，600℃足量氧气氛中转化为四方晶系。不溶于水和一般无机酸，但在氢氟酸中缓慢溶解。化学反应与热的浓硫酸或酸式硫酸盐作用形成硫酸铪Chemicalbook[Hf(SO4)2]，与碳混合后加热通氯生成四氯化铪(HfCl4)，与氟硅酸钾作用生成氟铪酸钾(K2HfF6)，与碳在1，500℃以上作用形成碳化铪HfC。制备氧化铪可由铪的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高温灼烧制取。口碑好的氧化铪危险性概述氧化铪的物理化学性质？

基本信息IUPAC名称:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%二氧化铪分子结构密度:9.68g/cm3熔点:2758℃摩尔质量:210.49g/molCAS号:12055-23-1蒸发压力:在2678℃时1Pa;在2875℃时10Pa线膨胀系数:5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水纯度:99.99薄膜特性:透光范围~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸发条件:用电子***，氧分压~1~2×10-2Pa。蒸发温度~2600~2800℃，基片温度~250℃，蒸发速率2nm/s应用领域:UV增透膜，干涉膜

产品特点：白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和9.68g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。产品应用：二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?)，以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧化铪是什么材料呢？

物性数据1.性状：白色粉末。2.密度（g/mL,25℃）：9.683.相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定4.熔点（ºC）：21825.沸点（ºC,常压）：未确定6.沸点（ºC，1mmHg）：未确定7.折射率：未确定8.闪点（ºC）：未确定9.比旋光度（º）：未确定10.自燃点或引燃温度（ºC）：未确定11.蒸气压（20ºC）：未确定12.饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定13.燃烧热（KJ/mol）：未确定14.临界温度（ºC）：未确定15.临界压力（KPa）：未确定16.油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定17.上限（%,V/V）：未确定18.下限（%,V/V）：未确定19.溶解性：未确定氧化铪的化学性质有哪些？口碑好的氧化铪危险性概述

氧化铪的MSDS。。。。口碑好的氧化铪危险性概述

氧化铪又称氧化铪(IV)，它是一种无机化工产品，其分子式为HfO2，分子量为210.4888。存储方法常温密闭，阴凉通风干燥。合成方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。主要用途用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料。系统编号CAS号：12055-23-1MDL号：MFCD00003565EINECS号：235-013-2PubChem号：24873674，毒理学数据主要的刺激性影响：在皮肤上面：刺激皮肤和粘膜在眼睛上面：刺激的影响致敏作用：没有已知的敏化现象口碑好的氧化铪危险性概述

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