石家庄大功率整流器厂家

可控硅整流器，是一种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础，以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。

  晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier——SCR)，以前被简称为可控硅。由于其能承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中比较高的，而且工作可靠，因此在大容量的应用场合仍然具有比较重要的地位。 奥凯电气愿与各界朋友携手共进，共创未来！石家庄大功率整流器厂家

高频整流器输入配电系统：

       在数据中心的UPS供电系统中，输入电路一个最重要的指标就是输入功率因数。输入功率因数低会造成成下面的不利影响：

  (1) 导致输入整流器供电线路上各环节的早期老画

  输入功率因数低的原因是输入谐波电流成分含量大，谐波电流经过输入电缆时，使电缆产生附加发热量，导致电缆外皮材料长期发热、变软、变脆、变酥、变碎;谐波电流经过输入断路器(开关)时，开关出点由于长期发热而导致接触不良，一个正反馈的效应是开关过早时效;谐波电流经过输入保险丝时，由于长期的附加发热而导致熔丝变软、下垂(使整个保险丝粗细变得不均与)、自然断裂而引起断电。 北京大功率整流器诚挚的欢迎业界新朋老友走进奥凯电气设备！

高频电镀整流器功能详细介绍

1、稳定电路设计，可靠性强、跟随性好、稳定性高；非常适合电镀电源长期连续运行的需要。

2、变压器选用了纳米晶变压器、整机损耗小,效率高。

3、IGBT驱动采用了自行开发的高性能驱动电路，驱动功率大，保证了 IGBT能够正常工作。

4、整机设计合理，体积小、重量轻。

5、相比可控硅整流电源，节电20%?30%；比普通高频开关电源节电6%?10%。

6、可接远程PLC集中控制，釆用全电脑控制。

7、主要器件釆用进口材料，稳定耐用。

大功率整流器，是一种用于处理大电流的整流器。大功率整流电源要求整流器的电流容量大、击穿电压高、散热性能好，但这种器件的结面积大、结电容大，因而工作频率很低，一般在几十千赫以下。

在以大功率二极管或晶闸管为基础的两种基本类型的整流器中，电网的高压交流功率通过整流器变换为直流电源。提到未来的其它类型整流器：以不可控二极管前沿产品为基础的斩波器、斩波直流/直流变换器或电流源逆变型有源整流器。显然，这种型的整流器在技术上包含较多要开发的内容，但是它能显示出优点，例如它以非常小的谐波干扰和1的功率因数加载于电网。

整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流转化为直流的装置。它有两个主要功能：一，将交流电变成直流电，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。

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整流器的结构：

1、输入功率的逐步增加

整流器/充电机应具有将初始功率要求限制到额定负载的20%，并在10秒的时间间隔内逐渐将输入功率增加到百分之百额定容量。在冗余UPS系统中，各整流器/充电机的输入功率的加入时间应延迟5至300秒，以减少对发电机组的影响。

2、输入隔离开关

整流器/充电机应有输入隔离开关并有保护。隔离开关应能同时提供满足负载的电流和蓄电池的再充电电流，并能承受较大的短路电流。

3、DC滤波器

整流器/充电机应有输出滤波器以将加在蓄电池的纹波电压减少到最小。整流器的DC输出电压的AC纹波电压应小于浮充电压（RMS）的1%。滤波器应充分保证整流器/充电机的DC输出电压在蓄电池未连接的情况下满足逆变器的要求。

4、蓄电池的再充电

除了为负载供电外，整流器/充电机应能在10倍于放电时间的时间内，将蓄电池的放电功率恢复到95%。蓄电池再充电后，整流器/充电机应使蓄电池保持在满充电状态，直到下一次放电。

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整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流（AC）转化为直流（DC）的装置。它有两个主要功能：

一，将交流电（AC）变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；

二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。

三极管的hFE参数与贮存时间ts相关，一般hFE大的三极管ts也较大，过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺，人们更依赖hFE参数来选择三极管。

在开关状态下，hFE的选择通常有以下认识：、hFE应尽可能高，以便用最少的基极电流得到比较大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。

但是，如果考虑到开关速度和电流容限，则hFE的比较大值就受到限制；第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件，例如hFE为10到15，甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来，由于基极回路流行采用电容触发线路，hFE的数值有所上升)，hFE的数值小则饱和深度小，从而有利于降低晶体管的发热。

实际上，晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响，因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整，也可以降低饱和深度。 石家庄大功率整流器厂家

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