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从而能够相对于各个增益a1、a2的偏差等而确保外部磁场耐性(图6的(b))。图6的(b)示出了对本实施方式的电流传感器1施加了外部磁场bnz的情况下的动作状态。在本实施方式中，第1以及第2运算部31、32双方从各磁传感器11、12输入传感器信号s1p～s2m，由此在第1以及第2运算信号so1、so2中，各个增益a1、a2与双方的磁传感器11、12的信号差δs1、δs2相乘(参照式(5a)、(6a))。根据如以上那样的第1以及第2运算信号so1、so2，在本实施方式的电流传感器1的输出信号sout中，如式(7a)所示，第1以及第2运算部31、32的增益a1、a2的贡献作为因子而被括出。因此，与各个增益a1、a2的偏差无关地，各信号差δs1、δs2中包含的噪声分量δnz被抵消，能够确保外部磁场耐性。此外，在如图6的(b)所示施加了外部磁场bnz时，一个磁传感器11的传感器信号s1p和另一个磁传感器12的传感器信号s2m具有同等的大小以及相同符号。因此，外部磁场bnz的影响在第1运算部31的输入的时间点被消除。此时，在第2运算部32中也是同样地，外部磁场bnz的影响在输入的时间点被消除。由此，关于运算装置3内部的信号振幅等，也能够降低外部磁场bnz的影响。根据如以上那样的本实施方式的电流传感器1。在霍尔元件平面的法线方向施加磁场（强度为B）。济南电池电流传感器厂家现货

    对两个磁传感器11、12和第1～第3运算部31～33间的连接关系以及基于运算装置3的运算方法的一例进行了说明。本实施方式涉及的电流传感器不特别限定于此，也可以采用各种各样的连接关系以及运算方法。以下，关于电流传感器的变形例，利用图8～10进行说明。图8示出变形例1涉及的电流传感器1b的结构。本变形例的电流传感器1b在与实施方式1的电流传感器1同样的结构中，变更了两个磁传感器11、12和第1以及第2运算部31、32间的连接关系。如图8所示，在本变形例的电流传感器1b中，第1运算部31在正输入端子与磁传感器12的传感器信号s2p的输出端子连接，在负输入端子与磁传感器11的传感器信号s1m的输出端子连接。此外，第2运算部32在正输入端子与磁传感器12的传感器信号s2m的输出端子连接，在负输入端子与磁传感器11的传感器信号s1p的输出端子连接。第1～第3运算部31～33基于所输入的信号，进行与实施方式1同样的运算。通过以上的电流传感器1b，也能够与实施方式1的电流传感器1同样地降低外部磁场的影响。在本变形例中，磁传感器12是第1磁传感器的一例，传感器信号s2p是第1传感器信号的一例，传感器信号s2m是第2传感器信号的一例。此外，磁传感器11是第2磁传感器的一例。南昌高精度电流传感器适用于交流和直流测试。

    3）变压器根据传感器功耗而定。（4）传感器的工作电流。直检式（无放大）耗电：**大5mA；直检放大式耗电：**大±20mA；磁补偿式耗电：20+输出电流；**大消耗工作电流20+输出电流的2倍。根据消耗工作电流可以计算出功耗。霍尔电流传感器优越性编辑（1）非接触检测。在进口设备的再改造中，以及老旧设备的技术改造中，显示出非接触测量的优越性；原有设备的电气接线不用丝毫改动就可以测得电流的数值。（2）使用分流器的弊端是不能电隔离，且还有插入损耗，电流越大，损耗越大，体积也越大，人们还发现分流器在检测高频大电流时带有不可避免的电感性，不能真实传递被测电流波形，更不能真实传递非正弦波型。电流传感器完全消除了分流器以上的种种弊端，且精度和输出电压值可以和分流器做的一样，如精度、，输出电压50、75mV和100mV均可。（3）使用非常方便，取一只LT100－C型电流传感器，在M端与电源零端串入一只100mA的模拟表头或数字万用表，接上工作电源，将传感器套在电线回路上，即可准确显示主回路0～100A电流值。（4）传统的电流电压互感器，虽然工作电流电压等级多，在规定的正弦工作频率下有较高的精度，但它能适合的频带非常窄，且不能传递直流。此外。

通过如上述那样抑制第1以及第2运算部31、32的偏差，从而能够将电动势的同相分量在第3运算部33中消除，能够提高电流传感器1中的交流的外部磁场耐性。此外，两个磁传感器11、12和运算装置3在如图2所示的电流传感器1中，例如被布线为**短以使得不产生环形布线。由此，能够提高交流的外部磁场耐性，能够使电流传感器1的检测精度良好。此外，运算装置3也可以包含用于实现电流传感器1的各种各样的功能的各种半导体集成电路等。例如，运算装置3也可以包含设计为实现给定功能的**的电子电路、能够重构的电子电路等的硬件电路。此外，运算装置3也可以包含例如与软件协作来实现给定功能的cpu等。运算装置3也可以包含闪存等内部存储器，也可以在内部存储器中保存各种数据以及程序等。运算装置3也可以由cpu、mpu、微型计算机、dsp、fpga、asic等各种各样的半导体集成电路构成。1-1.关于磁传感器关于电流传感器1中的磁传感器11、12的结构的详情，利用图3进行说明。两个磁传感器11、12同样地构成。以下，对一个磁传感器11进行说明。图3是例示电流传感器1中的磁传感器11的结构的电路图。在图3的例子中，磁传感器11包含四个磁阻元件13a～13d，构成惠斯通桥电路。以确保传感器的安全运行。

    额定有效值）I1相对应的输出电流（额定有效值）I2。假如要将I2变换成U0=5V，RM选择详见表1－1。霍尔电流传感器电流计算编辑从图1－3可知输出电流I2的回路是：V+→末级功放管集射极→N2→RM→0，回路等效电阻如图1－6。（V-～0的回路相同，电流相反）当输出电流I2**大值时，电流值不再跟着I1的增加而增加，我们称为传感器的饱和点。按下式计算I2max=V+-VCES/RN2+RM式中：V+－正电源（V）。VCES－功率管集射饱和电压，（V）一般为。RN2－副边线圈直流内阻（Ω），详见表，1－2。RM－测量电阻（Ω）。从计算可知改变测量电阻RM，饱和点随之也改变。当被测电阻RM确定后，也就有了确定的饱和点。根据下式计算出**大被测电流I1max：I1max=I1/I2·I2max在测量交流或脉冲时，当RM确定后，要计算出**大被测电流I1MAX，如果I1max值低于交流电流峰值或低于脉冲幅值，将会造成输出波形削波或限幅现象，此种情况可将RM选小一些来解决。霍尔电流传感器举例说明编辑电压传感器原边与副边抗电强度≥4000VRMS（），用以测量直流、交流、脉冲电压。在测量电压时，根据电压额定值，在原边+HT端串一限流电阻，即被测电压通过电阻得到原边电流U1/R1=I1、R1=U1/10mA（KΩ）。具有高精度、高灵敏度、高线性度等优点，逐渐成为主流的电流传感器。成都高线性度电流传感器设计标准

在霍尔元件的输出端产生一个电势，该电势的波形与输入电流一致。济南电池电流传感器厂家现货

    具有固有的灵敏度轴以及磁电变换增益。磁传感器11、12对沿着灵敏度轴的方向的磁场进行感测，并按照磁电变换增益将感测到的磁场变换为电信号(即传感器信号)。各个磁传感器11、12例如配置为灵敏度轴的方向适当地在容许误差的范围内与x方向平行。在本实施方式中，两个磁传感器11、12分别具备用于差动输出的两个输出端子。关于磁传感器11、12的结构的详情在后面叙述。如图2所示，磁传感器11从各输出端子输出传感器信号s1p、s1m。由于电流i如图1的例子那样流动而产生的信号磁场变得越大，则传感器信号s1p越增大。传感器信号s1m具有与传感器信号s1p相反的增减倾向。本实施方式中的磁传感器11是生成传感器信号s1p作为第1传感器信号并生成传感器信号s1m作为第2传感器信号的第1磁传感器的一例。如图2所示，磁传感器12从各输出端子输出传感器信号s2p、s2m。传感器信号s2p与第1磁传感器11的传感器信号s1p同样地具有根据图1的例子的电流i而增大的倾向。传感器信号s2m具有与传感器信号s2p相反的增减倾向。本实施方式中的磁传感器12是生成传感器信号s2m作为第3传感器信号并生成传感器信号s2p作为第4传感器信号的第2磁传感器的一例。济南电池电流传感器厂家现货

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