咸宁专业PCB设计原理

DDR的PCB布局、布线要求4、对于DDR的地址及控制信号，如果挂两片DDR颗粒时拓扑建议采用对称的Y型结构，分支端靠近信号的接收端，串联电阻靠近驱动端放置（5mm以内），并联电阻靠近接收端放置（5mm以内），布局布线要保证所有地址、控制信号拓扑结构的一致性及长度上的匹配。地址、控制、时钟线（远端分支结构）的等长范围为≤200Mil。5、对于地址、控制信号的参考差分时钟信号CK\CK#的拓扑结构，布局时串联电阻靠近驱动端放置，并联电阻靠近接收端放置，布线时要考虑差分线对内的平行布线及等长(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供电电源是2.5V，对于控制芯片及DDR芯片，为每个IO2.5V电源管脚配备退耦电容并靠近管脚放置，在允许的情况下多扇出几个孔，同时芯片配备大的储能大电容；对于1.25VVTT电源，该电源的质量要求非常高，不允许出现较大纹波，1.25V电源输出要经过充分的滤波，整个1.25V的电源通道要保持低阻抗特性，每个上拉至VTT电源的端接电阻为其配备退耦电容。SDRAM 的PCB布局布线要求是什么？咸宁专业PCB设计原理

SDRAM的端接1、时钟采用∏型(RCR)滤波，∏型滤波的布局要紧凑，布线时不要形成Stub。2、控制总线、地址总线采用在源端串接电阻或者直连。3、数据线有两种端接方法，一种是在CPU和SDRAM中间串接电阻，另一种是分别在CPU和SDRAM两端串接电阻，具体的情况可以根据仿真确定。SDRAM的PCB布局布线要求1、对于数据信号，如果32bit位宽数据总线中的低16位数据信号挂接其它如boot、flashmemory、244\245缓冲器等的情况，SDRAM作为接收器即写进程时，首先要保证SDRAM接收端的信号完整性，将SDRAM芯片放置在信号链路的远端，对于地址及控制信号的也应该如此处理。2、对于挂了多片SDRAM芯片和其它器件如boot、flashmemory、244\245缓冲器等的情况，从信号完整性角度来考虑，SDRAM芯片及boot、flashmemory、244\245缓冲器等集中紧凑布局。3、源端匹配电阻应靠近输出管脚放置，退耦电容靠近器件电源管脚放置。4、SDRAM的数据、地址线推荐采用菊花链布线线和远端分支方式布线，Stub线头短。5、对于SDRAM总线，一般要对SDRAM的时钟、数据、地址及控制信号在源端要串联上33欧姆或47欧姆的电阻，否则此时总线上的过冲大，可能影响信号完整性和时序,有可能会损害芯片。十堰高速PCB设计教程PCB设计中常用的电源电路有哪些？

DDR与SDRAM信号的不同之处，1、DDR的数据信号与地址\控制信号是参考不同的时钟信号，数据信号参考DQS选通信号，地址\控制信号参考CK\CK#差分时钟信号；而SDRAM信号的数据、地址、控制信号是参考同一个时钟信号。2、数据信号参考的时钟信号即DQS信号是上升沿和下降沿都有效，即DQS信号的上升沿和下降沿都可以触发和锁存数据，而SDRAM的时钟信号只有在上升沿有效，相对而言DDR的数据速率翻倍。3、DDR的数据信号通常分成几组，如每8位数据信号加一位选通信号DQS组成一组，同一组的数据信号参考相同组里的选通信号。4、为DDRSDRAM接口同步工作示意图，数据信号与选通信号分成多组，同组内的数据信号参考同组内的选通信号；地址、控制信号参考CK\CK#差分时钟信号。

放置固定结构件（1）各固定器件坐标、方向、1脚位置、顶底层放置与结构图固定件完全一致，并将器件按照结构图形对应放置。（2）当有如下列情形时，需将问题描述清楚并记录到《项目设计沟通记录》中，同时邮件通知客户修改确认。结构图形与部分管脚不能完全重合；结构图形1脚标识与封装1脚焊盘指示不符；结构图形指示孔径与封装孔径不符；文字描述、标注尺寸等和结构图实际不一致；其他有疑问的地方。（3）安装孔坐标、孔径、顶底层与结构图完全一致。（4）安装孔、定位孔为NPTH且保留焊环时，焊环离孔距离8Mil以上，焊盘单边比孔大33mil（5）固定结构件放置完毕后，对器件赋予不可移动属性。（6）在孔符层进行尺寸标注，标注单位为公制（mm），精度小数点后2位，尺寸公差根据客户结构图要求。（7）工艺边或者拼版如使用V-CUT，需进行标注。（8）如设计过程中更改结构，按照结构重新绘制板框、绘制结构特殊区域和放置固定构件。客户无具体的结构要求时，应根据情况记录到《项目设计沟通记录》中。（9）子卡、母卡对插/扣设计PCB设计工艺上的注意事项是什么？

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。京晓科技给您分享屏蔽罩设计的具体实例。随州什么是PCB设计包括哪些

PCB设计常用规则之丝印调整。咸宁专业PCB设计原理

电气方面注意事项（1）TVS管、ESD、保险丝等保护器件靠近接口放置；（2）热敏器件远离大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分区布局；（4）数字、模拟器件分区布局；（5）电源模块、模拟电路、时钟电路、射频电路、隔离器件布局按器件资料；（6）串联电阻靠近源端放置；串联电容靠近末端放置；并联电阻靠近末端放置；（7）退藕电容靠近芯片的电源管脚；（8）接口电路靠近接口；（9）充分考虑收发芯片距离，以便走线长度满足要求；（10）器件按原理图摆一起；（11）二极管、LED等极性与原理图应保持一致。咸宁专业PCB设计原理

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