DDR模块,DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM,中文名为“双倍数据率SDRAM”,是在SDRAM的基础上改进而来,人们习惯称为DDR,DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的数据传输速率,它允许在时钟的上升沿和下降沿读取数据,因而其速度是标准SDRAM的两倍。(1)DDRSDRAM管脚功能说明:图6-1-5-1为512MDDR(8M×16bit×4Bank)的66-pinTSOP封装图和各引脚及功能简述1、CK/CK#是DDR的全局时钟,DDR的所有命令信号,地址信号都是以CK/CK#为时序参考的。2、CKE为时钟使能信号,与SDRAM不同的是,在进行读写操作时CKE要保持为高电平,当CKE由高电平变为低电平时,器件进入断电模式(所有BANK都没有时)或自刷新模式(部分BANK时),当CKE由低电平变为高电平时,器件从断电模式或自刷新模式中退出。3、CS#为片选信号,低电平有效。当CS#为高时器件内部的命令解码将不工作。同时,CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号,低电平有效。这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。PCB设计布局中光口的要求有哪些?荆州如何PCB设计布线
存储模块介绍:存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的详细参数如下:DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高,从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低;DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺,而DDR2采用了0.09微米制造工艺,DDR3则采用了全新65nm制造工艺,而DDR4使用20nm以下的工艺来制造,从DDR~DDR4的具体参数如下表所示。黄石设计PCB设计走线PCB设计的基础流程是什么?
等长线处理等长线处理的步骤:检查规则设置→确定组内长线段→等长线处理→锁定等长线。(1)检查组内等长规则设置并确定组内基准线并锁定。(2)单端蛇形线同网络走线间距S≥3W,差分对蛇形线同网络走线间距≥20Mil。(3)差分线对内等长优先在不匹配端做补偿,其次在中间小凸起处理,且凸起高度<1倍差分对内间距,长度>3倍差分线宽,(4)差分线对内≤3.125G等长误差≤5mil,>3.125G等长误差≤2mil。(5)DDR同组等长:DATA≤800M按±25mil,DATA>800M按±5mil;ADDR按±100mil;DDR2的DQS和CLK按±500mil;QDR按±25mil;客户有要求或者芯片有特殊要求时按特殊要求。(6)优先在BGA区域之外做等长线处理。(7)有源端匹配的走线必须在靠近接收端一侧B段做等长处理,(8)有末端匹配的走线在A段做等长线处理,禁止在分支B段做等长处理(9) T型拓扑走线,优先在主干走线A段做等长处理,同网络分支走线B或C段长度<主干线A段长度,且分支走线长度B、C段误差≤10Mil,(10) Fly-By型拓扑走线,优先在主干走线A段做等长处理,分支线B、C、D、E段长度<500Mil
布线,PCBLAYOUT在此阶段的所有布线必须符合《PCBLayout业务资料及要求》、《PCBLayout工艺参数》、《PCB加工工艺要求说明书》对整板布线约束的要求。同时也应该符合客户对过孔工艺、小线宽线距等的特殊要求,无法满足时需和客户客户沟通并记录到《设计中心沟通记录》邮件通知客户确认。布线的流程步骤如下:关键信号布线→整板布线→ICT测试点添加→电源、地处理→等长线处理→布线优化,关键信号布线关键信号布线的顺序:射频信号→中频、低频信号→时钟信号→高速信号。关键信号的布线应该遵循如下基本原则:★优先选择参考平面是地平面的信号层走线。★依照布局情况短布线。★走线间距单端线必须满足3W以上,差分线对间距必须满足20Mil以上京晓科技与您分享PCB设计中布局布线的注意事项。
SDRAM的端接1、时钟采用∏型(RCR)滤波,∏型滤波的布局要紧凑,布线时不要形成Stub。2、控制总线、地址总线采用在源端串接电阻或者直连。3、数据线有两种端接方法,一种是在CPU和SDRAM中间串接电阻,另一种是分别在CPU和SDRAM两端串接电阻,具体的情况可以根据仿真确定。SDRAM的PCB布局布线要求1、对于数据信号,如果32bit位宽数据总线中的低16位数据信号挂接其它如boot、flashmemory、244\245缓冲器等的情况,SDRAM作为接收器即写进程时,首先要保证SDRAM接收端的信号完整性,将SDRAM芯片放置在信号链路的远端,对于地址及控制信号的也应该如此处理。2、对于挂了多片SDRAM芯片和其它器件如boot、flashmemory、244\245缓冲器等的情况,从信号完整性角度来考虑,SDRAM芯片及boot、flashmemory、244\245缓冲器等集中紧凑布局。3、源端匹配电阻应靠近输出管脚放置,退耦电容靠近器件电源管脚放置。4、SDRAM的数据、地址线推荐采用菊花链布线线和远端分支方式布线,Stub线头短。5、对于SDRAM总线,一般要对SDRAM的时钟、数据、地址及控制信号在源端要串联上33欧姆或47欧姆的电阻,否则此时总线上的过冲大,可能影响信号完整性和时序,有可能会损害芯片。京晓科技与您分享等长线处理的具体步骤。孝感PCB设计包括哪些
PCB设计中PCI-E接口通用设计要求有哪些?荆州如何PCB设计布线
射频、中频电路(1)射频电路★基本概念1、射频:是电磁波按应用划分的定义,专指具有一定波长可用于无线电通信的电磁波,射频PCB可以定义为具有频率在30MHz至6GHz范围模拟信号的PCB。2、微带线:是一种传输线类型。由平行而不相交的带状导体和接地平面构成。微带线的结构如下图中的图1所示它是由导体条带(在基片的一边)和接地板(在基片的另一边)所构成的传输线。微带线是由介质基片,接地平板和导体条带三部分组成。在微带线中,电磁能量主要是集中在介质基片中传播的,3、屏蔽罩:是无线设备中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下:当在电磁发射源和需要保护的电路之间插入一高导电性金属时,该金属会反射和吸收部分辐射电场,反射与吸收的量取决于多种不同的因素,这些因素包括辐射的频率,波长,金属本身的导电率和渗透性,以及该金属与发射源的距离。4、模块分腔的必要性:腔体内腔器件间或RF信号布线间的典型隔离度约在50-70dB,对某些敏感电路,有强烈辐射源的电路模块都要采取屏蔽或隔离措施,例如:a.接收电路前端、VCO电路的电源、环路滤波电路是敏感电路。b.发射的后级电路、功放的电路、数字信号处理电路、参考时钟和晶体振荡器是强烈的辐射源。荆州如何PCB设计布线
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电源线和地线布线:电源线和地线要尽可能宽,以降低电源阻抗,减少电压降和噪声。可以采用多层板设计,将电源层和地层专门设置在不同的层上,并通过过孔进行连接。特殊信号处理模拟信号和数字信号隔离:在包含模拟和数字电路的电路板中,要将模拟信号和数字信号进行隔离,避免相互干扰。可以采用不同的地平面、磁珠或电感等元件来实现隔离。高频信号屏蔽:对于高频信号,可以采用屏蔽线或屏蔽罩来减少电磁辐射和干扰。五、规则设置与检查设计规则设置电气规则:设置线宽、线距、过孔大小、安全间距等电气规则,确保电路板的电气性能符合要求。差分线:用于高速信号传输,通过成对走线抑制共模噪声。恩施打造PCB设计加工实践环节:从仿真验证到...