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DDR的PCB布局、布线要求1、DDR数据信号线的拓扑结构,在布局时保证紧凑的布局,即控制器与DDR芯片紧凑布局,需要注意DDR数据信号是双向的,串联端接电阻放在中间可以同时兼顾数据读/写时良好的信号完整性。2、对于DDR信号数据信号DQ是参考选通信号DQS的,数据信号与选通信号是分组的;如8位数据DQ信号+1位数据掩码DM信号+1位数据选通DQS信号组成一组,如是32位数据信号将分成4组,如是64位数据信号将分成8组,每组里面的所有信号在布局布线时要保持拓扑结构的一致性和长度上匹配,这样才能保证良好的信号完整性和时序匹配关系,要保证过孔数目相同。数据线同组(DQS、DM、DQ[7:0])组内等长为20Mil,不同组的等长范围为200Mil,时钟线和数据线的等长范围≤1000Mil。3、对于DDR信号,需要注意串扰的影响,布线时拉开与同层相邻信号的间距,时钟线与其它线的间距要保证3W线宽,数据线与地址线和控制线的间距要保证3W线宽,数据线内或地址线和控制线内保证2W线宽;如果两个信号层相邻,要使相邻两层的信号走线正交。不同存储容量及不同数据宽度的器件有所不同。武汉哪里的PCB设计规范

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电源、地处理,(1)不同电源、地网络铜皮分割带优先≥20Mil,在BGA投影区域内分隔带小为10Mil。(2)开关电源按器件资料单点接地,电感下不允许走线;(3)电源、地网络铜皮的最小宽度处满足电源、地电流大小的通流能力,参考4.8铜皮宽度通流表。(4)电源、地平面的换层处过孔数量必须满足电流载流能力,参考4.8过孔孔径通流表。(5)3个以上相邻过孔反焊盘边缘间距≥4Mil,禁止出现过孔割断铜皮的情况,(6)模拟电源、模拟地只在模拟区域划分,数字电源、数字地只在数字区域划分,投影区域在所有层面禁止重叠,如下如图所示。建议在模拟区域的所有平面层铺模拟地处理(7)跨区信号线从模拟地和数字地的桥接处穿过(8)电源层相对地层內缩必须≥20Mil,优先40Mil(9)单板孤立铜皮要逐一确认、不需要的要逐一删除(10)室温情况下,压差在10V以上的网络,同层必须满足安规≥20Mil要求,压差每增加1V,间距增加1Mil。(11)在叠层不对称时,信号层铺电源、地网络铜皮,且铜皮、铜线面积占整板总面积50%以上,以防止成品PCB翘曲。宜昌正规PCB设计批发PCB布局布线设计规则。

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布线,PCBLAYOUT在此阶段的所有布线必须符合《PCBLayout业务资料及要求》、《PCBLayout工艺参数》、《PCB加工工艺要求说明书》对整板布线约束的要求。同时也应该符合客户对过孔工艺、小线宽线距等的特殊要求,无法满足时需和客户客户沟通并记录到《设计中心沟通记录》邮件通知客户确认。布线的流程步骤如下:关键信号布线→整板布线→ICT测试点添加→电源、地处理→等长线处理→布线优化,关键信号布线关键信号布线的顺序:射频信号→中频、低频信号→时钟信号→高速信号。关键信号的布线应该遵循如下基本原则:★优先选择参考平面是地平面的信号层走线。★依照布局情况短布线。★走线间距单端线必须满足3W以上,差分线对间距必须满足20Mil以上

叠层方案,叠层方案子流程:设计参数确认→层叠评估→基本工艺、层叠和阻抗信息确认。设计参数确认(1)发《PCBLayout业务资料及要求》给客户填写。(2)确认客户填写信息完整、正确。板厚与客户要求一致,注意PCI或PCIE板厚1.6mm等特殊板卡板厚要求;板厚≤1.0mm时公差±0.1mm,板厚>1.0mm是公差±10%。其他客户要求无法满足时,需和工艺、客户及时沟通确认,需满足加工工艺要求。层叠评估叠层评估子流程:评估走线层数→评估平面层数→层叠评估。(1)评估走线层数:以设计文件中布线密集的区域为主要参考,评估走线层数,一般为BGA封装的器件或者排数较多的接插件,以信号管脚为6排的1.0mm的BGA,放在top层,BGA内两孔间只能走一根信号线为例,少层数的评估可以参考以下几点:及次信号需换层布线的过孔可以延伸至BGA外(一般在BGA本体外扩5mm的禁布区范围内),此类过孔要摆成两孔间穿两根信号线的方式。次外层以内的两排可用一个内层出线。再依次内缩的第五,六排则需要两个内层出线。根据电源和地的分布情况,结合bottom层走线,多可以减少一个内层。结合以上5点,少可用2个内走线层完成出线。PCB设计布局以及整体思路。

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存储模块介绍:存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的详细参数如下:DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高,从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低;DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺,而DDR2采用了0.09微米制造工艺,DDR3则采用了全新65nm制造工艺,而DDR4使用20nm以下的工艺来制造,从DDR~DDR4的具体参数如下表所示。PCB布局设计中布线的设计技巧。荆门高效PCB设计多少钱

PCB设计中电气方面的注意事项。武汉哪里的PCB设计规范

ADC和DAC是数字信号和模拟信号的接口,在通信领域,射频信号转换为中频信号,中频信号经过ADC转换成数字信号,经过数字算法处理后,再送入DAC转换成中频,再进行了变频为射频信号发射出去。(1)ADC和DAC的PCBLAYOUT1、布局原则:优先兼顾ADC、DAC前端模拟电路,严格按照原理图电路顺序呈一字型对ADC、DAC前端模拟电路布局。2、ADC、DAC本身通道要分开,不同通道的ADC、DAC也要分开。3、ADC、DAC前端模拟电路放置在模拟区,ADC、DAC数字输出电路放置在数字区,因此,ADC、DAC器件实际上跨区放置,一般在A/D之间将模拟地和数字地相连或加磁珠处理。4、如果有多路模拟输入或者多路模拟输出的情况,在每路之间也要做地分割处理,然后在芯片处做单点接地处理。5、开关电源、时钟电路、大功率器件远离ADC、DAC器件和信号。6、时钟电路对称放置在ADC、DAC器件中间。7、发送信号通常比接收信号强很多。因此,对发送电路和接收电路必须进行隔离处理,否则微弱的接收信号会被发送电路串过来的强信号所干扰,可通过地平面进行屏蔽隔离,对ADC、DAC器件增加屏蔽罩,或者使发送电路远离接收电路,截断之间的耦合途径。武汉哪里的PCB设计规范

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