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ADC/DAC电路:(4)隔离处理:隔离腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳,在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏蔽,过孔应相互错开,同排过孔间距为150Mil。,在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔,保证其固定屏蔽壳,隔离腔体内的器件与屏蔽壳的间距>0.5mm。如图6-1-2-4所示。腔体的周边为密封的,接口的线要引入腔体里采用带状线的结构;而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构,这样内部的屏蔽腔采用开槽处理,开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。(5)布线原则1、首先参考射频信号的处理原则。2、严格按照原理图的顺序进行ADC和DAC前端电路布线。3、空间允许的情况下,模拟信号采用包地处理,包地要间隔≥200Mil打地过孔4、ADC和DAC电源管脚比较好经过电容再到电源管脚,线宽≥20Mil,对于管脚比较细的器件,出线宽度与管脚宽度一致。5、模拟信号优先采用器件面直接走线,线宽≥10Mil,对50欧姆单端线、100欧姆差分信号要采用隔层参考,在保证阻抗的同时,以降低模拟输入信号的衰减损耗,6、不同ADC/DAC器件的采样时钟彼此之间需要做等长处理。7、当信号线必须要跨分割时,跨接点选择在跨接磁珠(或者0欧姆电阻)处。PCB设计中FPGA管脚的交换注意事项。黄石高速PCB设计加工

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工艺、层叠和阻抗信息确认(1)与客户确认阻抗类型,常见阻抗类型如下:常规阻抗:单端50欧姆,差分100欧姆。特殊阻抗:射频线单端50欧姆、75欧姆隔层参考,USB接口差分90欧姆,RS485串口差分120欧姆。(2)传递《PCBLayout业务资料及要求》中的工艺要求、层叠排布信息和阻抗要求至工艺工程师,由工艺工程师生成《PCB加工工艺要求说明书》,基于以下几点进行说明:信号层夹在电源层和地层之间时,信号层靠近地层。差分间距≤2倍线宽。相邻信号层间距拉大。阻抗线所在的层号。(3)检查《PCB加工工艺要求说明书》信息是否有遗漏,错误,核对无误后再与客户进行确认。鄂州正规PCB设计怎么样京晓科技与您分享等长线处理的具体步骤。

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绘制结构特殊区域及拼板(1)设置允许布局区域:回流焊传送边的宽度要求为5mm以上,传送边上不能有贴片元器件;一般使用板框长边用作回流焊传送边;短边内缩默认2mm,不小于1mm;如短边作为传送边时,宽长比>2:3;传送边进板方向不允许有缺口;传送边中间有缺口时长度不超过传送边1/3。特殊要求按照《PCBLayout业务资料及要求》要求进行,并记录到《项目设计沟通记录表》中。(2)设置允许布线区域:允许布线区域为从板框边缘内缩默认40Mil,不小于20Mil;特殊要求按照《PCBLayout业务资料及要求》要求进行,并记录到《项目设计沟通记录》中。(3)螺钉孔禁布区域由器件焊盘单边向外扩大1mm,特殊要求按照《PCBLayout业务资料及要求》要求进行,并记录到《项目设计沟通记录》中。(4)PCB中Top及Bottom面各增加3个非对称的Mark点,Mark点封装由封装组提供,1mm标准Mark点外边沿距离传送边板边间距≥5mm

 射频、中频电路(2)屏蔽腔的设计1、应把不同模块的射频单元用腔体隔离,特别是敏感电路和强烈辐射源之间,在大功率多级放大器中,也应保证级与级之间隔开。2、印刷电路板的腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳。3、在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏,过孔应相互错开,同排过孔间距为150Mil。4、在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔,保证其固定屏蔽壳。5、腔体的周边为密封的,一般接口的线要引入腔体里采用带状线的结构;而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构,这样内部的屏蔽腔采用开槽处理,开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。6、屏蔽罩设计实例PCB设置中PCI-E板卡设计要求是什么?

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评估平面层数,电源平面数的评估:分析单板电源总数与分布情况,优先关注分布范围大,及电流大于1A以上的电源(如:+5V,+3.3V此类整板电源、FPGA/DSP的核电源、DDR电源等)。通常情况下:如果板内无BGA封装的芯片,一般可以用一个电源层处理所有的电源;如果有BGA封装的芯片,主要以BGA封装芯片为评估对象,如果BGA内的电源种类数≤3种,用一个电源平面,如果>3种,则使用2个电源平面,如果>6则使用3个电源平面,以此类推。备注:1、对于电流<1A的电源可以采用走线层铺铜的方式处理。2、对于电流较大且分布较集中或者空间充足的情况下采用信号层铺铜的方式处理。地平面层数的评估:在确定了走线层数和电源层数的基础上,满足以下叠层原则:1、叠层对称性2、阻抗连续性3、主元件面相邻层为地层4、电源和地平面紧耦合(3)层叠评估:结合评估出的走线层数和平面层数,高速线优先靠近地层的原则,进行层叠排布。PCB设计中如何评估平面层数?宜昌专业PCB设计加工

京晓科技给您带来PCB设计布线的技巧。黄石高速PCB设计加工

SDRAM各管脚功能说明:1、CLK是由系统时钟驱动的,SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样,CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器;2、CKE为时钟使能信号,高电平时时钟有效,低电平时时钟无效,CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用,以降低功耗,CKE可以直接接高电平。3、CS#为片选信号,低电平有效,当CS#为高时器件内部所有的命令信号都被屏蔽,同时,CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号,低电平有效,这三个信号与CS#一起组合定义输入的命令。5、DQML,DQMU为数据掩码信号。写数据时,当DQM为高电平时对应的写入数据无效,DQML与DQMU分别对应于数据信号的低8位与高8位。6、A<0..12>为地址总线信号,在读写命令时行列地址都由该总线输入。7、BA0、BA1为BANK地址信号,用以确定当前的命令操作对哪一个BANK有效。8、DQ<0..15>为数据总线信号,读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。黄石高速PCB设计加工

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